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[发明专利]一种分子隧道结及其制备技术-CN01140305.5无效
发明人：万立骏;王琛;白春礼;范小林;杨德亮;徐善东;商广义;陈义;徐伟 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2001-12-03 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：一种分子隧道结具有“导体(或半导体)—有机(或无机)分子层—导体(或半导体)”夹层结构,其制备技术主要是首先在毛细管一端利用毛细现象或加压注入的方法填充金属、半导体材料或导电聚合物,直接形成连续的金属、导电聚合物导线或半导体线,并作为一个电极；然后在毛细管内的金属端面上组装有机或无机分子层；最后利用上述同样的方法在毛细管另一端形成导线或半导体线作为另一电极,并将有机或无机分子层封闭在毛细管内。利用本发明不仅可对有机或无机分子的电性质实现稳定可靠的检测,而且可制得具有开关效应、非线性整流等特性的微/纳米器件。
一种分子隧道及其制备技术

[发明专利]一种溶液法制备多孔有机半导体薄膜的方法及应用-CN201610229122.7有效
发明人：邱龙臻;吴少华;王庆贺;葛丰;薛战 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶液法制备多孔有机半导体薄膜的方法及其应用，其特征在于：将高分子量的有机半导体与低分子量的低聚物溶解在有机溶剂中，获得共混溶液；通过溶液旋涂法将共混溶液旋涂在基底上形成共混薄膜，然后使用合适溶剂将共混薄膜中低分子量的低聚物溶解除去后，即获得多孔有机半导体薄膜。本发明通过溶液法制备多孔薄膜，方法简单、重复性好，对设备和工艺条件的要求较低，适用于大部分高分子半导体多孔薄膜的制备。本发明所得多孔有机半导体薄膜可用在气相传感器中，通过提供一种有效的气体分散通道，可显著提高有机半导体材料对相应气体分析物的检测效果。
一种溶液法制多孔有机半导体薄膜方法应用

[发明专利]半导体复合膜及其形成方法、薄膜晶体管及其制造方法和电子设备-CN200910158226.3有效
发明人：川岛纪之;大江贵裕 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了半导体复合膜及其形成方法、薄膜晶体管及其制造方法和电子设备，所述半导体复合膜包括：包含有机半导体材料的半导体薄膜层；由在膜厚度方向上与有机半导体材料相分离的高分子材料形成的绝缘薄膜层；以及分散在半导体薄膜层和绝缘薄膜层的至少一者中的微粒材料所述半导体复合膜形成方法包括：配制油墨，使有机半导体材料、高分子材料及微粒材料溶解在溶剂中；利用印刷方法在基板上形成包含上述油墨的材料层；以及通过除去材料层中的溶剂，在膜厚度方向上使有机半导体材料和高分子材料相分离并实现固化本发明能通过半导体材料与高分子材料的含量比来控制相分离，并通过微粒材料的分散量来良好地控制膜形成用油墨的粘度和触变性。
半导体复合及其形成方法薄膜晶体管制造电子设备

[发明专利]光电晶体管、仿生偏振导航设备制备方法及偏振光探测器-CN202111578873.7在审
发明人：揭建胜;张秀娟;潘京 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：该光电晶体管的制备方法包括如下步骤：提供表面具有阵列式微沟道的生长模板；在生长模板的靠近阵列式微沟道一端的一侧施加小分子有机半导体粉末；在生长模板的形成有阵列式微沟道的一面覆盖石英片；使生长模板倾斜；加热生长模板使小分子有机半导体粉末熔化成小分子有机半导体液体，使得小分子有机半导体液体在毛细力作用下填充阵列式微沟道，冷却后在生长模板上得到小分子有机半导体晶体阵列；在小分子有机半导体晶体阵列上形成源极和漏极，以制备获得光电晶体管。
光电晶体管仿生偏振导航设备制备方法偏振光探测器

[发明专利]改进有机半导体材料及与其有关的改进-CN200380108706.X有效
发明人： J·维里斯;P·C·布鲁克斯;R·T·威廉姆斯;S·D·奥吉尔;S·莫西亚丁－哈法夫;S·W·利明 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2003-12-18 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：一种用作有机半导体(OSC)材料的组合物，该组合物包括：(i)数均分子量(Mn)为至少5000的至少一种较高分子量的有机半导体化合物，(ii)数均分子量(Mn)为1000或更少的至少一种较低分子量的有机半导体化合物
改进有机半导体材料与其有关

