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[实用新型]寄生耦合手机天线-CN201821013692.3有效
发明人：贺浪浪;黄河;杨灵伟;吴希 -专利权人：深圳市安威无线科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01Q1/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种寄生耦合手机天线，包括主天线、金属中框、电路板和零欧姆电阻，金属中框包括两个侧边框和连接在两个侧边框的下端之间的下边框，主天线位于两个侧边框的上端之间，并且主天线的两端分别与两个侧边框的上端部间隔预定距离，主天线的接地端和其中一个侧边框的上端弧形部电性连接，上端弧形部与零欧姆电阻电性连接，零欧姆电阻接地。本实用新型由于采用了金属中框和零欧姆电阻，主天线的接地端和其中一个侧边框的上端弧形部电性连接，上端弧形部与零欧姆电阻电性连接，零欧姆电阻接地，这样就增加了手机天线的长度，增加了带宽，具有使用方便、增加了手机天线的长度和提高手机天线的接发效果等优点
零欧姆电阻侧边框手机天线上端主天线电性连接弧形部本实用新型寄生耦合接地接地端金属间隔预定距离电路板上端部下边框接发下端带宽

[发明专利]基于嵌入式销钉单元的微波模组电磁带隙封装结构-CN202310697173.2在审
发明人：郭一帆;施永荣;刘世劼;包建晔;何淑君 -专利权人：上海航天电子通讯设备研究所
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于嵌入式销钉单元的微波模组电磁带隙封装结构，包括：微带线基板、50欧姆微带线、金属墙、金属盖板，微带线基板上布设有两道弯折的50欧姆微带线，且两道50欧姆微带线之间通过金属墙隔离；金属盖板的下方设置有周期排布的销钉，金属墙的顶面上刻蚀有周期排布的凹槽，其中，销钉与凹槽的位置相对应；金属盖板加载在微带线基板上，且销钉嵌入对应的凹槽内，以形成嵌入式销钉单元；两道50欧姆微带线在微带线基板上的进出口位置构成微波模组电磁带隙封装结构的四个输入输出端口
基于嵌入式销钉单元微波模组磁带封装结构

[发明专利]具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法-CN202110521392.6有效
发明人：周玉刚;郭焱;金楠;梁志斌;潘赛;许朝军;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。
具有材质反射欧姆接触倒装 led 芯片制法

[发明专利]一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法-CN201210093144.7无效
发明人：金智;潘洪亮;麻芃;郭建楠;彭松昂;陈娇;王显泰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法，包括：在衬底上用微机械剥离法或CVD转移法制备单层和少数层石墨烯材料；在该石墨烯材料上旋涂光刻胶；采用光学光刻或者电子束直写的方法刻蚀石墨烯材料上的光刻胶，并用显影液显影，形成由光刻胶构成的源漏图形；用除胶仪器去除残胶，然后对源漏区的石墨烯材料进行刻蚀，同时破坏石墨烯材料的晶格结构，形成缺陷；采用电子束蒸发或者溅射在形成缺陷的样品表面淀积金属；剥离样品表面源漏极之间有源区上的光刻胶及金属，形成金属与石墨烯欧姆接触。与传统的金属石墨烯欧姆接触相比，本方法由于克服了石墨烯费米能级附近态密度较小的劣势，能得到接触电阻很小的金属石墨烯欧姆接触。
一种制备金属石墨欧姆接触方法

[实用新型]一种可测量刀闸回路电阻的户外高压验电器-CN202021149039.7有效
发明人：侯力文;韩林林;窦小勇;于洪艳;王保平;张磊;孟文靖;王晗;陈静;袁雯雯;裴银辉 -专利权人：国网河南省电力公司鹤壁供电公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01R19/155 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可测量刀闸回路电阻的户外高压验电器，它包括验电功能杆和导通测试杆，所述验电功能杆中部设置有绝缘伸缩杆，所述绝缘伸缩杆一端设置有绝缘护环，另一端设置有高压验电头，所述高压验电头上设置有金属探针A，所述高压验电头上还设置有与金属探针A连接的金属插口，所述导通测试杆也包括有绝缘伸缩杆和绝缘护环，所述导通测试杆上还设置有欧姆表，所述欧姆表固定设置在导通测试杆的绝缘伸缩杆上，所述欧姆表上设置有金属探针B，所述欧姆表上还设置有与金属探针B连接的铜绞线，所述铜绞线另一端设置有金属插头；本实用新型具有结构简单、安全性能高、适用范围广的优点。
一种可测量回路电阻户外高压验电器

