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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件层间介质间隙填充方法-CN202210295040.8在审
发明人： 徐康元 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件层间介质间隙填充方法，属于半导体制造领域，包括步骤：在通过半导体制造方法形成单元位线并进行层间介质间隙填充工艺的工艺中，利用以原子层沉积方式形成的氧化膜将位线间隙以衬垫形态沉积，再通过表面反应干法蚀刻方式蚀刻间隙间的氧化膜，再以原子层沉积方式的氧化膜填埋位线间隙。本发明更易于调整刻蚀目标，保护下部结构；可将细密的、更高质量的氧化膜填充在间隙间，降低成本，特别是对半导体元件越细密的器件制造工艺，越能体现出工艺扩张性越好。
半导体器件介质间隙填充方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子设备-CN202210148639.9在审
发明人： 徐康元;王桂磊;孔真真;白国斌;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体制作技术领域，通过处理碳氮化硅层形成垂直接触孔，避免导电配线出现空隙或键孔现象，以提升半导体器件的工作性能。该半导体器件包括衬底；形成在所述衬底上的自下而上层叠设置的层间介质层和碳氮化硅层；所述碳氮化硅层和所述层间介质层中形成有连通的接触孔，所述接触孔的侧壁垂直于所述衬底；以及形成在所述接触孔内的导电配线。本发明还提供一种半导体器件的制作方法。该半导体器件应用在电子设备中。
一种半导体器件及其制作方法电子设备

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911120346.4有效
发明人：金玄永;郭逃远;徐康元 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：基板；导电图案，从所述基板向上延伸，所述导电图案具有中空结构；第一导电层，覆盖所述导电图案；以及介电层，至少覆盖所述第一导电层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种半导体设备中感知晶圆位置的盖体结构-CN202111596908.X在审
发明人： 徐康元 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备中感知晶圆位置的盖体结构，涉及半导体设备的技术领域，具体包括盖体本体，所述盖体本体上设置有用于检测晶圆位置的传感器；所述传感器与半导体设备的控制系统之间进行信号传输，当传感器检测到晶圆脱离工作位置时，控制系统控制半导体设备停止工作；本发明当晶圆由于压力及温差的原因，在放置时因滑动而脱离工作位置时，传感器检测到晶圆已脱离工作位置，则发出信号至冷却室的控制系统，进而又控制系统控制冷却室停止工作，避免因晶圆脱落而发生的晶圆破碎和长期会导致设备损坏的问题；且结构简单，操作方便。
一种半导体设备感知位置结构

[发明专利]一种半导体设备真空管的冷却结构-CN202111303470.1在审
发明人： 徐康元 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备真空管的冷却结构，所述冷却结构包括：夹套，所述夹套包裹设置于真空管的外侧，并与所述真空管的管壁形成冷却流道空间；泵体，所述泵体设置于真空管的管体之上；冷却系统，所述冷却系统同夹套与真空管形成的冷却流道空间连通，并循环为所述流道空间提供冷却液；洗涤器，所述洗涤器设置于所述泵体的下游，并配置为对流入其中的凝结颗粒物进行洗出。通过本冷却结构设计使得真空管的凝结物能够快速形成，以便所述凝结物能够被快速洗出，进而防止凝结颗粒附着沉积于整个真空管内。
一种半导体设备真空管冷却结构

[发明专利]一种去除晶圆静电并测定去除静电量的装置及方法-CN202111305076.1在审
发明人： 徐康元 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H05F3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除晶圆静电并测定去除静电量的装置及方法，属于半导体的技术领域，S1：启动设备并开始在反应室内进行工艺；S2：工艺完成后，预备对基座上的晶圆实施卸载动作；S3：对提升针板作第一次上升运动，让晶圆的背面与各个提升顶针相接触；S4：通过电荷处理系统将晶圆表面的电荷去除；S5：通过电荷处理系统对去除的电荷量进行实时测量；S6：去除电荷后的晶圆，从该晶圆的装载位置对其实施晶圆卸载；S7：通过机械手将卸载后的晶圆转移，以达到去除给晶圆充电的电荷，并测量去除的电荷量，为确保晶圆能够安全移动的目的。
一种去除静电测定装置方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202010046710.3有效
发明人：金玄永;郭逃远;徐康元 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一互连结构，该互连结构包括：在基板上方彼此分开且邻近地布置的多个导电特征；在所述多个导电特征之上和之间共形地形成的衬垫，以在相邻的一对导电特征之间界定具有第一深度的沟槽，其中，水平覆盖在所述导电特征的各个顶表面上的所述衬垫的厚度小于垂直覆盖在所述导电特征的各个侧壁上的所述衬垫的厚度；及在所述导电特征的顶表面上的衬垫上的介电层，其中，所述介电层密封所述沟槽，且在与所述沟槽相邻的一对导电特征之间形成空隙。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]气压控制装置及气压调节方法-CN201910884282.9有效
发明人：徐笵植;徐康元 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G05D16/20 文献下载
摘要：一种气压控制装置，包括反应室、气压表、真空泵、第一阀门和控制单元；所述第一阀门设置在所述真空泵和所述反应室之间；所述气压表检测所述反应室内的气压并发送第一信号至所述控制单元，所述控制单元根据所述第一信号发送第二信号至所述第一阀门，控制所述第一阀门的开合以维持所述反应室内的气压在一预定范围内；当所述第一阀门的打开量大于或等于一预设值，所述第一阀门反馈第三信号至所述控制单元，所述控制单元根据所述第三信号发送第四信号至所述真空泵以调整所述真空泵抽取气体的速度。本发明还提供一种应用在该气压控制装置中的气压调节方法，通过调节阀门开合和真空泵的抽气速度的双重调控方式来稳定反应室的气压。
气压控制装置调节方法