[发明专利]一种取向有机晶体阵列及器件阵列及其制备方法-CN201910948299.6在审
发明人：李明亮;李硕;王国治;魏峰 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种取向有机晶体阵列及器件阵列及其制备方法，包括以下步骤：将熔融拉膜法或碾膜法获得的高度取向的高分子薄膜覆盖于硅衬底上作为介电层；将功能有机半导体材料涂敷在取向高分子薄膜表面；通过溶液退火法获得高度取向的有机半导体晶体阵列。本发明的方法，能够提高有机半导体器件响应。
高度取向取向半导体技术领域高分子薄膜表面功能有机半导体有机半导体晶体有机半导体器件高分子薄膜器件阵列有机晶体硅衬底介电层拉膜法退火法膜法熔融涂敷制备响应覆盖

[发明专利]一种固相结晶性能有机半导体材料及其制备方法-CN201911274117.8在审
发明人：李明亮;李硕;王国治;魏峰 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种固相结晶性能有机半导体材料及其制备方法，属于新型有机半导体材料和器件研究领域。该具有固相结晶性能有机半导体材料，由具有固相结晶性能的功能分子制成，将功能分子的溶液旋涂在基底表面，室温放置，晶体从薄膜中长出，得到有机晶体；所述的功能分子为5,5‑二苯基‑二苯并噻咯，包含共轭基团和功能基团在保证有机半导体材料电子学性能的同时，有效避免了目前硅电子器件制备工艺中大量使用的有机溶剂与有机材料接触会改变分子排布从而影响性能的问题，为有机半导体材料与无定型硅材料生产工艺的结合提供契机。
一种结晶性能有机半导体材料及其制备方法

[发明专利]改善电极界面的有机FET及其制造方法-CN200780000712.1无效
发明人：丰田健治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种有机FET，其在基板上叠层有栅极绝缘膜，在上述栅极绝缘膜上，由金属构成的源电极和由金属构成的漏电极在水平方向上相对配置，具有覆盖上述栅极绝缘膜、上述源电极和上述漏电极的有机半导体层，其特征在于：由碳原子数为4以上的烷基硫醇分子构成的第一有机分子层分别形成在上述源电极的上面和上述半导体层之间，以及上述漏电极的上面和上述半导体之间；由对甲基苯硫酚分子或苯硫酚分子构成的第二有机分子层分别形成在上述源电极的相对的侧面和上述半导体层之间，以及上述漏电极的相对的侧面和上述半导体层之间。
改善电极界面有机 fet 及其制造方法

[发明专利]一种协同作用可控制备有机半导体纳米线的方法-CN201810988701.9有效
发明人：廖良生;王雪东;卓明鹏;陶一辰;李治洲 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种协同作用可控制备有机半导体材料纳米线的方法，制备步骤如下：准确称取有机半导体分子，加入良有机溶剂并超声，获得有机半导体分子有机溶剂储备溶液；按照一定体积比在室温下将有机半导体分子有机溶剂储备溶液加入到不良有机溶剂中摇匀，静置一段时间后滴在基底上，有机溶剂挥发干后获得有机单晶纳米线结构材料。本发明为简单、快捷、可控、尺寸均匀的有机单晶纳米线制备提供了一种新途径，在发展纳米尺度光电器件具有非常高的学术价值和应用前景。
一种协同作用可控制备有机半导体纳米方法

[发明专利]量子点电致发光器件-CN201911042654.X有效
发明人：苏亮 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请涉及一种量子点电致发光器件，其包括：第一电极、发光层以及第二电极，发光层设于所述第一电极上，发光层包括第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和量子点材料，第一有机半导体材料与第二有机半导体材料形成激基复合物，其中，第一有机半导体材料为单分子热激活延迟荧光材料，第二有机半导体材料为电子受体材料或电子给体材料。上述量子点电致发光器件的发光层中选用单分子热激活延迟荧光材料作为第一有机半导体材料，选用电子受体材料或电子给体材料作为第二有机半导体材料，并与量子点材料构成发光层材料，进而形成双通道的激子能量转移，提高了量子点电致发光器件的电光转移效率和器件稳定性
量子电致发光器件

