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[发明专利]一种染料敏化太阳能电池的光阳极及其制备方法-CN201310190684.1无效
发明人：施利毅;袁帅;楼燕燕;王竹仪;赵尹;张美红 -专利权人：东莞上海大学纳米技术研究院;上海大学
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的光阳极，其特征在于：其包含染料敏化的半导体材料外，还包括修饰于所述半导体材料上的纳米金属颗粒及吸附于所述纳米金属颗粒表面的有机小分子和染料。所述有机小分子吸附于所述纳米金属颗粒表面的空缺位置处。采用有机小分子表面处理金属颗粒表面，可以有效抑制界面复合，提高器件性能。还公开了染料敏化太阳能电池的光阳极的方法；在染料敏化太阳能电池光阳极的半导体表面修饰上纳米金属颗粒，然后吸附染料，最后再用有机小分子表面处理的方式在金属颗粒表面空缺位置吸附有机小分子。
一种染料太阳能电池阳极及其制备方法

[发明专利]有机半导体微纳米晶阵列、制法及其在光伏电池中的应用-CN201110068457.2有效
发明人：闫东航;于波;陈为超 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了有机半导体微纳米晶阵列、制法及其在光伏电池中的应用。利用不同种类的有机半导体分子间相互作用能不同，在真空沉积时，相同种类的分子容易相互吸引并形成为微纳米晶。OVPD方法利用载气运输微纳米晶分子，直接在小于50℃的衬底上沉积形成纳米晶。本发明的有机半导体微纳米晶阵列制法优点是真空沉积，工艺简单，构成阵列的微纳米晶尺寸和分布可调控，使得含有微纳米晶阵列的有机光伏电池性能提高。本发明提供的含有有机半导体微纳米晶阵列的有机光伏电池提高了器件对入射光的吸收以及器件中载流子的传输效率，提高光伏电池的短路电流和填充因子，使器件的能量转换效率从1.5％提高至3.0％。
有机半导体纳米阵列制法及其电池中的应用

[发明专利]有机存储器-CN201010134970.2无效
发明人：施毅;李昀;邱旦峰;曹立强;潘力嘉;濮林 -专利权人：南京大学
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及有机存储器，基于自组装材料，具有非挥发存储效应。所述有机存储器包括上、下电极和置于上、下电极之间的功能层，所述功能层包括相互隔离的上、下有机半导体层和上、下有机半导体层中间的烷基三氯硅烷自组装分子层，所述烷基三氯硅烷自组装分子层与上、下有机半导体层相接触由于烷基三氯硅烷自组装分子层与有机半导体层界面处的陷阱电荷，能够起到对自组装材料层的势垒性质的调控，从而使得电荷穿越过这一势垒层的几率改变，最终得到具有电学存储效应的器件。
有机存储器

[发明专利]复合材料表面的导体或半导体部分无掩模局域化有机接枝的方法-CN02809323.2有效
发明人： C·布雷奥;S·帕拉辛;J·－P·布尔戈恩;S·阿穆尔;J·查利尔 -专利权人：法国原子能委员会
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： B05D1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种将可电活化的有机分子无掩模局域化接枝到含导体和/或半导体部分的复合材料表面的方法，包括使所述有机分子与所述复合材料表面接触，从而按电化学方式在单一步骤中在所述导体和/或半导体部分的选择、规定区域上进行接枝，所述区域被置于高于或等于相对于参考电极确定的阈值电位的电位，所述阈值电位是高于它时所述有机分子的接枝将发生的电位。
复合材料表面导体半导体部分无掩模局域有机接枝方法

[发明专利]基于噻吩吡咯并吡咯二酮和半靛族的可溶液加工共轭小分子半导体材料-CN201911038221.7在审
发明人：张国兵;余豪;陈瑞坤 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C07D519/00 文献下载
摘要：本发明公开了一类新型的以吡咯并吡咯二酮和半靛族单元为受体（A1和A2），以联噻吩桥为给体（D）的A2‑D‑A1‑D‑A2型共轭小分子半导体材料。这种新型的共轭小分子半导体材料具有明确的分子结构和分子量，无批次差异，同时具有溶液加工特性，成膜性能良好。有机薄膜晶体管器件表明这种结构的半导体具有电子传输特性，同时光谱吸收覆盖可见光并延伸至近红外领域，因此是一类可溶液加工的，在有机薄膜晶体管、有机光伏以及有机热电等有机电子领域具有广阔的应用前景。
基于噻吩吡咯半靛族溶液加工共轭分子半导体材料

