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[发明专利]一种基于有机薄膜晶体管的湿度传感器及其制备方法-CN201911402091.0在审
发明人：于军胜;赵世雄;侯思辉;黄钰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于有机薄膜晶体管的湿度传感器及其制备方法，属于传感器及其制备技术领域，所述湿度传感器从下至上依次包括衬底、栅电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极，介电层为有机介电材料，有机半导体层为壳聚糖与有机半导体材料的混合材料壳聚糖分子表面极性基团对水蒸气识别响应，再与其他有机半导体材料的混合后，对湿度进行精确识别与响应，从而提升了有机薄膜晶体管湿度传感响应同时，实现器件对湿度信号的高灵敏高响应探测，同时，造成本更低，再者，通过将壳聚糖与有机半导体材料进行合适混合，对有机半导体材料进行小分子调控，从而实现对湿度信号的高灵敏高响应探测与优良的器件性能。
一种基于有机薄膜晶体管湿度传感器及其制备方法

[发明专利]一种具有高迁移率的有机场效应晶体管及其制备方法-CN200810118129.7无效
发明人：刘云圻;吴卫平;王鹰;于贵;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2008-08-12 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法。该有机场效应晶体管，包括衬底、位于所述衬底上的栅电极、位于所述栅极电极上的绝缘层、位于所述绝缘层上的由聚合物和偶极分子组成的共混物层、位于所述聚合物和偶极分子共混物层上的有机半导体层以及位于所述有机半导体层上的源电极和漏电极本发明的有机场效应晶体管通过控制聚合物－偶极分子修饰层中偶极分子的偶极矩大小来控制导电沟道的性质，可调控有机场效应晶体管的迁移率；可以任意改变聚合物－偶极分子修饰层和有机半导体层的组成，易于构筑高迁移率场效应晶体管；在高迁移率有机效应晶体管的制备和高性能有机半导体逻辑门和集成电路中有应用价值。
一种具有迁移率有机场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种用于改善气敏传感器性能的无机-有机复合气敏传感器的真空原位复合方法-CN201610172782.6有效
发明人：崔得良;赵天宇;廉刚;崔馨航;付现伟;刘阳;王琪珑 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于改善气敏传感器性能的无机‑有机复合气敏传感器的真空原位复合方法，通过在高真空中对氧化物半导体多孔纳米固体进行热处理，彻底去除样品表面吸附的气体分子及其他杂质，以便获得清洁的表面；随后，在保持高真空状态情况下，引入有机半导体溶液浸泡氧化物半导体多孔纳米固体，使有机半导体分子与清洁的固体表面充分接触和成键，在对表面进行修饰的同时形成无机‑有机复合半导体气敏材料。本发明研制的无机‑有机复合型气敏传感器在化工生产、环境污染监测以及自动控制等领域有重要的应用价值。
气敏传感器多孔纳米固体氧化物半导体有机复合真空原位半导体气敏材料有机半导体分子有机半导体溶液无机-有机复合环境污染监测复合高真空状态有机复合型热处理充分接触固体表面化工生产气体分子样品表面清洁高真空成键吸附去除修饰浸泡引入应用

[发明专利]所选物质的电检测-CN200810177977.5有效
发明人：鲍哲南;B·尤克 -专利权人：朗迅科技公司
申请日： 2004-04-01 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：具体而言，本发明提供了一种有机场效应晶体管以及构建晶体管的方法。该晶体管包括含有机分子的半导体膜。能与靶分子结合的探针分子偶联至半导体膜的外表面，使得膜内部基本上不存在探针分子。
物质检测

[发明专利]有机半导体元件及其制造方法、化合物、有机半导体组合物和有机半导体膜及其制造方法-CN201680014948.X有效
发明人：北村哲;山本阳介;玉国史子;滋野井悠太;后藤崇;渡边哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明的目的在于：提供载流子迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体元件及其制造方法；提供适合作为有机半导体的新颖化合物；以及提供迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体膜及其制造方法、以及能够适当地形成上述有机半导体膜的有机半导体组合物。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有含有下述化合物的有机半导体层，该化合物具有式1所表示的重复结构单元、分子量为2,000以上。
有机半导体元件及其制造方法化合物组合