[发明专利]作为改善有机半导体中电荷载子移动性添加剂之硅粒子-CN03809731.1无效
发明人： M·哈里克;G·施米德;H·克劳克 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-04-11 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明乃与一种具有以有机半导体材料作为一半导体路径之半导体装置有关。半导体粒子或半导体团簇乃无规则地分布于该有机半导体材料中，该等半导体粒子及/或半导体团簇亦能够藉由链接分子而链接。添加半导体粒子至该有机半导体材料中可提升，举例而言，一包含有此类半导体路径的一场效晶体管的电性。
作为改善有机半导体荷载移动性添加剂粒子

[发明专利]一种光刺激两端人工突触器件及制备方法和应用-CN202011507915.3有效
发明人：罗春花;张尧迪;蒋纯莉;彭晖;钟妮;林和春;田博博;段纯刚 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刺激两端人工突触器件及制备方法和应用，其制备方法是采用真空热蒸镀的方式在电极表面依次蒸镀酞菁铜有机半导体、小分子铁电体和酞菁铜有机半导体薄膜，形成金属/有机半导体/小分子铁电体层/有机半导体其中所述电极为金、银、铜、铝、铟锡氧化物等导体，所述小分子铁电层为高氯酸胍和四乙基高氯酸胺小分子铁电体。本发明所制备的人工突触器件能够实现生物突触相似的功能，具有低功耗，低串扰等优点。
一种刺激两端人工突触器件制备方法应用

[发明专利]一种有机小分子半导体材料作为有机铁磁材料的应用-CN201810862683.X有效
发明人：李远;周佳文;黄飞;曹镛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C07D285/14 文献下载
摘要：本发明属于有机磁性材料领域，公开了一种有机小分子半导体材料作为有机铁磁材料的应用。所述有机小分子半导体材料具有式(I)所示的结构通式，式中A表示具有吸电子能力的共轭基团。本发明涉及的有机小分子半导体材料具有意料之外的铁磁性，居里温度非常高，使得该材料成为性能优异的铁磁性材料。
一种有机分子半导体材料作为材料应用

[发明专利]一种有机半导体墨水、制备方法及应用-CN202110724926.5在审
发明人：罗钧议;赵文博;胡雨;蒋果;安欣威;樊子卿;程溢川;张瀚文;肖静瑶 -专利权人：成都灵睿奥创科技有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C09D11/03 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体墨水技术领域，特别涉及一种有机半导体墨水、制备方法及应用，墨水包括有机半导体材料、有机溶剂、分子添加剂、溶剂添加剂。与现有技术相比，本发明提供的半导体有机墨水，适用范围广，使有机半导体电子产品具有更广泛的应用范围，通过分子添加剂可以取代水来填充薄膜结构空隙，减轻水的不利影响，从而提高有机薄膜的稳定性和均匀性，通过溶液添加剂可以调节无序有机半导体薄膜的形貌，有助于致密化薄膜结构从而减小结构空隙尺度来提高器件稳定性，满足喷墨打印机正常打印要求，适用于印刷电子需要的高精度喷墨打印；本发明工艺简单，省去了额外的后处理工艺，得到的有机半导体薄膜具有优秀的环境耐受性
一种有机半导体墨水制备方法应用

[发明专利]单层有机半导体薄膜的制备方法-CN201911223049.2有效
发明人：张秀娟;揭建胜;姜天昊 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种单层有机半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：将具有烷基支链的小分子有机化合物与所述小分子有机化合物的长链同系物溶解并配置成混合溶液；将所述混合溶液旋涂在第一衬底上，并将旋涂有所述混合溶液的所述第一衬底覆盖在第二衬底上；然后将其放置在真空加热系统中加热处理，以在所述第二衬底上制备出单层有机薄膜。本发明的单层有机半导体薄膜的制备方法，通过在有机分子中引入其相应的长链同系物，利用不同长度分子层间的几何失配以及衬底之间的限域作用可以实现有机半导体薄膜的单层大面积生长。并且在该单层有机半导体薄膜的制备方法中，通过在第二衬底上构筑亲疏水区域可以实现单层有机半导体薄膜的图案化生长。
单层有机半导体薄膜制备方法