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[发明专利]一种光电子集成芯片及其制备方法-CN202211411136.2在审
发明人：郑志明 -专利权人：江苏联格科技有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电子集成芯片及其制备方法，包括衬底以及多个制备在衬底上的光电探测器，每一个光电探测器包括欧姆接触层A、光吸收层、欧姆接触层B、金属电极C和金属电极D，光吸收层设置在欧姆接触层A上侧，欧姆接触层B设置在光吸收层上侧，金属电极C与欧姆接触层A连接，金属电极D与欧姆接触层B连接，其中欧姆接触层A和欧姆接触层B互为P、N型导电，且所有光电探测器的光吸收层的厚度互不相同。
一种光电子集成芯片及其制备方法

[发明专利]一种集成电路欧姆接触区的生产系统及生产方法-CN202211162079.9在审
发明人：王尧林;洪学天;林和;牛崇实;陈宏 -专利权人：晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路欧姆接触区的生产系统及生产方法，其中生产系统包括：包括：依次设置的半导体薄膜、钝化层、半导体掺杂层、欧姆接触区和金属电极；所述欧姆接触区为重掺杂区，降低欧姆接触区的势垒高度，增大电子隧穿的几率；所述金属电极采用多层金属堆叠结构，包括接触层、扩散层、阻挡层和盖帽层；接触层金属与势垒层反应生成合金，在合金界面上形成高浓度空位，形成重掺杂的欧姆接触区。
一种集成电路欧姆接触生产系统方法

[实用新型]一种碳化硅MPS器件-CN202021269885.2有效
发明人：彭志高;林志东;陶永洪 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅MPS器件，包括SiC衬底、SiC外延层、肖特基金属层、第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层；有源区设置大致两种规格的P型区，表面面积较大、较宽裕的第一P型区表面覆盖第二欧姆接触金属层，第二欧姆接触金属层位于第一P型区与肖特基金属层之间；表面面积较小、较细狭的第二P型区表面不设第二欧姆接触金属层。在小电流的条件下，电流从有源区的N型区通过；在大电流的条件下，二极管的正向电压升高，第一P型区表面覆盖欧姆接触形成的PiN二极管势垒开启，电流可以从该区域通过，从而提升二极管的浪涌电流能力。
一种碳化硅 mps 器件

[发明专利]一种微型发光芯片及其制作方法-CN202210376529.8在审
发明人：王涛;柴圆圆;朱小松;张偲;谷鹏军 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种微型发光芯片及其制作方法，包括：外延层，外延层包括第一半导体层，第二半导体层以及位于第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；还包括分别设于第一半导体层和第二半导体上第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；分别设于第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层，第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层具有抗蚀刻特性；以及分别设于第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层之上的第一电极和第二电极通过金属蚀刻阻挡层的阻挡作用，使得欧姆接触层及金属蚀刻阻挡层不会被蚀刻，金属与半导体层之间的欧姆接触良好，提高了芯片的发光效率。
一种微型发光芯片及其制作方法

[发明专利]一种氮化物半导体器件的欧姆接触结构及其制作方法-CN201810142648.0在审
发明人：刘胜厚;林光耀;周泽阳;许若华;蔡文必 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L21/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体器件欧姆接触的制作方法，于GaN基底上形成含有Al层的金属堆叠结构，于氧气气氛中进行低温氧化使所述Al层侧壁形成氧化铝阻挡层，然后通过高温合金使金属堆叠结构与GaN基底形成欧姆接触本发明在欧姆金属合金前先进行低温氧化处理，使欧姆金属外侧铝氧化成氧化铝，通过侧壁氧化铝阻挡高温合金时铝元素的横向扩散，从而改善GaN基器件欧姆接触制作过程中出现的铝元素横向扩散问题，降低了界面污染和改善界面态；本发明的方法仅在传统GaN基器件的欧姆金属制作过程中增加低温氧化，工艺简单，不引入其他物质，也无需其他材料，实用性强，效果好。
欧姆接触低温氧化欧姆金属氧化铝氮化物半导体器件堆叠结构高温合金横向扩散制作过程铝元素侧壁金属其他材料氧气气氛界面态铝氧化阻挡层制作合金阻挡引入污染