[发明专利]一种带有N型等电位环的SiC功率器件终端结构-CN202211528316.9在审
发明人：耿莉;顾钊源;杨明超;高明阳 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有N型等电位环的SiC功率器件终端结构，包括衬底，衬底设置在漏极金属层上，衬底上设置有漂移层，漂移层上从中心到边缘依次设置有源区、过渡区和终端区，有源区元胞结构的第一欧姆接触金属、过渡区的第二欧姆接触金属和终端区的第三欧姆接触金属均与有源区的源极电联通
一种带有电位 sic 功率器件终端结构

[发明专利]一种功率型三维LED发光器件及其制造方法-CN201510102053.9在审
发明人：刘胜;周圣军;甘志银;郑怀;王国平;占必红;郭凌杰;陈飞 -专利权人：武汉大学
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：芯片和散热基板，所述LED芯片的反射层上设有贯穿反射层、透明导电层、p型掺杂的GaN或AlGaN半导体层和多量子阱层，且盲端位于n型掺杂的GaN或AlGaN半导体层的盲孔；所述反射层上分开设有嵌入式n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极，嵌入式n型欧姆接触电极包括嵌入式n型欧姆接触电极层和用于填充盲孔的n型欧姆接触电极柱；所述散热基板上设有若干个导电导热通孔，导电导热通孔中填充有导电导热金属孔芯；所述嵌入式n型欧姆接触电极层和p型欧姆接触电极焊接于导电导热金属孔芯上。
一种功率三维 led 发光器件及其制造方法

[发明专利]GaN基器件欧姆接触电极的制备方法-CN201810166841.8有效
发明人：谭永亮;吕鑫;赵红刚;胡泽先;崔玉兴;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，该方法包括以下步骤：在器件的上表面生长第一介质层；在所述第一介质层与欧姆接触电极区对应的区域和所述器件的所述欧姆接触电极区注入硅离子和/或铟离子；在所述第一介质层的上表面生长第二介质层；通过高温退火工艺激活所述硅离子和/或所述铟离子，形成N型重掺杂；分别去除所述第一介质层和所述第二介质层与所述欧姆接触电极区对应的部分；在所述器件的所述欧姆接触电极区的上表面生长金属层，形成欧姆接触电极。本发明制备的欧姆接触电极能够保证金属层表面平整、边缘光滑整齐，器件击穿电压稳定、可靠性和寿命长。
gan 器件欧姆接触电极制备方法

[发明专利]一种光通信芯片欧姆接触电极的制作方法-CN202110121320.2有效
发明人：赵亮;葛婷;尹建峰 -专利权人：湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种光通信芯片欧姆接触电极的制作方法，包括如下步骤：在光通信芯片P面制作依次为Ti/Pt/Au单质金属的叠层欧姆接触电极；对上述P面Ti/Pt/Au欧姆接触电极进行P面合金化退火，P面合金化退火温度为T1；在光通信芯片N面制作依次为Ti/Pt/Au单质金属的叠层欧姆接触电极；对上述N面Ti/Pt/Au欧姆接触电极进行N面合金化退火，N面合金化退火温度为T2；上述P面合金化退火温度T1高于上述N面合金化退火温度采用本发明的欧姆接触电极制作工艺可以得到工艺稳定、接触电阻低的欧姆接触电极，且匹配了解理切割工艺，最终获得了性能稳定、芯片外观优良、成品率高的光通信芯片。
一种光通信芯片欧姆接触电极制作方法

