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[发明专利]一种半导体结构及其制作、减薄方法-CN202011409672.X在审
发明人：胡川;卢瀚仑;陈志涛;王垚 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制作、减薄方法，涉及半导体材料加工技术领域。该半导体结构包括衬底、缓冲层、减薄功能层以及器件层，衬底、缓冲层、减薄功能层以及器件层逐层连接；且衬底与目标刻蚀液的刻蚀速率大于或等于减薄功能层与目标刻蚀液的刻蚀速率的2倍。本申请提供的半导体结构及其制作、减薄方法具有减薄效率快且质量更好的效果。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法-CN202011529470.9有效
发明人：李峰;王勇;冯小成;荆林晓;李洪剑;井立鹏;宋佳 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法，属于集成电路芯片减薄技术领域，所述的倒装焊器件指完成芯片倒装焊接的电路。相比于传统方法，利用本发明中的特制工装及方法，可以利用全自动圆片减薄机实现单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，突破了行业内无专用设备的技术瓶颈问题；通过对减薄工艺方法、工艺参数的优化，提高了单粒子效应试验倒装焊器件减薄精度以及减薄成功率，避免“盲减”时，受限于操作人员经验，致使减薄精度不够以及成功率低的问题发生；利用本发明中的特制工装及方法，可高效、稳定的完成单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
一种用于粒子效应试验倒装器件工装方法

[发明专利]一种新的减薄工艺-CN201210446571.9无效
发明人：王红亚 -专利权人：王红亚
申请日： 2012-11-10 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种新的减薄工艺，其特征在于，所述工艺步骤包括上蜡，去蜡，粗磨，精磨，推片，清洗，本工艺通过改进减薄顺序及减薄时间，进一步提高了减薄的精度，保证在减薄过程中不会出现碎片，从而提高了芯片良率，降低生产成本
一种工艺

[发明专利]一种K9超薄玻璃的加工方法-CN202011275361.9在审
发明人：彭寿;蒋洋;李江;宋晓贞;王伟;张少波;罗丹;杨金发;张煜东 -专利权人：凯盛科技集团有限公司;凯盛科技股份有限公司蚌埠华益分公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及光学玻璃加工技术领域，具体涉及一种K9超薄玻璃的加工方法，步骤如下：首先，对厚重的K9玻璃砖块原材料进行切割，得到K9玻璃薄片，作为半成品备用；然后，对所得K9玻璃薄片进行分次抛光减薄，具体包括物理减薄、贴合及固定、化学减薄、清洗、机械减薄和解胶的过程，得到K9超薄玻璃；接下来，进行成品的切割及检验；最后，对最终所得的产品进行包装、储存。本发明充分发挥了物理减薄、化学减薄和机械减薄的优越性，减薄速率快，减薄厚度可控，得到了理想厚度且表面平整光滑的K9超薄玻璃；采用顶喷瀑布流式化学减薄方法，蚀刻液可循环使用，节约了能源，节省了成本，且提高了工业生产的自动化程度
一种 k9 超薄玻璃加工方法

[发明专利]一种带有粉尘处理功能的半导体晶圆减薄装置-CN202110443740.2在审
发明人：葛光华;吴浩栋;曾兰英;罗江萍;刘磊 -专利权人：无锡市芯通电子科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆加工技术领域，具体为一种带有粉尘处理功能的半导体晶圆减薄装置。本发明要解决的技术问题是容易损害晶圆和没有对粉尘进行收集。为了解决上述技术的问题，本发明提供了一种带有粉尘处理功能的半导体晶圆减薄装置，本发明主要由减薄机构和收集机构组成，通过设置螺纹筒、减薄辊和多级电动推杆，可以对硅晶片进行连续打磨，加快晶圆的减薄速率，且不会对晶圆造成腐蚀影响，且可以根据减薄的尺寸要求，调节两个减薄辊之间的间距，满足不同尺寸的减薄需求，通过设置风机和储存箱，可以在进行减薄操作的同时，对减薄产生的粉尘进行收集处理，并通过储水盒、微型水泵和雾化喷头，对收集的粉尘进行快速的降尘处理
一种带有粉尘处理功能半导体晶圆减薄装置

[发明专利]树脂包覆金属板的拉深减薄加工方法、以及使用该加工方法的树脂包覆拉深减薄罐-CN200580032962.4有效
发明人：田屋慎一;甲斐政浩;田边纯一;堤悦郎;佐伯则人 -专利权人：东洋钢钣株式会社;东洋制罐株式会社
申请日： 2005-06-27 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： B21D22/28 文献下载
摘要：本发明以提供这样的树脂包覆金属板的减薄加工方法以及使用该加工方法的树脂包覆拉深减薄罐为目的，即，在树脂包覆金属板的拉深减薄加工中，可以得到罐壁的厚度足够薄的罐体，并且没有罐体开口端部的包覆树脂的损伤。本发明的树脂包覆金属板的拉深减薄加工方法以及使用该加工方法成型得到的树脂包覆金属板的拉深减薄罐的特征在于，树脂包覆金属板在金属板的至少单面包覆有机树脂，在利用冲压头和冲模对该树脂包覆金属板进行拉深减薄成型而成型为罐体的树脂包覆金属板的拉深减薄加工中，使用在后端部分具有小径部分的冲压头，按使成型后的罐体的开口端部的减薄率成为0～15％的方式进行减薄加工。
树脂金属板拉深减薄加工方法以及使用包覆拉深减薄罐