[发明专利]采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法-CN201610800022.5在审
发明人：何志 -专利权人：佛山芯光半导体有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法，包括如下步骤步骤一在SiC所需形成欧姆接触的部位进行离子注入；步骤二在所述SiC晶圆表面淀积欧姆接触金属；步骤三采用激光对欧姆接触金属进行辐照以制备欧姆接触；采用离子注入增加SiC欧姆接触区域的掺杂浓度，通过激光退火在激活注入离子的同时在SiC上形成欧姆接触。通过该方法降低了激光退火工艺形成欧姆接触的工艺控制问题，降低了欧姆接触电阻率，从而提高了SiC器件的性能。
采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触方法

[发明专利]一种碳化硅欧姆接触形成方法-CN201610366410.7在审
发明人：倪炜江;李明山;张敬伟;牛喜平;乔庆楠 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅欧姆接触形成方法，该形成方法包括如下步骤：1）首先在需要形成n型和p型欧姆接触的区域分别进行离子注入；2）在SiC材料表面淀积一层碳层；3）进行的高温退火，退火后去除所述碳层；再进行牺牲氧化工艺，去除SiC材料表面的损伤层；4）淀积欧姆接触金属并进行图形化，去除在欧姆接触区域以外的金属，只保留欧姆接触区内的金属；5）进行快速热退火，退火后在P++区和N++区分别形成了p型欧姆接触和n型欧姆接触本方法可同时形成n型和p型欧姆接触，减少工艺步骤，降低工艺成本。
一种碳化硅欧姆接触形成方法

[发明专利]双向开关晶体管制作方法和双向开关晶体管-CN201610125625.X在审
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种双向开关晶体管的制作方法和双向开关晶体管，其中双向开关晶体管包括基底、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、第一栅极连接金属层、第二栅极连接金属层、保护层、在第一栅极连接金属层上形成的第一栅极金属层和所述第二栅极连接金属层上形成的第二栅极金属层，其中，第一栅极连接金属层和第二栅极连接金属层均位于所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层之间，本发明提供的双向开关晶体管的制作方法和双向开关晶体管，可以视为包括两个晶体管，由于两个晶体管共用了第一欧姆接触层和第二欧姆接触层
双向开关晶体管制作方法

[发明专利]一种氮化镓器件欧姆接触的制造方法-CN202310129810.6在审
发明人：胡旭宏 -专利权人：徐州金沙江半导体有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓器件欧姆接触的制造方法，包括衬底层，衬底层上依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝隔离层、铝镓氮势垒层，帽层，通过清洗，光刻和刻蚀工艺，在帽层开窗口至铝镓氮势垒层，用电子束蒸发台或离子溅射机沉积源漏金属，漏源金属依次由合金化接触金属、阻挡层金属和防氧化保护层金属构成，合金化接触金属为Sc/Ti/Al的多层金属合金结构，漏源金属用快速退火炉在氮气氛围下高温退火，AlGaN与Sc/Ti/Al合金化获得欧姆接触，本发明提出的欧姆接触可以在现有工艺基础上降低欧姆接触电阻20%～50%，降低欧姆接触退火温度50‑100度，提高表面平整度，从而相应提高欧姆接触的稳定性和可靠性，以及器件工作电流和输出功率。
一种氮化器件欧姆接触制造方法

[发明专利]一种SiC器件的欧姆接触制备方法-CN202110987755.5在审
发明人：陈平原;张腾 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC器件的欧姆接触制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法首先利用湿法工艺对裸SiC进行表面处理，去除材料本征氧化层，而后对处理后的SiC表面进行Si离子注入，注入后利用蒸发或者溅射工艺继续沉积一定厚度的欧姆金属层，最后通过退火工艺形成欧姆接触结构。本发明在沉积金属前对SiC材料表面进行Si离子注入，高能离子的注入对材料表面具有物理轰击的作用,该作用可制造出更多的晶格空位，这利于后续低接触电阻率的欧姆接触形成，同时注入后的SiC材料表面是富硅状态，这将减弱SiC与欧姆金属的直接反应，从而避免较多反应生成的C元素析出到金属表面，这有利于增强欧姆金属层与后续金属层的粘附性。
一种 sic 器件欧姆接触制备方法

