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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种基于反铁电陶瓷材料的脉冲方波产生方法-CN202210682427.9在审
发明人：徐然;朱青山;徐卓;冯玉军;魏晓勇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03K3/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反铁电陶瓷材料的脉冲方波产生方法，制备反铁电陶瓷；测量反铁电陶瓷电滞回线，获取反铁电陶瓷的反铁电—铁电相变电场；将反铁电陶瓷极化充电，使反铁电陶瓷发生反铁电—铁电相变；利用充电后的反铁电陶瓷对电阻负载放电本发明通过反铁电陶瓷对电阻负载放电，最终在电阻负载上形成一定脉宽的脉冲方波，可大大简化脉冲方波产生的电路系统。
一种基于反铁电陶瓷材料脉冲方波产生方法

[发明专利]反铁电存储器-CN202010643344.X有效
发明人：罗庆;王渊;吕杭炳;姜鹏飞;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种反铁电存储器，包括：衬底；源电极和漏电极，设置于衬底的两端；反铁电薄膜结构层，设置于衬底上，且该反铁电薄膜结构层自衬底向上依次包括第一反铁电层、中间电极、第二反铁电层和顶电极；其中，顶电极本发明提供的该反铁电存储器，利用双反铁电夹层结构，同时实现两个反铁电薄膜层极化滞回曲线向Y轴平移，使反铁电薄膜极化滞回曲线的两个窗口都位于零外电压位置。
反铁电存储器

[发明专利]一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法-CN200910195208.2无效
发明人：万海军;翁旭东;陈志辉;沈臻魁;江安全 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜，每一阶台阶对应一种厚度，可以在单层反铁电薄膜上实现铁电区域和反铁电区域的交叉排列由于反铁电薄膜和铁电薄膜堆叠后，薄膜的热释电系数相比单纯的反铁电薄膜会得到很大的提高，因此利用本方法制备的反铁电薄膜可以作为良好的热释电材料，用于红外热释电探测器，机敏器件和系统，且制备方法简单易操作，
一种具有高热性能反铁电薄膜制备方法

[发明专利]一种反铁电存储器及其制备方法-CN202310358538.9在审
发明人：罗庆;王博平;徐彦楠;袁鹏;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种反铁电存储器及其制备方法。一种反铁电存储器的制备方法，其包括反铁电电容，所述反铁电电容的制备方法为：提供基底；在所述基底上依次沉积底电极、反铁电层和顶电极；然后在400～600℃下进行快速热退火处理，处理气氛优选氮气；其中，反铁电层采用HZO，厚度为6～10nm，反铁电层中铪Hf与锆Zr的摩尔比为2:8～3:7。本发明通过控制工艺中的多个条件实现了对反铁电器件极性相向非极性相转变时对应的电压(电场)的调控，同时显著增加了反铁电器件的饱和极化强度。
一种反铁电存储器及其制备方法

[发明专利]一种反铁电储能陶瓷材料及其制备方法-CN201310659224.9有效
发明人：姜胜林;张岭;张光祖;付明;喻研;易金桥 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种反铁电储能陶瓷材料及其制备方法。反铁电陶瓷材料由质量分数为k的四方反铁电相和质量分数为（1-k）的正交反铁电相复合而成；四方反铁电相为(Pb0.87-1.5xBa0.1La0.02Mx)(Zr0.95-ySnyTi0.05)O3，正交反铁电相为制备方法包括如下步骤：（1）制备四方相反铁电陶瓷粉体；（2）制备正交相反铁电陶瓷粉体；（3）将四方相反铁电陶瓷粉体和正交相反铁电陶瓷粉体按质量百分比复合得到反铁电储能陶瓷材料。该反铁电陶瓷材料在保持较高的饱和极化强度的同时，获得较大的铁电-反铁电相变场，从而使储能密度得到大幅提高。
一种反铁电储能陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种具有高介电常数的反铁电电容及其制备方法-CN202310361687.0在审
发明人：罗庆;王博平;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高介电常数的反铁电电容及其制备方法。一种反铁电电容，包括依次堆叠的底电极、反铁电层、顶电极；其中，反铁电层采用HZO，厚度为6～10nm。本发明可以提供一种具有超高介电常数的反铁电电容，其很大的应用前景。
一种具有介电常数反铁电电容及其制备方法

[发明专利]一种反铁电单晶材料、其制备方法及其应用-CN201910183580.5有效
发明人：杨晓明;何超;苏榕冰;龙西法 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种反铁电单晶材料，所述反铁电单晶材料为钨镁酸铅‑铌镥酸铅二元反铁电单晶材料。该反铁电单晶材料为反铁电领域提供一种可开关、可调变的新型单晶材料，有望在能量储能、脉冲电源、精密致动等领域中有所应用。
一种反铁电单晶材料制备方法及其应用

[发明专利]用于侧壁应变工程的带间隔体的铁电或反铁电沟槽电容器-CN202010220099.1在审
发明人： N.哈拉蒂波尔;S-C.常;林家庆;J.卡瓦列罗斯;U.阿夫奇;I.扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了用于侧壁应变工程的带间隔体的铁电或反铁电沟槽电容器。描述了一种基于铁电的电容器，其通过沿着基于铁电/反铁电的电容器的铁电或反铁电材料的平面（例如，x轴）提供拉伸应力，来改进铁电存储器的可靠性。所述拉伸应力向铁电材料提供极性正交相，并且向反铁电材料提供四方相。照此，铁电/反铁电氧化物薄膜的记忆窗口和可靠性得以改进。
用于侧壁应变工程间隔反铁电沟槽电容器