[发明专利]一种高电荷密度有机半导体分子及其制备方法与应用-CN202310824561.2在审
发明人：陈小松;胡永旭;李立强;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C07D495/14 文献下载
摘要：本发明提出了一种高电荷密度有机半导体分子及其制备方法与应用，属于有机半导体技术领域。利用钯催化交叉偶联反应实现2,6‑二苯基二噻吩[3,2‑B:2',3'‑D]噻吩母体分子的F原子的不同取代位置，验证了F原子取代位置的不同可以调节半导体的电荷密度。该制备方法简单，通过本发明方法制备得到的具有高的电荷密度的有机半导体分子在制备有机场效应晶体管时可以调节器件的阈值电压，在温度传感、光探测、数据存储等诸多领域具潜在的应用。
一种电荷密度有机半导体分子及其制备方法应用

[发明专利]一种有机电子器件-CN201210129781.5有效
发明人：刘云圻;张磊;吴倜;赵岩;孙向南;温雨耕;郭云龙;于贵 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电子器件。所述电子器件由下至上包括依次叠加的栅电极、栅绝缘层、有机存储层、有机半导体层以及位于同一层的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间不接触；所述有机存储层由有机共轭分子组成；所述有机半导体层为并五苯或聚噻吩类有机聚合物本发明通过引入具备电荷存储特性的有机存储层，与具备场效应半导体特性和光电导特性的有机半导体层组成多层结构，在写入电压的影响下，将光生载流子吸收到有机存储层中保留起来；存储的光生载流子在有机半导体层诱导出同等密度电荷，这样通过测量有机半导体的电导性，无损的读出光信号强弱。
一种有机电子器件

[发明专利]有机半导体组合物、有机薄膜晶体管、以及电子纸及显示装置-CN201480029667.2有效
发明人：松下泰明;松村季彦 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供一种不会使有机薄膜晶体管的迁移率大幅下降而提高有机薄膜晶体管的绝缘可靠性的有机半导体组合物、使用上述有机半导体组合物来形成的有机薄膜晶体管、以及使用上述有机薄膜晶体管的电子纸及显示装置。本发明的有机半导体组合物含有有机半导体材料；及含F迁移抑制剂，其选自由通式(1)～(8)中的任意一式所表示的化合物、包含通式(A)所表示的重复单元的高分子化合物(X)、以及包含通式(B)所表示的重复单元及通式(C)所表示的重复单元的高分子化合物(Y)组成的组。
有机半导体组合有机薄膜晶体管以及电子显示装置

[发明专利]有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用-CN200610016822.4有效
发明人：闫东航;王海波;朱峰;史建武;宋德 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2006-04-29 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法。有机半导体晶体薄膜，既可以是n型半导体，也可以是p型半导体；本发明的有机半导体晶体薄膜有机半导体晶体中的分子站立在有序基板上取向排列，与有序基板存在取向关系。本发明制备有机半导体晶体薄膜可用于有机晶体管和有机光电三极管器件。本发明制备方法的优点是能够控制有机半导体晶体的高载流子迁移率方向在薄膜内取向有序，增强晶体之间的接触，提高薄膜的机械强度和微加工性质，载流子迁移率高，本发明弱取向外延生长薄膜为0.24cm^2<
有机半导体晶体薄膜取向外延生长制备方法应用

[发明专利]封装分子过滤层的三维大孔结构制备H2S敏感材料的方法-CN202110295706.5有效
发明人：徐琳;周青青;董彪;白雪;宋宏伟 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了封装金属有机框架(MOF)分子过滤层的三维大孔结构制备H2S敏感材料的方法，包括：制备氧化物半导体前驱体溶液；利用自模板牺牲法制备具有三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料；制备有机配体溶液；将制得的具有三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料放入有机配体溶液中，形成具有MOF分子过滤层封装的三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料；利用贵金属修饰具有MOF分子过滤层封装的三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料，形成具有贵金属修饰的MOF分子过滤层封装的三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料；本发明提供的敏感材料制备的传感器具有高响应灵敏度和低检测下限的特性，同时能够提升选择性，降低干扰气体的交叉响应。
封装分子过滤三维结构制备 h2s 敏感材料方法