[发明专利]一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法-CN200710178771.X有效
发明人：吴茹菲;张海英;尹军舰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法，该方法采用Pt/Ti/Au的金属材料组合作为p型砷化镓的欧姆接触金属，在375℃下将金属材料组合Pt/Ti/Au合金1分钟，形成p型砷化镓的欧姆接触。利用本发明，能够有效降低p型砷化镓欧姆接触的比接触电阻，将p型砷化镓欧姆接触的比接触电阻降低至5.9×10^-6Ω·cm²。
一种制备型砷化镓欧姆接触方法

[发明专利]具有对边电极的发光二极管元件及其制造方法-CN01121108.3无效
发明人：李明达 -专利权人：佳大世界股份有限公司
申请日： 2001-05-30 - 公布日： 2003-01-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种具有对边电极的发光二极管元件及其制造方法,其特点是于一晶片上规划数个晶粒区域,且于各晶粒区域中规划一第一欧姆金属接触电极及一第二欧姆金属接触电极,并使第一欧姆金属接触电极与第二欧姆金属接触电极分设于晶粒区域的相对边
具有电极发光二极管元件及其制造方法

[发明专利]异质结功率二极管-CN201710449247.5在审
发明人：马朝凤;黑芳 -专利权人：乐山加兴科技有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：该异质结功率二极管，包括衬底、设置在衬底上表面的GaN层和设置在GaN层上表面的AlMN层；所述GaN层和AlMN层的接触面形成异质结，所述AlMN层上层的两侧分别具有第一欧姆金属和第二欧姆金属；所述第一欧姆金属上表面具有第一肖特基金属；所述第二欧姆金属上表面具有第二肖特基金属；所述第一肖特基金属和第二肖特基金属之间的AlMN层上表面具有钝化层；所述AlMN层与第二欧姆金属的连接处具有凹槽；所述第二肖特基金属填充在凹槽中，该异质结功率二极管具有低开启电压和低功耗等优点
欧姆金属肖特基异质结功率二极管上表面金属半导体领域衬底上表面金属填充开启电压低功耗钝化层衬底上层制造

[发明专利]一种半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202011174094.6在审
发明人：金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;刘卫兵;孔真真 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，方法包括：提供半导体基底，半导体基底上形成有接触孔；在接触孔的底部形成SiGe层；在SiGe层上方沉积欧姆金属层；在欧姆金属层上方沉积覆盖金属层；对欧姆金属层进行热处理后，去除覆盖金属层；在去除覆盖金属层后的欧姆金属层上方沉积扩散阻挡层及主体金属层；在接触孔的内部预先形成SiGe层，可在接触孔内部形成锗硅化物；由于Ge比Si的电子移动速率快，因此可实现较低的电阻率，确保半导体结构的性能；且在形成金属结构时不需要消耗大量的硅基板，提高锗硅化物的形成位置，确保欧姆接触金属结构与硅基板之间保持浅接面；因减少了硅基板的消耗量，改善锗硅化物的不均匀现象。
一种半导体结构制备方法

[发明专利]一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件-CN201310006807.1有效
发明人：卢洋藩;顾建龙;叶志镇;陈匆;吴惠敏;汪雷;陈凌翔;叶春丽;李霞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-01-07 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件。该欧姆接触电极包括置于n型宽带隙半导体基底上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层是Ti金属层，第二电极层是Ni金属层，第三电极层是Ti金属层，第四电极层是热惰性金属层。其制备方法包括在n型宽带隙半导体基底表面制备出电极图案，再采用真空热电子束蒸发或溅射法在基底上依次沉积Ti金属、Ni金属、Ti金属和热惰性金属层。本发明可以提供n型宽带隙半导体基底上具有低接触电阻率、热稳定性和热平整性的欧姆接触电极，及具有该欧姆接触电极的半导体元件。
一种欧姆接触电极制备方法包含半导体元件