[发明专利]半导体器件-CN202110207855.1在审
发明人：孟完柱;陈玄洙;姜世勋;任基彬;尹卿烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一电极；第二电极；以及位于第一电极与第二电极之间电介质层叠层，该电介质层叠层包括第一反铁电层、第二反铁电层以及在第一反铁电层与第二反铁电层之间的铁电层。
半导体器件

[发明专利]一种提高反铁电膜材料负电卡制冷方法-CN201610535039.2在审
发明人：郝喜红;高洪成;李雍;孙宁宁;张奇伟 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明提出一种锆酸铅基反铁电材料和锆酸铅基反铁电薄膜的制备方法，所述锆酸铅基反铁电材料，其化学通式为Pb1‑xSrxZrO3，其中，x的取值范围：0＜x≤0.05。根据本发明实施例的锆酸铅基反铁电材料，包括化学通式为Pb1‑xSrxZrO3的材料，其中0＜x≤0.05，通过Sr的掺杂，能够提高负制冷值，提高制冷强度。在外加电场的作用下，Pb1‑xSrxZrO3反铁电薄膜随Sr含量的增加反铁电相越稳定，能够获得较大的反铁电到铁电转变电场(EAFE‑FE)，从而有利于负制冷的增加和制冷强度的提高。
一种提高反铁电膜材料负电制冷方法

[发明专利]锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法-CN201710229647.5有效
发明人：郝喜红;陈立明;李雍;孙宁宁;张奇伟 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法，用于制备锆酸铅基反铁电多层电容器的锆酸铅基反铁电材料的化学通式为(Pb_0.92‑xBa_0.05La反铁电多层电容器，用掺杂了Dy的锆酸铅基反铁电材料制备的电容器，在外加电场的作用下，会随Dy含量的增加反铁电相越稳定，能够获得较大的反铁电到铁电转变电场(E_AFE‑FE)，E_AFE‑FE与铁电到反铁电转变电场的差值ΔE逐渐降低，提高了多层电容器的储能密度和储能效率。
锆酸铅基反铁电多层电容器及其制备方法

[发明专利]基于铁电相/反铁电相多相薄膜的铁电器件及其制备方法-CN202211152412.8在审
发明人：周益春;贾世杰;廖佳佳;廖敏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁电相/反铁电相多相薄膜的铁电器件及其制备方法，所述器件自下而上依次包括衬底、底电极、多相薄膜层以及顶层覆盖层，其中，所述多相薄膜层由铁电相和反铁电相混合形成，所述铁电相和所述反铁电相均为氧化铪基铁电材料本发明利用铁电相和反铁电相调控机制的耦合作用，可以实现在保持一定剩余极化强度的同时提升薄膜的抗疲劳性能，满足铁电存储器件对于铁电薄膜抗疲劳性能的需求。
基于铁电相反铁电相多相薄膜器件及其制备方法

[发明专利]一种高分散反铁电亚微米陶瓷粉体及其制备方法-CN201911295252.0在审
发明人：闫世光;曹菲;陈学锋;王根水;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明公开一种高分散反铁电亚微米陶瓷粉体及其制备方法。所述高分散反铁电亚微米陶瓷粉体的制备方法是，首先采用高能研磨方法一次研磨，获得一次研磨亚微米粒度反铁电陶瓷粉体；再将一次研磨亚微米粒度反铁电陶瓷粉体进行二次研磨，获得高分散反铁电亚微米陶瓷粉体。
一种分散反铁电亚微米陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法-CN201710074301.2有效
发明人：柯华;罗蕙佳代;张洪军;张利伟;李方喆;周俊杰;曹璐;应鹏展;刘爽;李谢凝 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法，涉及一种反铁电陶瓷及其制备方法。本发明为了解决现有制备NBT基单相反铁电陶瓷的方法中阳离子分布不均匀和反铁电相变在较高温度才能发生的问题。本发明单相NBT基反铁电陶瓷的化学式为(A0.5Bi0.5)xB反铁电陶瓷为纯相，尺度均匀，反铁电相变温度低(约80℃)。本发明适用于反铁电陶瓷制备。
一种单相 nbt 基反铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种锆锡酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202211065993.1在审
发明人：翟继卫;杨静;葛广龙;陈楚凯 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C04B35/486 文献下载
摘要：本发明涉及一种锆锡酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用，该反铁电陶瓷材料的化学通式为Pb0.98‑1.5xNdxBa与现有技术相比，本发明首次提出了通过A位掺入Nd3+调控反铁电陶瓷材料的相变特征，即相变类型由反铁电‑铁电相变逐渐转变为反铁电‑铁电I‑铁电II相变，显著地提升了陶瓷的击穿场强，制备出同时具有优异储能密度(11.4J/cm3)和高储能效率(84.1％)的反铁电陶瓷材料，对进一步开发高储能性能的反铁电陶瓷电容器具有重要的极高的借鉴意义和实用价值
一种锆锡酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法应用

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