[发明专利]精准氧杂并苯功能分子材料的制备方法及其应用-CN201810477323.8有效
发明人：曾泽兵;邦雅文;洪有华;刘承斌;陈娴;王燕培 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C07D493/22 文献下载
摘要：本发明公开了一类氧杂并苯功能分子的有机半导体材料，该类有机功能材料为一系列氧杂并苯功能分子。该类化合物具有独特的线性π电子离域特性，有利于载流子的传输，并获得更高的稳定性，是一类独特的有机半导体材料。此外，本发明还介绍了一种一锅法制备氧杂并苯功能分子材料。该方法合成简单、操作容易、产率高等特点。本发明提供的所述的有机半导体材料在有机光电子学、有机场效应晶体管、有机发光、有机光探测器、有机太阳能电池、压力传感器、有机存储设备、柔性平板显示、电子纸等众多领域具有潜在而广泛的应用前景。
精准功能分子材料制备方法及其应用

[发明专利]半导体器件和用于密封半导体元件的可固化有机硅组合物-CN201480029204.6有效
发明人：宫本侑典;吉田宏明 -专利权人：道康宁东丽株式会社
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件通过采用固化有机硅密封镀金引线或基板以及半导体元件而获得，其中所述固化有机硅是硅氢加成反应可固化有机硅组合物的固化产物，所述硅氢加成反应可固化有机硅组合物至少包括：(A)在分子中具有至少两个烯基的有机聚硅氧烷，(B)在分子中具有至少两个硅原子键合氢原子的有机氢聚硅氧烷，(C)与硫原子键合并且具有硅原子键合可水解基团的有机硅化合物，以及(D)铂基硅氢加成反应催化剂；并且所述半导体器件在吸湿回流测试后表现高度可靠。
半导体器件可固化有机硅组合物硅氢加成反应有机硅固化硅原子键合氢原子密封半导体元件有机氢聚硅氧烷有机硅化合物有机聚硅氧烷半导体元件硅原子键合可水解基团镀金引线固化产物回流测试原子键合铂基基板吸湿烯基催化剂密封表现

[发明专利]有机半导体薄膜以及有机半导体单晶薄膜的制造方法-CN201180039763.1有效
发明人：长谷川达生;峰回洋美;山田寿一;松井弘之 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明的第一课题是提供有机半导体薄膜的制造方法，其在利用印刷法制造由单成分的有机分子构成的有机半导体薄膜时，可以制造在某一规定区域内包括周边部在内的膜质和膜厚都均匀、且针孔非常少的均匀的有机半导体薄膜。另外，第二课题是制作有机半导体单晶薄膜，其是由通过印刷法得到的薄膜在大致整个区域均为单一的单晶构成。通过准备第一墨水和第二墨水的工序、以及在基板上混合了从各墨水头同时或者交替地喷出第一墨水和第二墨水的工序，来制造均匀的有机半导体薄膜，所述第一墨水是将有机半导体以高浓度溶解在对该有机半导体具有高亲合力的有机溶剂中而得到的；所述第二墨水由对有机半导体具有低亲合力的有机溶剂构成。
有机半导体薄膜以及制造方法

[发明专利]具有半导体路径的半导体装置及其制造方法-CN03818432.X无效
发明人： H·克劳克;G·施米德;U·茨施尚;M·哈里克;E·特佐格鲁 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-07-15 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明乃涉及一种具有一半导体路径的半导体装置，其包括一有机半导体材质，一用于将电荷载体注入该半导体路径之中的第一接触，以及用于自该半导体路径撷取电荷载体的第二接触，其中，一磷化氢层乃会被配置于该第一接触以及该半导体路径间，及/或，在该第二接触以及该半导体路径间。此外，该磷化氢乃是作用为一电荷传递分子，以使得可以更容易地在接触以及有机半导体材质间传递电荷载体。因此，在接触以及有机半导体材质之间的接触电阻可以被显著地降低。
具有半导体路径装置及其制造方法

[发明专利]一种调控有机小分子半导体薄膜微结构的方法及其在晶体管中的应用-CN201910914421.8在审
发明人：李金华;沈涛;周慧;郭松阳;王贤保 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种调控有机小分子半导体薄膜微结构的方法及其在晶体管中的应用，属于光电元器件领域。包括依次设置的衬底、介电层、可溶解聚合物薄膜修饰层、有机小分子2，7‑Dioctyl[1]benzothieno[3，2‑b][1]benzothiophene(C8‑BTBT)与惰性聚合物混合体系、金属电极对本发明通过可溶解聚合物薄膜的修饰调控有机半导体成膜的微结构，从而制备具有高迁移率的有机薄膜晶体管。在溶液法旋涂混合半导体层时，可溶解聚合物薄膜修饰层会溶解进入溶液，从而影响小分子半导体的分子结晶以及薄膜粗糙度，在优化条件下可制备出具有大晶粒且表面光滑的半导体薄膜。
一种调控有机分子半导体薄膜微结构方法及其晶体管中的应用