[发明专利]一种少层有机晶态膜的制备方法及有机场效应晶体管-CN201910532895.6有效
发明人：张秀娟;揭建胜;肖彦玲 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种少层有机晶态膜的制备方法及有机场效应晶体管。该制备方法包括如下步骤：提供有机小分子半导体材料，并选取有机小分子半导体材料的良溶剂和不良溶剂，良溶剂和不良溶剂具有不同蒸发速率、不同密度且互溶；将良溶剂和不良溶剂按照指定比例范围的体积比进行混合，形成良溶剂和不良溶剂的混合体系，指定比例范围为9:1到12:1之间；将有机小分子半导体材料加入混合体系中并进行搅拌，以形成有机小分子半导体材料的浓度范围在0.5‑1.5mg/ml的混合溶液；量取预定量的混合溶液，并将其施加在亲水性固体基底的边缘处，从而自组装生成少层且均匀的有机晶态膜。本发明方法可以一步法直接快速获得具有高度均匀特性和长程面内有序的少层有机晶态膜结构。
一种有机晶态制备方法场效应晶体管

[发明专利]形成有机半导体层图案的方法-CN200610092596.8有效
发明人：朴钟辰;卢泰用;金明淑;李晟熏;郑银贞;申东雨;夫龙淳 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种施主衬底及利用该施主衬底形成有机半导体层图案的方法。在该方法中，利用具有可热分解取代基的有机半导体前体，通过湿法形成施主衬底。施主衬底中的有机半导体前体衬底以图案的方式转移至受主衬底并加热，由此转变成有机半导体。从而，得到有机半导体层图案。该方法可用于制备各种器件，如OLED和OTFT。通过湿法而不是通过沉积，可以形成低分子量的有机半导体层图案。因而，利用该方法可以低成本方便地制备平板显示器件。
形成有机半导体图案方法

[发明专利]一种新型有机半导体激光功率器的设计方法-CN201711359530.5在审
发明人：廖清;高庆刚;付红兵 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2017-12-17 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型有机半导体激光功率器的设计方法。该方法包括如下步骤：在真空条件下，有机半导体材料纳米线是通过物理气相沉积的办法在二氧化硅基底上制备的，所用有机半导体材料为TPSB分子。将前述步骤制备好的器件接入信号处理设备，从而组成新型有机半导体激光功率器。该物理气相沉积方法解决了有机半导体材料的纯度问题，使有机半导体纯度高达达到99.9999％。与无机半导体激光功率器相比，该方法极大降低半导体材料制备成本，快速方便，操作简单，可重复性非常高，较高纯度的微纳晶提高了半导体激光功率器的各项性能，提高功率器灵敏度，提高有机半导体稳定性，具有较高的应用价值
有机半导体激光功率有机半导体材料制备物理气相沉积纳米线半导体激光功率半导体材料信号处理设备二氧化硅基无机半导体纯度问题可重复性真空条件高纯度功率器灵敏度电极纯金纳晶蒸镀应用

[发明专利]倍频器及其制备方法-CN201710909713.3有效
发明人：江潮;李默林;王嘉玮 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：该方法包括：步骤1，在栅极导电层上的介电层表面制备氧化物半导体层，并对所述氧化物半导体层进行退火处理；步骤2，在所述氧化物半导体层表面蒸镀有机小分子层；步骤3，在所述有机小分子层表面蒸镀漏极和源极，获得双极性场效应管作为倍频器；所述倍频器以有机小分子层作为P型有源层，以氧化物半导体层作为N型有源层。本发明以电学性能相匹配的有机小分子和氧化物半导体形成双极性场效应管作为倍频器，使得倍频器具有良好的性能同时输出信号能量纯度更高。
倍频器及其制备方法

