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[发明专利]一种含有卤素的苯并咪唑类衍生物及其制备方法和应用-CN201911258015.7在审
发明人：陆振欢;冯程;高然;钟定文;徐金海;唐先桂 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C07D235/20 文献下载
摘要：该方法通过在苯并咪唑类分子的苯环上引入卤素，从而调节分子的电子转移能力。在苯并咪唑类分子形成自由基时，电子可以离域到与该自由基碳共轭的苯环π电子体系，由于卤素电负性高，将卤素取代苯环上的氢会扩大苯环的π电子体系，使自由基稳定性提高，分子更加容易形成自由基，最终提高了掺杂效率该方法为有机半导体工业化生产领域，提供了一种提高有机半导体材料导电性能的新技术。
一种含有卤素苯并咪唑衍生物及其制备方法应用

[发明专利]由气相沉积进行有机分子选区生长的普适方法-CN200780045394.0无效
发明人：哈勒德·福克斯;迟力峰;王文冲;钟定永 -专利权人：北莱茵法威廉明斯特大学
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机分子在基底上选区生长方法。其包括：在基底上形成有机分子的成核位置的图案，由气相沉积使有机分子在成核位置上生长。还提供了基于此方法制作的基于有机材料的器件。此方法提供了涂层技术或半导体制造领域中已知方法的另一种途径。
沉积进行有机分子选区生长方法

[发明专利]一种单一晶畴且分子层数均一的有机单晶活性层及高均一性半导体器件阵列的制备-CN202310605645.7在审
发明人：李寒莹;彭博宇;盛秋月 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单一晶畴且分子层数均一的有机单晶的制备方法，以及一种将其无损地制备成高均一性电路器件阵列的工艺流程。该制备方法通过精确调控基底与剪切工具的温度、半导体溶液浓度以及剪切速率，使得有机半导体小分子能够实现稳定的成核与生长；所得的单一晶畴且分子层数均一的有机单晶活性层，具有大面积、高性能、高均一度的特征。在此基础上，本发明提出一种无损单晶活性层的器件制备工艺，实现高均一性的有机单晶晶体管阵列和电路器件阵列的制备，为有机电路的小型化、柔性化、高性能应用提供保障。
一种单一分子层数均一有机活性半导体器件阵列制备

[发明专利]有机图案化层及使用了该有机图案化层的金属图案化方法-CN202110764840.5在审
发明人：望月俊二;桦泽直朗;富樫和法;北原秀良;筱田美香;三枝优太 -专利权人：保土谷化学工业株式会社
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及有机图案化层及使用了该有机图案化层的金属图案化方法。一种有机图案化层，配置于有机半导体元件中的透明电极的外侧，其特征在于，构成所述有机图案化层的有机化合物具有以下的特性；a.制膜时的相对于1μL纯水的静态接触角(温湿度：23℃、50％)为85°以上；b.玻璃化转变温度(Tg)为100℃以下；c.分子量为1000以下的低分子。一种金属图案化方法，其特征在于，将所述有机图案化层配置于有机半导体元件中的透明电极的外侧，并且在非透光部的布线区域选择性地形成金属膜。
有机图案使用金属方法

[发明专利]有机半导体元件的制造方法-CN200710154373.4有效
发明人：永江充孝;小林弘典;松冈雅尚;本多浩之 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供一种有机半导体元件的制造方法，具有有机半导体晶体管形成工序，该有机半导体晶体管形成工序包括：有机半导体层形成工序，利用基板，在所述基板上形成由有机半导体材料构成的有机半导体层；钝化层形成工序，在所述有机半导体层上以图案状形成相对真空紫外光具有遮光性的钝化层；和有机半导体层图案形成工序，通过将真空紫外光照射到所述钝化层及所述有机半导体层上，对没有形成所述钝化层的部位的有机半导体层进行蚀刻，从而，可以高精度、简单地图案形成有机半导体层，能够以高的生产率制造具有有机半导体晶体管的有机半导体元件。
有机半导体元件制造方法

