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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]主动元件及其制造方法-CN202111150973.X有效
发明人： 范扬顺;黄震铄 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种主动元件及其制造方法。主动元件包括基板、切换底栅极、驱动底栅极、第一栅绝缘层、切换通道、驱动通道、第二栅绝缘层、切换顶栅极与驱动顶栅极。切换底栅极与驱动底栅极配置于基板上。第一栅绝缘层配置于基板上且覆盖切换底栅极与驱动底栅极。切换通道与驱动通道配置于第一栅绝缘层上。驱动通道具有一低电位端。低电位端电性连接驱动底栅极。第二栅绝缘层配置于第一栅绝缘层上且覆盖切换通道与驱动通道。第二栅绝缘层的厚度大于第一栅绝缘层的厚度。切换顶栅极与驱动顶栅极配置于第二栅绝缘层上。切换顶栅极电性连接切换底栅极。
主动元件及其制造方法

[发明专利]主动元件基板-CN202211602600.6在审
发明人：黄震铄;范扬顺 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种主动元件基板，包括基板、第一主动元件以及电连接至第一主动元件的第二主动元件。第一主动元件包括第一底栅极、第一半导体结构、第一顶栅极、第一源极以及第一漏极。第一源极电连接至第一底栅极。第二主动元件包括第二底栅极、第二半导体结构、第二顶栅极、第二源极以及第二漏极。第二半导体结构的厚度小于第一半导体结构的厚度。第二底栅极电连接第二顶栅极。
主动元件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210826259.6在审
发明人： 范扬顺;李奎佑 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、薄膜晶体管以及可变电阻式存储器。薄膜晶体管设置于基板之上，其包括第一金属氧化物层。可变电阻式存储器设置于基板之上，并与薄膜晶体管电连接。可变电阻式存储器包括第二金属氧化物层。第一金属氧化物层的载流子浓度大于第二金属氧化物层的载流子浓度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210826279.3在审
发明人：江家维;黄震铄;陈衍豪;范扬顺 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括基板、第一栅极、半导体层、第一栅介电层、第二栅介电层、源极、漏极以及压电装置。第一栅极位于基板之上。半导体层于基板的顶面的法线方向上重叠于第一栅极。第一栅介电层位于半导体层与第一栅极之间。第二栅介电层位于半导体层之上。源极以及漏极电连接半导体层。压电装置位于第二栅介电层之上，且包括彼此堆叠的金属氧化物电极、压电材料以及顶电极。半导体层位于金属氧化物电极与第一栅极之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]逆变器-CN202210864280.5在审
发明人：江家维;范扬顺;黄震铄;陈衍豪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种逆变器，包括基板、第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一半导体结构、第一源极以及第一漏极。第一半导体结构包括第一源极区、第一漏极区以及第一通道区。第一源极区的厚度大于第一通道区的厚度以及第一漏极区的厚度。第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二半导体结构、第二源极以及第二漏极。第二半导体结构包括第二源极区、第二漏极区以及第二通道区。第二通道区的厚度大于第二源极区的厚度以及第二漏极区的厚度。第二漏极电性连接第一源极。
逆变器

[发明专利]主动元件基板及其制造方法-CN202210825484.8在审
发明人： 范扬顺;黄震铄 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种主动元件基板及其制造方法，其中该主动元件基板包括基板、第一半导体元件以及第二半导体元件。第一半导体元件以及第二半导体元件设置于基板之上。第一半导体元件包括第一栅极、第一半导体层、第一源极以及第一漏极。第一栅极与第一半导体层之间夹有栅介电结构。栅介电结构包括栅介电层的一部分与铁电材料层的一部分的堆叠。第二半导体元件电连接至第一半导体元件，且包括第二栅极、第二半导体层、第二源极以及第二漏极。第二栅极与第二半导体层之间夹有铁电材料层的另一部分。
主动元件及其制造方法

[发明专利]逆变器以及像素电路-CN202210826223.8在审
发明人：陈衍豪;江家维;范扬顺 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开一种逆变器以及像素电路，其中该逆变器包括二极管以及开关薄膜晶体管。二极管包括第一半导体沟道结构、第一电极、第二电极以及第三电极。第一电极重叠且分离于第一半导体沟道结构的第一沟道区。第二电极以及第三电极分别电连接第一半导体沟道结构。第二电极电连接至第一电极。开关薄膜晶体管包括第二半导体沟道结构、栅极、漏极以及源极。栅极重叠且分离于第二半导体沟道结构的第二沟道区。第一沟道区的载流子迁移率大于第二沟道区的载流子迁移率。漏极电连接至二极管的第三电极。
逆变器以及像素电路

