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[发明专利]AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法-CN201810175259.8在审
发明人：李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，包括以下步骤：(1)利用光刻技术，AlGaN/GaN异质结外延片表面制备出源漏欧姆接触窗口；(2)采用ICP刻蚀的方法，对欧姆接触区域进行干法刻蚀，完全去除AlGaN层，并刻蚀至GaN沟道层往下5～20nm处；(3)在源漏区域依次沉积金属Al层、金属Ti层、金属Au层；(4)去胶剥离后，于600～750℃进行合金退火处理，形成欧姆接触电极。相比于传统欧姆接触电极金属体系，本发明的欧姆接触电极合金温度下降了200℃左右，降低了工艺难度，合金后的欧姆接触表面形貌更加平整。
欧姆接触电极合金制备形貌欧姆接触表面欧姆接触区域金属异质结外延表面制备沉积金属干法刻蚀工艺难度光刻技术金属体系欧姆接触退火处理源漏区域刻蚀去除去胶源漏剥离平整

[发明专利]一种沟槽碳化硅MPS二极管结构及制备方法-CN202210504538.0在审
发明人：孟繁新;陆超;袁强;贺晓金;王海锐;王博;余文兴;张浩宇;何静 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽碳化硅MPS二极管结构及制备方法，包括：碳化硅欧姆接触金属，碳化硅欧姆接触金属位于P+沟槽区上，碳化硅欧姆接触金属与沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属，碳化硅肖特基接触金属位于碳化硅外延层及碳化硅欧姆接触金属上方并沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属与碳化硅外延层界面肖特基接触区的沟槽配合结构能够有效增大肖特基接触区的面积，从而有效进一步降低器件的正向导通压降，增大器件的电流密度；而P+沟槽区与碳化硅欧姆接触金属界面欧姆接触区的沟槽沟槽配合结构增加了欧姆接触区域的面积
一种沟槽碳化硅 mps 二极管结构制备方法

[发明专利]厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构、方法及射频系统-CN202310032308.3有效
发明人：詹利宏;何磊 -专利权人：四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构、方法及射频系统，结构包括多个导体层和位于相邻导体层的陶瓷基板；底层的导体层为金属地层，顶层的导体层设有欧姆微带线，中间导体层设有欧姆微带线，各欧姆微带线通过金属化过孔连通，并连通金属地层；相邻两个欧姆微带线宽度不同，金属化过孔孔径与欧姆微带线宽度匹配，相邻两个欧姆微带线所在导体层之间的金属化过孔孔径光滑渐变；金属化过孔周侧设有多个贯通的接地孔，接地孔连通金属地层；欧姆微带线均连接有阻抗调节枝节采用渐变孔径的金属化过孔实现不同阻抗之间连接的阻抗匹配，并设阻抗匹配枝节，解决由于厚膜电路烧制出现的热胀冷缩引起过孔和微带线之间连接错位而带来的阻抗失配问题。
电路多层连接阻抗匹配结构方法射频系统

[实用新型]一种沟槽碳化硅MPS二极管结构-CN202221108279.1有效
发明人：孟繁新;陆超;袁强;贺晓金;王海锐;王博;余文兴;张浩宇;何静 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽碳化硅MPS二极管结构，包括：碳化硅欧姆接触金属，碳化硅欧姆接触金属位于P+沟槽区上，碳化硅欧姆接触金属与沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属，碳化硅肖特基接触金属位于碳化硅外延层及碳化硅欧姆接触金属上方并沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属与碳化硅外延层界面肖特基接触区的沟槽配合结构能够有效增大肖特基接触区的面积，从而有效进一步降低器件的正向导通压降，增大器件的电流密度；而P+沟槽区与碳化硅欧姆接触金属界面欧姆接触区的沟槽沟槽配合结构增加了欧姆接触区域的面积
一种沟槽碳化硅 mps 二极管结构