[发明专利]一种基于薄膜晶体管的DNA传感器及其制备方法-CN202110008217.7在审
发明人：王军;陈赛赛;毛毓珂;王桂东;蔡金华 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于薄膜晶体管的DNA传感器及其制备方法，DNA传感器包括薄膜晶体管及DNA分子探针，薄膜晶体管包括基板衬底、栅电极、绝缘层、源漏电极及半导体层，基板衬底、栅电极、绝缘层由下而上依次设置，半导体层设置在绝缘层上，源漏电极与半导体层接触，DNA分子探针固定在源漏电极上。与现有技术相比，本发明采用源漏电极作为基底，在源漏电极上固定DNA分子探针，避免了有机半导体层上的物理吸收对水分和某些离子的影响，改善了电荷注入，增强了传感器饱和电流和载流子迁移率，从而提高了DNA传感器的稳定性和灵敏度
一种基于薄膜晶体管 dna 传感器及其制备方法

[发明专利]一种一维有机核壳结构微米晶体材料的制备方法-CN201811581146.4有效
发明人：廖良生;卓明鹏;王雪东;陶一辰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种一维有机核壳结构微米晶体材料的制备方法，制备步骤如下：准确称取含吡啶基团或含质子化吡啶基团的寡聚苯乙烯基有机分子，加入良溶剂并超声，获得有机半导体分子储备液；在室温下将有机半导体分子储备液加入不良溶剂中摇匀，静置后滴在基底上，溶剂挥发干后获得一维有机单晶微米棒。将含吡啶基团的寡聚苯乙烯基有机分子一维单晶微米棒置于酸性气体熏化，将含质子化吡啶基团的寡聚苯乙烯基有机分子一维单晶微米棒置于碱性气体熏化，分别制得不同核壳结构的有机晶体微米棒。本发明为实现一维有机核壳结构微米晶体可控制备提供了新途径，基于该微米晶体，可以实现耦合输出光色从绿色到黄色再到红色的连续可调多色光波导。
一种有机结构微米晶体材料制备方法

[发明专利]一种超分子组装体及其制备方法和清洗用途-CN202110851016.3在审
发明人：侯军;申海艳 -专利权人：江苏奥首材料科技有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种超分子组装体、其制备方法和用途、包含其的清洗液及其用途和使用其的蚀刻后半导体晶片清洗方法，所述超分子组装体由环糊精类化合物主体分子与还原性客体分子组成，所述清洗液包括所述超分子组装体、3‑吡啶基偕胺肟、酸、有机碱、N,N‑二乙基羟胺、多元醇、有机溶剂和水，所述超分子组装体通过独特的环糊精类化合物主体分子和还原性客体分子的选择与相互协同，具有诸多优异的技术效果，尤其是优异的残留物清除效果和非常低的金属腐蚀速率，可用于蚀刻后半导体晶片清洗领域，具有良好的应用前景和工业化生产潜力。
一种分子组装及其制备方法清洗用途

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200480038514.0有效
发明人：森田好次;峰胜利;中西淳二;江南博司 -专利权人：陶氏康宁东丽株式会社
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：通过将半导体器件置于模具内，并对填充所述模具和所述半导体器件之间的空间的可固化的硅氧烷组合物进行压塑，从而制造在固化的硅氧烷体内密封的半导体器件的方法，其中该可固化的硅氧烷组合物包含下述组组分：(A)每一分子具有至少两个链烯基的有机聚硅氧烷；(B)每一分子具有至少两个与硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷；(C)铂类催化剂；和(D)填料，其中组分(A)和(B)中的任何一种含有T单元硅氧烷和/或Q单元硅氧烷。通过利用这一方法，密封的半导体器件在密封材料内不含孔隙，且可控制固化的硅氧烷体的厚度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]有机半导体器件和有机半导体薄膜-CN200780000602.5无效
发明人：胜原真央;鹈川彰人;宫本佳洋;国清敏幸 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供有机半导体薄膜基有机半导体器件，该器件包括由有机半导体材料形成的有机半导体薄膜，所述有机半导体材料可在低温如室温下溶解于有机溶剂并且适用于涂布工艺。该有机半导体器件包括沟道形成区，该沟道形成区包括由有机半导体材料形成的有机半导体薄膜，所述有机半导体材料具有基于两个π－电子单位的氧化或还原机制并且具有二维或三维传导路径。
有机半导体器件有机半导体薄膜

