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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]将酸氢化成醇的制备方法-CN201810835818.3有效
发明人：周俊彦;张鸿铭;邱圣涵;林裕川;江家维;杜政杰 -专利权人：长春石油化学股份有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C07C31/125 文献下载
摘要：本发明提供一种将酸氢化成醇的制备方法，其步骤包括：将含铜层状硅酸盐(copper phyllosilicate)作为催化剂，经还原处理后，在该经还原的催化剂的存在下将酸氢化成醇，其中，该催化剂包含载体SiO2以及活性金属Cu。本发明将酸氢化成醇的制备方法不仅可将羧酸氢化成醇，还可将二元酸直接氢化成二元醇、环烷羧酸直接氢化成环烷醇，具有简化反应步骤、降低生产成本、降低反应压力、提高反应收率等优势。
氢化制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210826279.3在审
发明人： 江家维;黄震铄;陈衍豪;范扬顺 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括基板、第一栅极、半导体层、第一栅介电层、第二栅介电层、源极、漏极以及压电装置。第一栅极位于基板之上。半导体层于基板的顶面的法线方向上重叠于第一栅极。第一栅介电层位于半导体层与第一栅极之间。第二栅介电层位于半导体层之上。源极以及漏极电连接半导体层。压电装置位于第二栅介电层之上，且包括彼此堆叠的金属氧化物电极、压电材料以及顶电极。半导体层位于金属氧化物电极与第一栅极之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]逆变器-CN202210864280.5在审
发明人： 江家维;范扬顺;黄震铄;陈衍豪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种逆变器，包括基板、第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一半导体结构、第一源极以及第一漏极。第一半导体结构包括第一源极区、第一漏极区以及第一通道区。第一源极区的厚度大于第一通道区的厚度以及第一漏极区的厚度。第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二半导体结构、第二源极以及第二漏极。第二半导体结构包括第二源极区、第二漏极区以及第二通道区。第二通道区的厚度大于第二源极区的厚度以及第二漏极区的厚度。第二漏极电性连接第一源极。
逆变器

[发明专利]逆变器以及像素电路-CN202210826223.8在审
发明人：陈衍豪;江家维;范扬顺 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开一种逆变器以及像素电路，其中该逆变器包括二极管以及开关薄膜晶体管。二极管包括第一半导体沟道结构、第一电极、第二电极以及第三电极。第一电极重叠且分离于第一半导体沟道结构的第一沟道区。第二电极以及第三电极分别电连接第一半导体沟道结构。第二电极电连接至第一电极。开关薄膜晶体管包括第二半导体沟道结构、栅极、漏极以及源极。栅极重叠且分离于第二半导体沟道结构的第二沟道区。第一沟道区的载流子迁移率大于第二沟道区的载流子迁移率。漏极电连接至二极管的第三电极。
逆变器以及像素电路

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210863089.9在审
发明人： 江家维;范扬顺;黄震铄 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括基板、半导体结构、第一栅介电层、第一栅极、源极以及漏极。半导体结构包括第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层。第二金属氧化物层覆盖第一金属氧化物层的顶面以及侧壁。第二金属氧化物层于第一金属氧化物层的侧壁处具有阶梯结构。第一金属氧化物层的载子迁移率大于第二金属氧化物层的通道区的载子迁移率。第二金属氧化物层的厚度大于或等于第一金属氧化物层的厚度。第一栅极的宽度与第一金属氧化物层的宽度差值小于0.5微米。
半导体装置及其制造方法

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