[发明专利]LED反射电极及其制作方法-CN201710104135.6有效
发明人：何鹏 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：反射电极及其制作方法，方法依次包括：采用负性光刻胶做出电极图形并显影，负性光刻胶呈现倒梯形；保持蒸镀腔的压力为10⁵torr至10⁶torr，温度为10℃至30℃，依次蒸镀欧姆接触金属层、反射金属层、连接金属层和隔离金属层；保持蒸镀腔的压力为10⁵torr至10⁶torr，将蒸镀腔的温度升高到100℃‑150℃，在隔离金属层上方蒸镀焊接金属层，负性光刻胶产生玻璃化，倒梯形状的负性光刻胶向欧姆接触层、反射金属层、连接金属层和隔离金属层的方向回缩，使得焊接金属层将欧姆接触层、反射金属层、连接金属层和隔离金属层包覆起来。如此，将反射金属层与外界隔绝，有利于提高反射电极的可靠性。
led 反射电极及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓异质结双向开关器件-CN201711118998.5在审
发明人：陈万军;施宜军;崔兴涛;李茂林;刘杰;刘超;周琦;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了一种无欧姆接触的氮化镓双向开关器件，可避免高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。本发明基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触和肖特基漏极接触。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件工艺可以与传统的CMOS工艺兼容。
一种氮化镓异质结双向开关器件

[发明专利]一种利用杂化异质结实现有机半导体器件欧姆接触的方法-CN202210830363.2在审
发明人：杨金彭;汤庆苏;陈斌 -专利权人：扬州大学
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用杂化异质结实现有机半导体器件欧姆接触的方法，所述有机半导体器件包括金属电极层，电子注入层，发光层，空穴传输层，过渡金属氧化物层，超薄插入层和ITO层，所述插入层材料为C60、NTCDA或TCTA，插入层的厚度为3‑10nm；所述实现该有机半导体器件欧姆接触的方法通过在过渡金属氧化物层表面采样热蒸发法蒸镀插入层，从而形成异质结界面层，实现有机光电器件界面层欧姆注入，提升半导体光电器件的性能，此外，利用非掺杂层来构筑的欧姆注入界面有利于提升器件的稳定性。
一种利用杂化异质结实现有半导体器件欧姆接触方法

[发明专利]一种SiC高压功率器件欧姆接触的制备方法-CN201710801669.4在审
发明人：李志强;徐星亮;李俊焘;张林;代刚 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提出的一种SiC高压功率器件欧姆接触的制备方法，通过采用杂质分凝技术(dopant segreation)改善金属/SiC欧姆接触性能；杂质分凝技术能实现对肖特基势垒的有效调制，同时还能提高界面处杂质的激活浓度，进而非常有利于实现金属/SiC理想的欧姆接触；而且该方法能够通过注入n型和p型杂质分别实现对电子、空穴势垒的调节，进而都适用于n‑SiC和p‑SiC的欧姆接触，利于基于SiC衬底同时实现n型和p型欧姆接触
一种 sic 高压功率器件欧姆接触制备方法

[发明专利]一种选区刻蚀再生长4H-SiC雪崩光电探测器-CN202310949932.X在审
发明人：周东;陆海 -专利权人：苏州镓敏光电科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型选区刻蚀再生长4H‑SiC雪崩光电探测器，通过选区刻蚀再生长方式，使雪崩区的本征层厚度小于欧姆接触区的本征层厚度，有效分离欧姆接触金属电极与感光区的本征层电场强度，使感光区的本征层电场强度达到临界电场时，欧姆接触金属电极下方的电场强度依然处于较低的电场强度，且欧姆电极位于低场区，对高场区的感光面积无遮挡。解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面制备工艺窗口小、可靠性差的缺点，有效降低了欧姆电极下方的电场强度，可靠性好，且器件填充因子高。
一种选区刻蚀再生 sic 雪崩光电探测器

[发明专利]二维电子材料单臂梁器件及其制备方法-CN201210331607.9有效
发明人：肖柯;吕宏鸣;伍晓明;钱鹤;吴华强 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种二维电子材料单臂梁器件及其制备方法，器件包括：衬底；衬底上形成有第一金属电极图形；衬底和第一金属电极图形上形成有介质层，介质层形成有第一通孔图形；介质层上形成有第二金属电极图形，第二金属电极图形中的第二金属电极未覆盖第一通孔图形中的第一通孔；第二金属电极图形上形成有二维电子材料图形，二维电子材料图形中的二维电子材料层部分覆盖位于第一通孔一侧的第二金属电极上、且部分悬空于该第一通孔中；二维电子材料图形和第二金属电极图形上还形成有欧姆接触层图形，欧姆接触层图形中的欧姆接触层覆盖在二维电子材料层与第二金属电极重叠部位的上方、且该欧姆接触层与该第二金属电极接触。
二维电子材料单臂梁器件及其制备方法