[发明专利]减薄玻璃及其制备方法和其应用-CN201910315467.8在审
发明人：何智斌;张迅;孙骏超;胡法明;易伟华 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种减薄玻璃及其制备方法和其应用。该减薄玻璃的制备方法包括如下步骤：提供玻璃基板，所述玻璃基板不含钾、钠离子，所述玻璃基板具有待减薄面及与所述待减薄面相对的固定面，所述待减薄面具有预设的待减薄区；在所述玻璃基板的所述待减薄面上粘附开设有通孔的抗酸减粘膜，所述通孔的位置与所述待减薄区的位置相对应；用蚀刻液蚀刻所述玻璃基板的所述待减薄面；分离所述玻璃基板与所述蚀刻液，并对所述玻璃基板的所述待减薄面喷洒水雾。通过上述的减薄玻璃的制备方法制备得到的减薄玻璃，经检测，凹槽内无水波纹不良现象，同时凹边缘锯齿不明显。
减薄玻璃基板制备玻璃减薄面减薄区蚀刻液通孔锯齿蚀刻不良现象凹边缘固定面钠离子波纹粘膜抗酸水雾无水预设粘附面具喷洒应用检测

[发明专利]用于金属样品的预减薄装置及金属样品的预减薄方法-CN201810539441.7有效
发明人：刘澄;周文韬;梁中阳;王璇;崔锡锡;杨晨;周睿 -专利权人：扬州大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B24B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及透射电镜（TEM）试样减薄技术领域。用于金属样品的预减薄装置，包括相互配合的基体和替换件。预减薄方法为：对待减薄金属片进行清洗并干燥，并将替换件的下底大面与金属的待减薄面相反的一面相贴；将替换件与金属片的组合与基体扭转嵌合，通过基体通孔注水后，利用与金属片相对运动的摩擦机构对金属片的待减薄面进行减薄；每减薄0.05±0.02mm后，拆下替换件与金属片的组合并将其加热到200±20℃熔融；选取新的替换件，将金属片的待减薄面的对侧面作为新的减薄面，重复上述步骤直至厚度小于等于0.05mm。本发明提供的TEM金属试样减薄方法可以在减薄金属试样的同时，使待减薄试样便于夹持，降低拆卸金属薄片碎裂的可能性，金属试样表面平整。
用于金属样品预减薄装置方法

[发明专利]用于预测壁厚减薄量的方法、程序及装置-CN202110994616.5在审
发明人：神山直树;田村昌久;松冈庆;野口学;天谷贤治 -专利权人：荏原环境工程株式会社;株式会社荏原制作所
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明提供用于预测壁厚减薄量的方法、程序及装置，进行构成设备的部件的壁厚减薄量的预测。提供一种由处理器执行的方法，用于为了预测设施内所配置的部件的壁厚减薄而构建壁厚减薄模型，该壁厚减薄模型表现示出部件的壁厚减薄倾向的物理量的经时变化，上述方法包括：对为了调整壁厚减薄模型所包含的参数的概率分布而使用的超参数的先验分布进行设定的步骤；基于超参数的值和表示部件的壁厚减薄倾向的物理量的测量值对计算测量值的似然的似然式进行设定的步骤；对似然式适用贝叶斯定理并根据超参数的先验分布和表示部件的壁厚减薄倾向的物理量的测量值计算超参数的后验分布的步骤；以及根据计算出的超参数的后验分布构建壁厚减薄模型的步骤。
用于预测壁厚减薄量方法程序装置

[发明专利]一种玻璃减薄工艺-CN202011324555.3在审
发明人：杨建文;陈振宇;朱思伟;黄伊震;吕君南;叶健新 -专利权人：伯恩光学（惠州）有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了本发明的技术方案是：一种玻璃减薄工艺，包括第一步：适当减薄玻璃，依据玻璃自身的材料特性，使用相关玻璃减薄方法，将厚度为0.05mm‑2.0mm的玻璃减薄到厚度为0.030mm‑0.3mm；第二步：强化处理，使用相关玻璃强化工艺，将经过第一步处理后的玻璃进行强化处理；第三步：再次减薄玻璃，再次依据玻璃自身的材料特性，将经过第二步处理后的玻璃进行减薄；第四步：减薄至需要厚度，循环第二步和第三步，直到将玻璃厚度减薄至0.005mm‑0.100mm，最后一步停留在第二步强化处理或第三步再次减薄玻璃。本发明解决了现有玻璃在减薄过程中因刚性和强度下降所带来的一系列问题。
一种玻璃工艺

