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[发明专利]纳米线GaN高电子迁移率晶体管-CN201710258506.6有效
发明人：李国强;刘智崑;李媛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米线GaN高电子迁移率晶体管，由下至上依次包括衬底、GaN薄膜、AlGaN纳米线、绝缘层薄膜；所述AlGaN纳米线的上方设有源极和漏极；所述绝缘层薄膜的上方设有栅极。本发明利用纳米线具有超强韧性的物理性质，达到抑制高压下材料内部产生缺陷的效果；利用纳米线中位错容易移动到表面而湮灭的原理，从而实现在高压工作时的自修复的效果，是一种能够避免或大幅度延迟器件在高电压工作时产生的不可逆失效现象的有效结构。
纳米 gan 电子迁移率晶体管

[发明专利]氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法-CN201711287917.4有效
发明人：李国强;刘智崑;陈丁波;万利军 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法，在氮气氛围下，采用激光扫描含钛金属电极，通过激光引发含钛金属电极与氮气的化学反应，形成氮化钛欧姆接触；单位面积含钛金属电极的总化学反应时间小于0.01s。本发明所获得的欧姆接触的接触电阻小，反应时间短，而且GaN薄膜材料的电性能不受影响。本发明是一种快速的氮化镓器件欧姆接触制备方法，对于实现高性能的氮化镓电子器件同时提高生产效率有重要的意义。
氮化电子器件欧姆接触制备方法

[发明专利]一种HEMT器件纳米栅极的制备方法-CN201810174666.7有效
发明人：李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种HEMT器件纳米栅极的制备方法，在HEMT器件的制作过程中，利用Ag纳米线作为掩模，进行源漏电极金属沉积；之后采用NH3·H2O、H2O2、H2O混合溶液超声清洗的方法去除Ag纳米线，在源漏电极之间形成与Ag纳米线尺度相当的狭缝，最后在所述狭缝中制备纳米栅电极。本发明制备的HEMT器件具有低的栅源导通电阻，高的功率密度和频率响应，并且具有工艺简单、成本低廉的优点，对于实现高性能氮化镓基器件具有重要意义。
一种 hemt 器件纳米栅极制备方法

[发明专利]一种LED倒装芯片的封装工艺-CN201811020979.3有效
发明人：张万功;尹梓伟;李国强;张曙光;刘智崑;王文樑;郭康贤 -专利权人：东莞中之光电股份有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED倒装芯片的封装工艺，包括如下步骤：(1)在LED倒装芯片的N电极和P电极分别设置用于倒装焊键合的金属凸点；(2)提供一芯片基板，在芯片基板上设置分别用于连接外部电路的正、负电极的金属凸台；(3)将N电极上的金属凸点及N电极上的金属凸点分别与基板上对应的金属凸台对应进行共晶连接；(4)用荧光胶将芯片基板上的LED倒装芯片包覆，固化，得到封装好的LED倒装芯片；所述步骤(4)中，固化采用三级固化。本发明的封装工艺通过采用三级固化，固化效果好，不影响LED倒装芯片的出光效率，且固化后的胶体表面具有较高的硬度和强度，耐磨耐冲击。
一种 led 倒装芯片封装工艺

[实用新型]一种辅助掺杂实现常关型GaN HEMT器件-CN201920359196.1有效
发明人： 刘智崑;万利军;李国强;陈丁波;孙佩椰;阙显沣;姚书南;李润泽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开一种辅助掺杂实现常关型GaN HEMT器件，包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层、P型AlGaN掺杂层、SiN钝化保护层、源电极、漏电极以及栅电极；硅衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层依次层叠；P型AlGaN掺杂层为金属镁在AlGaN层的上表面向下扩散形成的；SiN钝化保护层沉积在P型AlGaN掺杂层上表面以及AlGaN势垒层的上表面；所述源电极和漏电极分别与AlGaN势垒层的上表面两端接触；栅电极与沉积在P型AlGaN掺杂层上表面的SiN钝化保护层接触。本实用新型具有器件性能稳定可重复的优点，对于实现高阈值电压大饱和电流常关型GaN HEMT器件有重要意义。
一种辅助掺杂实现常关型 gan hemt 器件

[实用新型]镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件-CN201920359211.2有效
发明人：李国强;万利军;刘智崑;陈丁波;孙佩椰;阙显沣;姚书南;李润泽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件，包括硅衬底、GaN外延层、AlxGa1‑xN势垒层、P型AlGaN掺杂层、栅电极、源电极以及漏电极；P型AlGaN掺杂层为金属镁在AlxGa1‑xN势垒层的上表面向下扩散形成的；AlxGa1‑xN势垒层中的x表示Al元素含量，x的取值范围为0.01‑0.5；栅电极与P型AlGaN掺杂层的上表面接触；源电极以及漏电极分别与AlxGa1‑xN势垒层上表面的两侧接触。本实用新型利用金属镁热扩散技术，实现栅电极下方AlxGa1‑xN势垒层的P型掺杂，该器件结构简单、成本低廉的优点，对于实现高性能GaN基HEMT器件具有重要意义。
掺杂制备增强 gan hemt 器件