[发明专利]一种液晶半导体材料及其制备方法和应用-CN201611206500.6在审
发明人：孟鸿;陈彦彤;徐秀茹;贺耀武 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C07C245/08 文献下载
摘要：本发明公开一种液晶半导体材料及其制备方法和应用。该液晶半导体材料包括有机半导体母核基团、光致变色基团和热致液晶基团，有机半导体母核是整个分子的核心部分，光致变色基团对紫外光和可见光敏感的性质可进行构象或结构上的转变，热致液晶基团赋予分子液晶相的特性从而利用其优越的液晶性质使分子排列更有序，进而实现热致半导体材料并且提高迁移率。采用蒸镀手段将本发明液晶半导体材料制备有机薄膜晶体管，在照射紫外光后器件性能有明显的提升，在紫外光和退火双重作用下器件的性能更是再度提升。此种功能型的半导体材料将实现它们特有的潜质，应用在光电器件中例如智能器件、传感器和功能性开关等等。
半导体材料紫外光液晶制备方法和应用光致变色基团有机半导体热致液晶母核有机薄膜晶体管退火可见光分子排列分子液晶光电器件器件性能双重作用液晶性质智能器件迁移率传感器构象蒸镀制备照射敏感赋予应用

[发明专利]一种酰亚胺荧蒽分子砌块、其制备和应用-CN202111496195.X有效
发明人：李忠安;孙祥浪 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C07D209/70 文献下载
摘要：本发明属于有机光电材料领域，公开了一种酰亚胺荧蒽分子砌块、其制备和应用，该酰亚胺荧蒽分子砌块中，酰亚胺取代的位点为荧蒽分子取代基位次编号的第2位和第3位，尤其可应用于构建N型有机半导体材料或P型有机半导体材料本发明利用特定化学结构的酰亚胺荧蒽，其分子中酰亚胺取代位点为荧蒽的2,3‑位点，为不对称的分子结构，使得该新型酰亚胺荧蒽(即，2,3‑酰亚胺荧蒽)作为分子砌块能够应用于构建N型或P型有机半导体，且具有聚集诱导荧光增强效应
一种亚胺分子砌块制备应用

[发明专利]一种天然蓝色素在有机半导体器件中的应用-CN201910566277.3有效
发明人：占纪勋;亚历山大·科瓦连科;席克丹姆·尤姆萨克 -专利权人：杭州唯铂莱生物科技有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10K85/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种天然蓝色素在有机半导体器件中的应用。本发明的目的在于提供一种天然蓝色素在有机半导体器件中的应用。天然蓝色素具有1.7eV窄带隙，还具有很高的摩尔消光系数，近乎平面结构，允许分子内及分子间的氢键的结合以及适应性良好的能量水平，为高电荷载流子迁移率的标志，使得其具备双极性能量载体特性，应用该天然蓝色素的有机半导体器件具有优良的光学特性和电学特性
一种天然色素有机半导体器件中的应用

[发明专利]光电转换元件-CN201980047487.X在审
发明人：服部真之介;小林一;宫地左伊;菅野雅人;君岛美树;长谷川雄大;西寿朗;川嶋孝;齐藤阳介;稲叶雄大 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成
光电转换元件

[发明专利]有机半导体组合物、有机薄膜晶体管、以及电子纸及显示装置-CN201480029787.2有效
发明人：松下泰明;松村季彦 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种不会使有机薄膜晶体管的迁移率大幅下降而提高有机薄膜晶体管的绝缘可靠性的有机半导体组合物、使用这种有机半导体组合物来制作的有机薄膜晶体管、以及使用上述有机薄膜晶体管的电子纸及显示装置本发明的有机半导体组合物含有机半导体材料(A)及包含下述通式(B)所表示的重复单元的高分子化合物(B)。
有机半导体组合有机薄膜晶体管以及电子显示装置

[发明专利]有机半导体装置及其制造方法、电子器件和电子设备-CN200610093718.5无效
发明人：山本均 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-03-15 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供一种容易制造并得到工作速度快的有机半导体装置及其制造方法、工作速度快的有机半导体装置、可靠性高的电子器件。具有栅电极(50)、源电极(20a)、漏极(20b)、有机半导体层(30)、将与栅电极(50)相对应的源电极(20a)和漏极(20b)进行绝缘的栅极绝缘层(40)、支承它们的基板(500)的有源矩阵装置(有机半导体装置)的制造方法中，在形成有机半导体层(30)之前，在基板(500)上主要用具有液晶性核心的有机高分子材料构成，形成在规定方向上取向的缓冲层(基底层)(60)，此后，通过形成有机半导体层(30)，使有机半导体层(30)沿着缓冲层(60)取向方向取向。
有机半导体装置及其制造方法电子器件电子设备