[发明专利]半导体装置-CN202210831362.X在审
发明人：陈衍豪;黄震铄;范扬顺 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括第一栅极、第二栅极、第三栅极、第一半导体层、第二半导体层、源极以及漏极。第一半导体层位于第一栅极与第二栅极之间。第二栅极位于第一半导体层与第二半导体层之间。第二半导体层位于第二栅极与第三栅极之间。源极电连接第一半导体层以及第二半导体层。漏极电连接第一半导体层以及第二半导体层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210863089.9在审
发明人：江家维;范扬顺;黄震铄 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括基板、半导体结构、第一栅介电层、第一栅极、源极以及漏极。半导体结构包括第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层。第二金属氧化物层覆盖第一金属氧化物层的顶面以及侧壁。第二金属氧化物层于第一金属氧化物层的侧壁处具有阶梯结构。第一金属氧化物层的载子迁移率大于第二金属氧化物层的通道区的载子迁移率。第二金属氧化物层的厚度大于或等于第一金属氧化物层的厚度。第一栅极的宽度与第一金属氧化物层的宽度差值小于0.5微米。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210863617.0在审
发明人： 范扬顺;李奎佑 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括基板、第一薄膜晶体管以及可变电阻式存储器。第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一堆叠结构、第二栅极、源极以及漏极。第一堆叠结构包括互相重叠的第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层。第一堆叠结构位于第一栅极与第二栅极之间。可变电阻式存储器包括第一电极、第二堆叠结构以及第二电极。第一电极电性连接第一栅极。第二堆叠结构包括互相重叠的第三金属氧化物层以及第四金属氧化物层。第二堆叠结构位于第一电极与第二电极之间，且连接第一电极与第二电极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210864293.2在审
发明人： 范扬顺 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括基板、第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。第一以及第二薄膜晶体管设置于基板之上。第一薄膜晶体管包括堆叠的第一以及第二金属氧化物层。第一金属氧化物层的氧浓度小于第二金属氧化物层的氧浓度，第二金属氧化物层的厚度小于第一金属氧化物层的厚度。二维电子气位于第一以及第二金属氧化物层之间的界面。第二薄膜晶体管与第一薄膜晶体管电性连接。第二薄膜晶体管包括第三金属氧化物层。第二与第三金属氧化物层属于同一图案化层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN202210033671.2在审
发明人： 范扬顺;黄震铄 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括：半导体层、第一栅极、第一栅绝缘层、第二栅极、第三栅极、以及第二栅绝缘层。第一栅极位于半导体层的一侧。第一栅绝缘层位于第一栅极与半导体层之间。第二栅极及第三栅极位于半导体层的另一侧，且第二栅极与第三栅极分离。第二栅绝缘层位于第二栅极及第三栅极与半导体层之间。第一栅极于半导体层的正投影部分重叠第二栅极于半导体层的正投影，且第一栅极于半导体层的正投影部分重叠第三栅极于半导体层的正投影。
薄膜晶体管

[发明专利]记忆体结构及形成记忆体结构的方法-CN201410549666.2有效
发明人：刘柏村;范扬顺;陈钧罄 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明揭露一种记忆体结构及形成记忆体结构的方法。记忆体结构包含一控制单元以及一记忆单元，记忆单元电性连接至控制单元。控制单元包含一源极与一漏极；一主动层，接触源极的一部分及漏极的一部分；一栅极层；以及一栅极绝缘层，位于主动层与栅极层之间。记忆单元包含一底电极层；一顶电极层；以及一电阻切换层，电阻切换层位于底电极层以及顶电极层之间，其中电阻切换层与主动层的材质为氧化铝锌锡。本发明的功效在于，本发明主动层与电阻切换层的材质均为氧化铝锌锡，能在低温下制备并达到系统整合与减少成本等目的。
记忆体结构形成方法

[发明专利]像素结构、半导体结构的制造方法及半导体元件的制造方法-CN201711364453.2在审
发明人：黄震铄;范扬顺 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构、半导体结构的制造方法及半导体元件的制造方法。半导体结构的制造方法包括以下步骤。形成一氧化物半导体材料层，氧化物半导体材料层包括一主体部以及一辅助部，辅助部与主体部连接。形成一第一绝缘材料层于氧化物半导体材料层上。去除部分第一绝缘材料层及辅助部，以形成一第一绝缘层及一有源层，其中被去除的部分第一绝缘材料层至少与辅助部重叠。
像素结构半导体制造方法元件

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