[实用新型]用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置-CN201920419968.6有效
发明人：李国强;孙佩椰;刘智崑;万利军;陈丁波;阙显沣;姚书南;李润泽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置。本实用新型提供的装置包括电感耦合等离子体刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、机械泵及分子泵；电流检测装置与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；电感线圈与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；射频源与电感线圈连接；机械泵和分子泵与电感耦合等离子体刻蚀腔连接。该装置在制备HEMT器件的过程中，当显示电流为零时，二维电子气沟道被关断，达到刻蚀终点，避免过度刻蚀造成栅极漏电及损伤二维电子气沟道，实现精准刻蚀。本实用新型仅额外接一个电流检测装置，无需增添额外的操作步骤，即可实现精确刻蚀，操作简便，有利于提高增强型HEMT器件产品良率，具有很高的实用价值。
电感耦合等离子体刻蚀电流检测装置本实用新型电感线圈二维电子气沟道分子泵机械泵射频源刻蚀制备增强型HEMT器件增强型器件漏电产品良率过度刻蚀刻蚀终点刻蚀装置关断零时损伤

[实用新型]一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件-CN201920379975.8有效
发明人：李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，所述HEMT功率器件主体采用外延硅衬底上的AlGaN/GaN异质结外延结构，包括由外延缓冲层，GaN沟道层，Al
势垒层栅电极电极漏电极源电极功率器件外延硅衬底多晶氮化镓基器件本实用新型外延缓冲层异质结外延高可靠性区域形成重要意义沉积制作生长应用

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管与垂直结构发光二极管的单片集成方法-CN201810611358.6有效
发明人：李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管与垂直结构发光二极管的单片集成方法。在MOCVD外延生长全结构LED之后，继续原位生长HEMT异质结结构，得到集成外延芯片。然后通过选区刻蚀后金属互联的方式将HEMT的漏电极与LED的P电极连接，再转移衬底，实现垂直LED结构。最后通过开孔刻蚀的方法引出HEMT的源、栅电极结构，并制备LED的N电极结构，最终实现HEMT与垂直结构LED的单片集成。该集成单元不仅能够实现大功率垂直结构LED的电压控制，而且能够充分发挥GaN功率器件高频、高功率的优势，有利于实现集成电路中的微型化、低成本、高效率的智能照明、智能显示及可见光通信系统。
单片集成垂直结构发光二极管高电子迁移率晶体管垂直结构LED 刻蚀可见光通信系统微型化异质结结构栅电极结构电压控制集成单元外延生长外延芯片原位生长智能显示智能照明低成本高功率高效率漏电极衬底开孔制备集成电路选区垂直互联金属

[实用新型]具有三明治结构的GaN-HEMT器件-CN201920379225.0有效
发明人：李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有三明治结构的GaN‑HEMT器件，所述GaN‑HEMT器件包括外延层和电极，所述外延层包括GaN沟道层和Al_yGa_1‑yN势垒层，并自上而下排布；所述电极包括栅电极、源电极、漏电极和场板电极，场板电极和栅电极分别制作于外延层的上表面和下表面，场板电极延伸超过外延层的区域与栅电极相连接形成三明治结构，源电极和漏电极分别位于所述外延层的两端。在保证导电沟道完整性的同时，使器件的导电沟道受到下栅极和上场板的场效应控制。具有三明治结构的GaN‑HEMT器件提高了器件的击穿电压和栅压摆幅，提高了器件的线性度和耐压性能。
外延层三明治结构场板电极栅电极导电沟道电极漏电极源电极本实用新型击穿电压耐压性能场效应上表面势垒层下表面线性度摆幅排布栅压延伸制作保证

[发明专利]具有三明治结构的GaN-HEMT器件及其制备方法-CN201910223719.4在审
发明人：李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三明治结构的GaN‑HEMT器件及其制备方法。所述GaN‑HEMT器件包括外延层和电极，所述外延层包括GaN沟道层和Al_yGa_1‑yN势垒层，并自上而下排布；所述电极包括栅电极、源电极、漏电极和场板电极，场板电极和栅电极分别制作于外延层的上表面和下表面，场板电极延伸超过外延层的区域与栅电极相连接形成三明治结构，源电极和漏电极分别位于所述外延层的两端。在保证导电沟道完整性的同时，使器件的导电沟道受到下栅极和上场板的场效应控制。具有三明治结构的GaN‑HEMT器件提高了器件的击穿电压和栅压摆幅，提高了器件的线性度和耐压性能。
外延层三明治结构场板电极栅电极导电沟道电极漏电极源电极制备击穿电压耐压性能场效应上表面势垒层下表面线性度摆幅排布栅压延伸制作保证

