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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]极片及电池-CN202222770949.2有效
发明人：王玉华;梁玉典;黄彬彬;刘荣江 -专利权人：惠州亿纬锂能股份有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种极片及电池，其中，极片包括涂料区、空箔区、第一减薄区和第二减薄区，空箔区位于涂料区内，空箔区用于与电池的极耳连接，空箔区的厚度为H1，涂料区的厚度为H2，H1＜H2，第一减薄区位于空箔区和涂料区之间，第一减薄区的厚度由空箔区朝向涂料区逐渐增大，第二减薄区位于第一减薄区和涂料区之间，第一减薄区厚度为H3，H1＜H3＜H2。通过在空箔区和涂料区之间设置第一减薄区，且第一减薄区的厚度从空箔区到涂料区的逐渐增大，以使该第一减薄区可以成为空箔区和涂料区两者之间过渡区，减少在空箔区周部的应力集中，避免极片在冷压时出现打皱的情况，进而减低了在卷绕过程中出现电池极片断裂风险
电池

[发明专利]一种玻璃基板的纳米金属诱导蚀刻方法-CN202210329792.1在审
发明人：杨斌;刘宇;华显刚;崔成强;林挺宇 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明可以有效防止蚀刻过程中玻璃基板整体减薄，解决了现有激光辅助蚀刻玻璃通孔方法在蚀刻过程中会使玻璃基板整体减薄，导致玻璃整体厚度不可控的问题。
一种玻璃纳米金属诱导蚀刻方法

[发明专利]一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法-CN202110542788.9在审
发明人：王晓东;宋培帅;司朝伟;何昱蓉;魏江涛;杨亮亮;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法，在顶硅层通过离子注入制备出压敏电阻，在背硅层通过刻蚀制备出空腔，并且在SOI晶圆正反两面进行两次键合，分别充当用作保护的临时键合片和用作空腔密封的基底，整体是三明治结构这种结构保证了器件的刚度，降低在后续加工工艺中晶圆发生碎裂的概率，也可以实现更薄的器件厚度。实现微型化，减薄器件厚度及后续器件的保护，采用临时键合该微机械压阻压力传感器可以在SOI片磨抛减薄中起到正面保护的作用，同时由于键合后上层临时键合片的存在，保证了整体的刚度，避免后续工艺中因片子过薄引起的碎裂
一种微型 mems 压力传感器制备方法

[发明专利]一种深筒件高减薄率拉深工艺-CN201911031829.7有效
发明人：宋孟;李妍妍;白凤梅;黄贞益;刘相华 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B21D22/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种深筒件高减薄率拉深工艺，属于塑性材料加工技术领域。它包括初步成形、预减薄和阶梯成形三个步骤，在预减薄和阶梯成形中采用一种高减薄率拉深模具进行拉深，能够降低工件出现质量缺陷的可能性，且其在最后阶段的阶梯成形中对工件采用分段拉深减薄的方式，有效地避免了拉深深度过大造成的质量缺陷，从而可以拉深出减薄率大的薄壁深筒件。
一种深筒件高减薄率拉深工艺

[发明专利]一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片-CN202211737883.5在审
发明人：梁庆瑞;王瑞;刘家朋;王含冠;马立兴;宋生;李霞;宁秀秀;宗艳民;窦文涛;宋建 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片，包括对单个剥离片的单面的至少一部分进行减薄和/或对该单个剥离片的另一单面的至少一部分进行减薄，从而得到减薄片；所述减薄包括粗磨处理和精磨处理，所述细磨处理的粗糙度小于所述粗磨处理的粗糙度本发明提供的一种激光剥离碳化硅片减薄工艺，能够大幅度提升厚度均匀性，提高减薄片的平整度，降低了SFQR指标，提高碳化硅减薄片的品质。
一种激光剥离碳化硅片工艺以及碳化硅薄片

[发明专利]一种集成电路芯片设计用高效封装装置-CN202010875190.7在审
发明人：吴葵雁 -专利权人：吴葵雁
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：该集成电路芯片设计用高效封装装置，实现减薄过程中的连续化，避免每组减薄完成一组后，均需要停机进行芯片的安装与取出，提高了整体的减薄效率，有利于整体封装步骤的快速进行。
一种集成电路芯片设计高效封装装置

[发明专利]一种掩膜板及其制作方法-CN201310752500.6有效
发明人：谢志生;丁涛;苏君海;柯贤军;何基强;李建华 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜板制作方法及采用该方法制作形成的掩膜板，所述掩膜板制作方法包括：提供基板；减薄所述基板的中部区域，形成掩膜区域，未减薄区域形成掩膜框；对掩膜区域中待形成掩膜图案块的区域进行刻蚀，形成掩膜通孔和掩膜线由于本发明提供的掩膜板制作方法，采用一个整体的基板，通过多次减薄和刻蚀同时形成掩膜框和掩膜，由于所述掩膜框和掩膜为整体结构，无需再通过拉网和焊接工艺固定所述掩膜框和掩膜，从而简化了所述掩膜板的工艺流程，
一种掩膜板及其制作方法

[发明专利]一种连续法生产柔性玻璃卷材的化学减薄工艺-CN202010985301.X在审
发明人：徐强 -专利权人：徐强;浙江帝业三维科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种连续法生产柔性玻璃卷材的化学减薄工艺，卷绕于滚筒上的柔性玻璃卷材，通过化学减薄槽，经过化学药剂的蚀刻，减薄至预设厚度，获得预设厚度的柔性玻璃卷材。本发明还提供了相应的连续法生产柔性玻璃卷材的化学减薄装置。
一种连续生产柔性玻璃卷材化学工艺