[发明专利]一种大型薄壁筒件数字化减薄加工方法-CN202010078987.4有效
发明人：刘海波;王成龙;李特;张发亮;刘阔;薄其乐;吴军;王永青;郭东明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： B23Q15/02 文献下载
摘要：本发明一种大型薄壁筒件数字化减薄加工方法属于机械加工技术领域，涉及一种大型薄壁筒件数字化减薄加工方法。该方法首将大型薄壁筒件立式内撑装夹，利用线激光测量和超声测量装置，在机扫描测量筒件减薄区段的外廓和壁厚。再利用薄壁筒件外廓、壁厚实测数据，并考虑加工剩余壁厚要求，重新建立减薄区段的加工目标曲面，自动生成减薄加工代码。最后，数控机床检查完成大型薄壁筒件的减薄加工。该方法利用在机测得的零件外廓和壁厚数据，重新建立剩余壁厚关联的减薄加工目标曲面，生成减薄加工代码，有效实现了大型薄壁筒件减薄加工中的CAD、CAM与CNC的功能集成，减少了人工干预。实现了大型薄壁筒件的分区减薄加工、等壁厚或变壁厚可控加工。
一种大型薄壁数字化加工方法

[实用新型]一种晶圆加工减薄机-CN202320665286.X有效
发明人：马振兴 -专利权人：上海宸积半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆加工减薄机，包括槽体和支撑腿，所述支撑腿固定安装在槽体上；推动机构，其安装在槽体内，所述推动机构动力输出端固定连接有升降板，升降板开设有通口；旋转机构，其安装在升降板所开设的通口内；支板，其固定安装在槽体上且设置有两个，两个所述支板远离槽体的一端固定连接有防护板；减薄机构，其安装在两侧支板上，减薄机构动力输出端可相互接近以将晶圆进行减薄。本实用新型提供的晶圆加工减薄机不仅可以对晶圆进行加工减薄，而且可以在减薄时对晶圆进行旋转，大大提高了晶圆的减薄效率，同时能够在减薄完成后自动复位，方便进行后续的减薄工作，操作简单，实用性强。
一种加工减薄机

[发明专利]锑化铟晶片正面减薄厚度的测量方法及测量系统-CN202210794462.X在审
发明人：米南阳;宁提;李忠贺;赵德晨;陈止戈;崔建维 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出了一种锑化铟晶片正面减薄厚度的测量方法及测量系统，测量方法包括：获取减薄工艺前的锑化铟晶片的第一质量和厚度；获取减薄工艺后的锑化铟晶片的第二质量；根据第一质量、第二质量、厚度及预先确定的正面减薄速率系数计算锑化铟晶片的正面减薄厚度本发明根据减薄过程中锑化铟正面减薄速率系数不变，通过测量腐蚀掉的总质量和减薄前锑化铟材料的厚度，确定正面减薄厚度。上述方法无需高精度的价格高昂的仪器，同时无需使用光刻胶保护晶片背面，避免了减薄完成后去除光刻胶不彻底导致的污染问题，确保工艺过程中晶片表面的洁净度，测量方法成本低、方法简便，可以准确监控减薄过程中锑化铟晶片正面厚度的变化
锑化铟晶片正面薄厚测量方法测量系统

[发明专利]一种降低芯片减薄碎片率的硅片倒角结构及方法-CN201810919488.6在审
发明人：薛维平;关世瑛 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：很多用于小体积封装的半导体芯片，需要减薄到一定厚度，才能放入封装体内，当厚度低于150微米的时候，碎片率会大幅度提升，对减薄设备、工艺等提出更高要求，常规减薄方法使用的硅片，其倒角为椭圆倒角或者圆形倒角，这种倒角的硅片在减薄的过程中，容易造成硅片边缘较薄，进而崩边，硅片一旦崩边，在接下来的工艺中极其容易造成整片破碎，本发明改善硅片减薄过程，利用圆角矩形倒角的硅片制造芯片，减薄过程中，硅片边缘始终和金刚砂轮垂直，采用此方法，同等设备工艺条件下，减薄厚度150微米时可以降低碎片率50%以上，当减薄至100微米时，更是可以降低碎片率70%以上。
减薄碎片率硅片倒角硅片边缘崩边封装半导体芯片倒角结构方法使用硅片减薄硅片制造减薄设备金刚砂轮设备工艺芯片减薄圆角矩形圆形倒角椭圆放入整片破碎垂直体内芯片

[发明专利]一种mini LED芯片减薄方法及mini LED-CN202310120565.2在审
发明人：李文涛;鲁洋;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种mini LED芯片减薄方法及mini LED，包括：提供临时基板与mini LED芯片，在临时基板与mini LED芯片上均涂布气解胶；将mini LED芯片与临时基板粘连在陶瓷盘上；将所述陶瓷盘转移至减薄机中，进行第一次减薄；提供第一粘连载具，将所述第一减薄芯片与所述临时基板转移至所述第一粘连载具上；利用镭射激光照射所述气解胶；提供第二粘连载具，将所述第二粘连载具载入等离子体刻蚀机，进行第二次减薄，形成第二减薄芯片，本发明最终成型的第二减薄芯片能够克服无法减薄到80um以下的壁垒。
一种 mini led 芯片方法

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