[发明专利]用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法-CN201910252334.0在审
发明人：李国强;孙佩椰;刘智崑;万利军;陈丁波;阙显沣;姚书南;李润泽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法。本发明提供的装置包括电感耦合等离子体刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、机械泵及分子泵；电流检测装置与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；电感线圈与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；射频源与电感线圈连接；机械泵和分子泵与电感耦合等离子体刻蚀腔连接。该装置在制备HEMT器件的过程中，当显示电流为零时，二维电子气沟道被关断，达到刻蚀终点，避免过度刻蚀造成栅极漏电及损伤二维电子气沟道，实现精准刻蚀。本发明仅额外接一个电流检测装置，无需增添额外的操作步骤，即可实现精确刻蚀，操作简便，有利于提高增强型HEMT器件产品良率，具有很高的实用价值。
电感耦合等离子体刻蚀刻蚀电流检测装置电感线圈制备二维电子气沟道增强型器件刻蚀装置分子泵机械泵射频源增强型HEMT器件漏电产品良率过度刻蚀刻蚀终点关断零时损伤

[发明专利]镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法-CN201910215307.6在审
发明人：李国强;万利军;刘智崑;陈丁波;孙佩椰;阙显沣;姚书南;李润泽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法。所述方法包括以下步骤：（1）在AlxGa1‑xN势垒层上方光刻出栅电极接触窗口；（2）采用电子束蒸发/热蒸发/磁控溅射的方法在光刻后的表面沉积金属镁；（3）采用剥离工艺对未曝光的光刻胶进行剥离；（4）采用热退火工艺对沉积镁的外延片进行热退火的扩散掺杂；（5）通过配制稀盐酸将退火后的表面金属镁进行去除，得到增强型GaN基HEMT器件。本发明利用金属镁热扩散技术，实现栅电极下方AlxGa1‑xN势垒层的P型掺杂，制备出增强型GaN基HEMT器件。该制备方法具有工艺简单、成本低廉的优点，对于实现高性能GaN基HEMT器件具有重要意义。
制备增强型镁掺杂热退火势垒层光刻表面沉积金属退火电子束蒸发热扩散技术栅电极接触剥离工艺表面金属磁控溅射扩散掺杂重要意义光刻胶金属镁热蒸发外延片稀盐酸栅电极沉积去除配制剥离曝光

[发明专利]沉积多晶AlN的常关型HEMT功率器件及其制备方法-CN201910223702.9在审
发明人：李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件及其制备方法。所述HEMT功率器件主体采用外延硅衬底上的AlGaN/GaN异质结外延结构，包括由外延缓冲层，GaN沟道层，Al_yGa_1‑yN势垒层，并在外延硅衬底上依次生长形成，在Al_yGa_1‑yN势垒层上制作电极，所述电极包括栅电极、源电极和漏电极，栅电极制作于Al_yGa_1‑yN势垒层上，位于源电极和漏电极之间；在源电极和栅电极之间、栅电极和漏电极之间的Al_yGa_1‑yN势垒层上电极之外的区域形成一层多晶AlN层；所述HEMT功率器件为常关型。对于高性能、高可靠性氮化镓基器件的更广泛应用具有重要意义。
势垒层栅电极功率器件电极漏电极源电极多晶外延硅衬底沉积制备氮化镓基器件外延缓冲层异质结外延高可靠性区域形成重要意义制作生长应用

[发明专利]辅助掺杂实现常关型GaN HEMT器件及其制备方法-CN201910215312.7在审
发明人： 刘智崑;万利军;李国强;陈丁波;孙佩椰;阙显沣;姚书南;李润泽 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了辅助掺杂实现常关型GaN HEMT器件及其制备方法。该方法包括以下步骤：（1）在AlGaN势垒层上光刻栅电极接触窗口；（2）对栅电极接触窗口进行微刻蚀处理；（3）在光刻区域蒸镀金属镁；（4）剥离未曝光的光刻胶；（5）进行热掺杂处理；（6）沉积SiN钝化保护层；（7）采用光刻技术制备源漏栅电极；（8）制备欧姆接触电极、肖特基接触电极，得到GaN HEMT器件。本发明利用感应耦合等离子体刻蚀机对栅电极接触窗口区域进行微刻蚀处理辅助掺杂来实现常关型GaN HEMT器件。该制备方法有辅助掺杂效率高、器件性能稳定可重复的优点，对于实现高阈值电压大饱和电流常关型GaN HEMT器件有重要意义。
制备掺杂电极接触微刻蚀对栅感应耦合等离子体刻蚀机欧姆接触电极钝化保护层高阈值电压肖特基接触饱和电流窗口区域光刻技术器件性能重要意义电极光刻胶金属镁可重复栅电极上光光刻刻栅源漏蒸镀沉积剥离曝光

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