[发明专利]通过Pd催化的直接(杂)芳基化或直接烯基化的基于FT4的有机半导体小分子的合成-CN201910842295.X在审
发明人：贺明谦;李阳;孙京;王宏祥;周明东 -专利权人：康宁股份有限公司;辽宁石油化工大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：公开了通过Pd催化的直接(杂)芳基化或直接烯基化的基于FT4的有机半导体小分子的合成。一种用于形成有机半导体材料的方法，所述方法包括：提供具有以下物质的混合物：含噻吩的化合物或含烯的化合物中的一种，基于并四噻吩(FT4)的单体；使基于FT4的单体与含噻吩的化合物或含烯的化合物以一步直接芳基化反应机理反应，从而形成最终的基于FT4的有机半导体化合物。
通过 pd 催化直接芳基化烯基化基于 ft4 有机半导体分子合成

[发明专利]一种1,3-二(2-吡啶基)苯受体单元和引达省并二吡啶二酮有机半导体材料及应用-CN201811301645.3有效
发明人：王亚飞;谭帅;吴秀刚;朱卫国 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种1,3‑二(2‑吡啶基)苯受体单元和引达省并二吡啶二酮有机半导体材料及应用。以1,3‑二(2‑吡啶基)苯为基本骨架，通过傅克反应在吡啶环的6'号位引入吸电子基团，以及利用分子内环化反应构筑引达省并二吡啶二酮新型电子受体骨架，进一步以引达省并二吡啶二酮骨架单元为电子受体，通过偶联反应，构筑给体‑受体‑给体型有机半导体材料，该有机半导体材料具有优异的电致发光性能。
一种吡啶受体单元引达省有机半导体材料应用

[发明专利]一种贵金属-半导体复合材料及其制备方法与应用-CN202110745849.1在审
发明人：林杰;徐燕萍;吴爱国;邵国良;张定虎 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;中国科学院宁波材料技术与工程研究所慈溪生物医学工程研究所;浙江省肿瘤医院
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本申请公开了一种贵金属‑半导体复合材料及其制备方法与应用。所述贵金属‑半导体复合材料包括贵金属‑半导体复合粒子、高分子、靶分子；所述贵金属‑半导体复合粒子表面连接有拉曼信号分子；所述高分子通过官能团结合于所述贵金属‑半导体复合粒子；所述靶分子偶联于所述高分子；所述贵金属‑半导体复合粒子包括半导体粒子和贵金属粒子，所述贵金属粒子负载在所述半导体粒子上。所述贵金属‑半导体复合材料具有的优异的生物传感器检测优势。
一种贵金属半导体复合材料及其制备方法应用

[发明专利]有机空穴传输材料及其制备方法和应用、钙钛矿太阳能电池-CN202111176906.5有效
发明人：李雄;张小茹;曾海鹏;李唯西;赵洋;左欣;李琳 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C07D285/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机空穴传输材料及其制备方法和应用、钙钛矿太阳能电池。有机空穴传输材料的化学式如下所示：本发明的有机空穴传输材料，Ar为具有半导体特性的三苯胺衍生物，根据其给电子及吸电子特性来调整其能级；R3为π间隔共轭芳香体系，扩展π‑共轭微调空穴迁移率和能级，使分子内电子分布更均匀化，同时分子趋向平面化，有效调控有机半导体分子堆积行为，进而提高空穴传输能力R4为含有氢键供受体的锚定基团，与电极材料表界面或P型半导体材料表界面产生化学反应或超分子相互作用。
有机空穴传输材料及其制备方法应用钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种发光可调的无配体硫化镉半导体量子点及其制备方法-CN201210107481.7无效
发明人：陈苏;陈捷;张强;周进;余子夷 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C09K11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光可调无配体硫化镉量子点的制备方法，该量子点不需要任何有机分子作为配体，发光波长可随合成条件精确调节，且稳定性好，可以有效地与有机材料杂化，克服杂化过程中的相分离现象。本发明的发光可调无配体硫化镉半导体量子点，其选择醋酸镉、丙烯酸镉或硬脂酸镉为镉源，硫脲或硫化钠为硫源，在有机溶剂中、在无任何有机分子作包覆剂条件下制备发光可调无配体硫化镉半导体量子点。
一种发光可调无配体硫化半导体量子及其制备方法