[发明专利]一种Ge的N型欧姆接触制作方法-CN201611072571.1在审
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公布了一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，该方法的步骤如下在重掺杂的N型锗半导体上定义出欧姆接触区与非欧姆接触区；在欧姆接触区蒸发金属镍锡金属，并进行剥离工艺；然后进行合金工艺，使得镍锡与N型锗半导体形成半金属化合物；最后制作源漏电极金属镍/铝金属。
一种 ge 欧姆接触制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置-CN201710131906.0有效
发明人：张慧;林允植;严允晟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以使得有源层不与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层直接接触，从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，从而提高垂直型非晶硅薄膜晶体管中有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触效果本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：源极金属层，位于所述源极金属层之上的第一欧姆接触层，位于所述第一欧姆接触层之上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层之上且与所述第一欧姆接触层接触的有源层，位于所述有源层之上的第二欧姆接触层；位于所述第二欧姆接触层之上的漏极金属层。
一种薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管-CN202210717160.2在审
发明人：刘国梁;方雪冰;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管，制作工艺包括以下步骤：提供衬底；在衬底的一侧表面上外延生长以形成势垒层；在势垒层上注入离子以形成P+区域；采用物理气相沉积法或化学气相沉积法，将低功函数的金属沉积于P+区域上，以形成第一欧姆接触金属层；在势垒层上溅射高功函数的合金，并进行退火处理，以同时形成第二欧姆接触金属层及肖特基接触金属层，第二欧姆接触金属层沉积于第一欧姆接触金属层上，肖特基接触金属层沉积于第二欧姆接触金属层上本发明解决了肖特基二极管制作工艺中正向浪涌欧姆大的问题。
垂直结构肖特基二极管制作工艺

[发明专利]微型发光二极管及显示面板-CN202110126252.9有效
发明人：林子旸;曾彦钧;周芸瑄;陈飞宏;蔡百扬;陈建智 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种微型发光二极管及显示面板，微型发光二极管包括外延层、第一接垫、第二接垫、第一欧姆接触金属、第二欧姆接触金属以及至少一蚀刻保护导电层。第一欧姆接触金属设置于第一型半导体层以及第一接垫之间。第二欧姆接触金属设置于第二型半导体层以及第二接垫之间。至少一蚀刻保护导电层设置于第一欧姆接触金属以及第一接垫之间和/或第二欧姆接触金属以及第二接垫之间。
微型发光二极管显示面板

[发明专利]一种低阻高反射欧姆接触电极及其制备方法-CN202210267283.0在审
发明人：江灏;孙悦;卢家冰;吕泽升 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种低阻高反射欧姆接触电极，包括p型半导体晶片，所述p型半导体晶片上沉积有金属电极层；还包括依次沉积于p型半导体晶片表面的第一金属银层、金属镍层、第二金属银层和金属铝层，所述第一金属银层与p型半导体晶片上的金属电极层接触。本发明还公开了一种低阻高反射欧姆接触电极的制备方法。本发明采用金属银‑金属镍‑金属银薄膜叠层形成低阻、高光透射的欧姆接触，并与铝膜结合，以制备欧姆接触电极，具有制备方法简单、电导率高、欧姆接触电阻率低、反射率高的有益效果。
一种低阻高反射欧姆接触电极及其制备方法

[发明专利]一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法-CN202211024320.1在审
发明人：刘志宏;赵雪利;许淑宁;何佳琦;邢伟川;侯松岩;张苇杭;周瑾;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，该方法包括：在氮化镓HEMT晶圆上淀积不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明欧姆金属与氮化镓HEMT晶圆表面的三族氮化物材料反应，三族氮化物材料中的氮缺失，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；用酸洗的方法去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明欧姆接触材料，与具有大量氮空位、形成N型重掺杂的三族氮化物形成良好的欧姆接触。常规氮化镓HEMT制备方法中通过高温退火使金属电极与异质结形成欧姆接触，但是金属电极不透明；而采用透明材料作为电极时，通过高温退火无法与氮化镓HEMT结构形成良好的欧姆接触。
一种透明氮化 hemt 欧姆接触制备方法

[发明专利]一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法与应用-CN201310214336.3有效
发明人：刘青;汤庆敏;沈燕;任忠祥;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器芯片欧姆接触电极，包括在半导体激光器芯片上制备有欧姆接触电极，所述的欧姆接触电极包括由下而上依次制备的多种单质金属层，在相邻不同种类单质金属层之间制备有含该相邻两种单质金属的混合金属层本发明所述的单质金属层的金属为可用于蒸镀欧姆接触电极金属，属于现有公知技术。本发明针对目前GaAs半导体激光器芯片制备，提出了一种新的欧姆接触电极的制作方法，具有粘附性好、金属层间应力小，能够有效的促进金属薄膜层间的相变以及高温下的互扩散，有利于金属系的混合层化以及抗热疲劳、耐冲击的能力，从而提高了GaAs半导体激光器芯片欧姆接触性能、散热能力、可靠性和寿命。
一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法应用