[发明专利]半导体处理腔室及其垫圈-CN201911114409.5有效
发明人：徐官基;金志勋;徐康元 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开的一个方面提供了一种半导体处理腔室，其包括：盖体，具有顶表面和与顶表面相对的底表面；主体，具有可机械地附接到盖的底表面的顶表面；和布置在所述盖体和所述主体之间的垫圈；其中，所述垫圈具有密封部和从所述密封部突出的至少一个把柄部。
半导体处理及其垫圈

[发明专利]半导体设备及半导体设备净化方法-CN201910888242.1有效
发明人：徐笵植;徐康元 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体设备，包括装载互锁腔室、传送腔室、处理腔室，传送腔室分别与装载互锁腔室与处理腔室连接，且传送腔室与装载互锁腔室、处理腔室之间分别通过阀门隔离，装载互锁腔室与传送腔室分别包括腔体、气体供应口、气体排出口及抽气泵，气体供应口用于向腔体内供应洁净气体，气体排出口与抽气泵连接，用于排出腔体内的气体，半导体设备还包括气旋净化件，装载互锁腔室及/或传送腔室内装设一个气旋净化件，气旋净化件与气体供应口相连通并能够在腔体内形成气旋。本发明能能够充分净化腔体，且提高效率。本发明还提供一种半导体设备净化方法。
半导体设备净化方法

[发明专利]半导体处理工艺及半导体元器件-CN202010072119.5有效
发明人：朴相荣;金志勋;金玄永;徐康元 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种半导体处理工艺，其包括以下步骤：提供复合结构，包括层叠设置的硅基体及绝缘层，且所述绝缘层上开设有露出部分所述硅基体的开口；在第一温度下沉积第一钛层，所述第一钛层形成于所述绝缘层背离所述硅基体的表面、所述开口的侧壁及从所述开口露出的部分所述硅基体，且从所述开口露出的所述硅基体的表面与部分沉积的所述第一钛层反应形成硅化钛层；通入氨气对所述第一钛层进行氮化处理，使得所述第一钛层远离所述硅基体的部分反应形成氮化钛层；以及在第二温度下沉积第二钛层，所述第二钛层覆盖所述氮化钛层，其中，所述第一温度小于所述第二温度。本发明还提供由上述半导体处理工艺制得的半导体器件。
半导体处理工艺元器件

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202110397426.5在审
发明人： 徐康元;项金娟;李亭亭;刘青 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法，该器件包括：基底、隔离绝缘层及相互支撑的多个电容器，所述电容器包括：下电极板、多晶硅层、绝缘介质层及上电极板，下电极板包括四周侧壁和底部并形成一腔体，底部穿过隔离绝缘层与基底的接触插塞连接；多晶硅层填充于下电极板围成的腔体内，表面高度与腔体顶部保持一定距离；绝缘介质层覆盖于下电极板表面以及多晶硅层表面；上电极板覆盖于绝缘介质层表面。本发明能够增加电容器的极板面积。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202110397427.X在审
发明人：金玄永;边大一;徐康元;高建峰;刘卫兵;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底，所述衬底上形成有栅极沟槽和隔离沟槽；覆盖于所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的内表面上并覆盖于所述衬底表面的栅介电层；覆盖于所述栅介电层上方并充满所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的导电金属层，所述导电金属层使用包括钨元素和银元素的金属化合物。本发明的半导体器件具有低电阻的埋栅结构。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202110397795.4在审
发明人：金玄永;边大一;徐康元;项金娟;李亭亭;刘青 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底，所述衬底上形成有栅极沟槽和隔离沟槽；覆盖于所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的内表面上并覆盖于所述衬底表面的栅介电层；覆盖于所述栅介电层表面的阻挡层；覆盖于所述阻挡层上方并充满所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的导电金属层，所述导电金属层使用包括钨元素和银元素的金属化合物。本发明的半导体器件具有低电阻的埋栅结构。
半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种半导体加热器-CN202220266416.8有效
发明人： 徐康元 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体加热器，其特征在于，包括：导向部和吹扫部，所述吹扫部通过出气口与镀膜反应室连通，所述吹扫部内流通有保护气体，所述保护气体通过出气口进入镀膜反应室，并在导向部暴露于镀膜反应室内的表面形成气体帘。在导向部表面形成的气体帘，可防止晶圆淀积过程中在导向部的表面形成膜质导致等离子体发生倾斜，避免发生放电现象，提高了晶圆淀积的质量。
一种半导体加热器

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