[发明专利]半导体器件-CN202111052909.8有效
发明人：林坤;杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：该半导体器件包括衬底、位于衬底上的半导体叠层、位于半导体叠层上且间隔排布的源极欧姆金属和漏极欧姆金属、与源极欧姆金属接触连接的源极互连金属、与漏极欧姆金属接触连接的漏极互连金属、位于源极互连金属与漏极互连金属之间且与半导体叠层接触连接的栅极金属，以及位于半导体叠层上且与源极互连金属形成金属互连的源场板；其中，源场板位于源极互连金属和漏极互连金属之间，源场板至漏极欧姆金属的距离小于源场板至漏极互连金属的距离。
半导体器件

[发明专利]一种插入层复合结构及其制作方法-CN201410671215.6在审
发明人：汤益丹;申华军;白云;周静涛;杨成樾;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种插入层复合结构及其制作方法，涉及宽禁带材料欧姆接触形成技术领域，解决了现有技术中欧姆接触电阻率测量可重复性差、器件稳定性不强以及在宽禁带半导体材料上欧姆接触形成难、欧姆接触电阻率高的问题所述插入层复合结构位于SiC衬底与金属盖层之间，包括采用特殊材料形成的电流输运层和特定元素组分配比的欧姆接触金属层；所述电流输运层位于SiC衬底之上，所述欧姆接触金属层位于电流输运层之上；所述插入层复合结构由所述欧姆接触金属层通过合金退火方式形成的特定化学成分配比的碳化物和硅化物扩散进入所述电流输运层混合而成本发明适用于在宽禁带半导体材料上同时形成P型和N型欧姆接触，或者单独形成P型或N型欧姆接触。
一种插入复合结构及其制作方法

[发明专利]一种倒装结构芯片的制作方法-CN201811145973.9在审
发明人：张文杰;谢亮;金湘亮 -专利权人：江苏芯力特电子科技有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：作为衬底依次外延生长u‑GaN层、n‑AlGaN层、多量子阱层以及p‑GaN层或p‑AlGaN层；去除部分区域的p‑GaN层或p‑AlGaN层以及多量子阱层和部分n‑AlGaN层；在n‑AlGaN层上制作n型欧姆接触金属；去除n‑AlGaN层上的n型欧姆接触金属；在p‑GaN层或p‑AlGaN层上制作p型欧姆接触层；在p型欧姆接触层上制作金属阻挡层；在n‑AlGaN层上光刻出欧姆接触部分，生长n型欧姆接触层；通过后续加工制得本发明将传统的蓝宝石衬底用钨钼铜合金替换，不仅降低生产成本且简化了加工工艺；明显改善p型欧姆接触和n型欧姆接触特性，提高p面欧姆接触金属粘附性，降低芯片电压，提高芯片稳定性，提高生产率。
制作多量子阱层倒装结构铜合金衬底去除钨钼芯片欧姆接触金属金属阻挡层芯片稳定性后续加工欧姆接触外延生长芯片电压蓝宝石传统的粘附性上光替换生长

[发明专利]GaN基器件中阻止欧姆接触铝元素横向扩散的方法-CN201510690873.4在审
发明人：王鑫华;黄森;魏珂;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基器件中阻止欧姆接触铝元素横向扩散的方法，将欧姆接触铝元素淀积在耐高温的氮化硅介质孔中，通过氮化硅介质阻挡欧姆接触铝元素的横向扩散，进而实现欧姆合金时的表面保护，降低界面污染和界面态该方法包括：在外延材料表面生长耐高温的氮化硅介质；对覆盖在欧姆金属图形区域的氮化硅介质进行开孔；在氮化硅介质的开孔中蒸发欧姆接触金属形成金属堆叠，其中氮化硅介质的上表面不低于开孔区域中堆叠的金属铝层的上表面本发明解决了GaN基器件欧姆接触制备中出现铝元素横向扩散问题，从而避免了高温合金工艺中材料表面污染恶化器件性能的风险，进而实现了欧姆合金时的表面保护，降低了界面污染和界面态。
gan 器件阻止欧姆接触元素横向扩散方法