[发明专利]可见激光电路故障隔离-CN201780056484.3在审
发明人： R·R·戈鲁甘萨;G·S·马蒂;M·维尔拉法纳 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：在可见光故障分析工具中，透明覆盖片介于透镜与减薄的管芯之间，使得减薄的管芯对断裂是稳健的。另外，透明覆盖片具有比减薄的管芯更大的热质量，并且因此用作热沉以防止减薄的管芯中的有源电路在可见光故障分析期间过热。
管芯减薄可见光覆盖片透镜故障分析工具电路故障故障分析可见激光透明源电路过热热沉断裂隔离

[发明专利]集成封装显示模组及其返修方法以及显示装置-CN201911371067.5有效
发明人：胡新喜;孙天鹏;张金刚;张世诚 -专利权人：深圳市洲明科技股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请涉及集成封装显示模组及其返修方法以及显示装置，集成封装显示模组返修方法包括步骤：将所述集成封装显示模组整体胶面减薄预设厚度；定点去除坏点处的胶体；对坏点进行返修处理；对所述集成封装显示模组进行整面封胶处理巧妙地设计了先减薄再补洞最后复原的返修三步法，尤其适合越来越密集乃至点间距小于1毫米的集成封装显示模组，在极小的有限空间实现返修处理，减薄后配合整面封胶，有利于更好地保证集成封装显示模组的整体显示效果，既有利于解决集成封装返修可行性，又有利于确保返修可靠性及返修后外观色泽的一致性，且提高了返修效率及整体显示稳定性，实现了集成封装显示模组可返修、可规模化的量产。
集成封装显示模组及其返修方法以及显示装置

[发明专利]一种预置减薄区的板材液压成形方法-CN201911330754.2在审
发明人：胡蓝;孟光;张志超;赵慧慧;郭立杰 -专利权人：上海航天设备制造总厂有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B23P23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种预置减薄区的板材液压成形方法，所述方法包括如下步骤：步骤一:将宽幅板材一次裁剪获得整板；步骤二:对步骤一中的整板根据板材减薄量和减薄原则进行切削减薄；步骤三:对步骤二中切削减薄后的整板进行液压成形本发明解决了现有大型薄壁曲面成形后减薄加工的质量和效率问题。
一种预置减薄区板材液压成形方法

[发明专利]电机转子及具有其的电机-CN201711250438.5在审
发明人：李成学;庞权;詹世超 -专利权人：昆明新能源汽车工程技术中心有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H02K1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种电机转子及具有其的电机，所述电机转子包括：转子铁芯，所述转子铁芯包括本体部和极靴部，所述极靴部包括：减薄段和加厚段，所述减薄段的平均厚度小于所述加厚段的平均厚度，所述减薄段上设置有减薄段阻尼孔，所述加厚段上设置有加厚段阻尼孔，所述减薄段阻尼孔的横截面面积小于所述加厚段阻尼孔的横截面面积，从而使得所述减薄段阻尼孔内设置的减薄段阻尼条的横截面面积小于所述加厚段阻尼孔内设置的加厚段阻尼条的横截面面积
加厚段减薄阻尼孔电机转子转子铁芯极靴阻尼条电机阻尼效果高转速轻量化保证

[发明专利]一种高强度减薄桥梁护栏的加工方法-CN201910762161.7在审
发明人：王宇;冯斌;沈行祉 -专利权人：王宇;冯斌;沈行祉
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： E01D19/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度减薄桥梁护栏的加工方法，包括以下步骤：S1：栏杆预制；S2：预制件的堆放运输；S3：预制件安装；本发明严格控制该高强度减薄桥梁护栏的加工方法，分别采用栏杆预制、预制件的堆放运输以及预制件的安装步骤，通过减薄桥梁护栏采用预制件的方式进行加工，加工出来的减薄桥梁护栏强度高，稳定性更强，而且不需要在减薄桥梁上现场进行施工，使得减薄桥梁受到的干扰较小，方便统一进行加工工作，加工精度高，流水化作业，节约了工期和施工成本，跟现有的加工方法相比，该高强度减薄桥梁护栏的稳定性和强度提高30％以上。
减薄桥梁护栏预制件加工栏杆预制堆放流水化作业施工成本桥梁运输节约施工统一

[发明专利]一种键合晶片的减薄方法-CN201310717819.5有效
发明人：王娉婷;奚民伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种键合晶片的减薄方法，在对器件晶片进行减薄之前，先使用磨轮对其边缘进行磨削，以去除其弧形边缘。本发明中在减薄工序之前使用磨轮对键合晶片进行了处理，磨去了器件晶片弧形的边缘，这就有效避免了键合晶片减薄过程中出现尖角，进而杜绝了器件晶片边缘破裂问题的发生，可以在保证器件晶片边缘不破裂的前提下，将其减薄至与现有减薄工艺相比，本发明不会对减薄机台和后续工艺造成任何污染，且所使用的设备简单，易于操作，工序简洁，大大提高了生产效率，降低了生产成本和设备成本。
一种晶片方法

[发明专利]晶圆弯曲度测算方法-CN201110296332.5有效
发明人：傅荣颢;刘玮荪 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了Wafer Bow测算方法，以在减薄工艺前就测算出Wafer Bow，避免减薄工艺完成后才发现Wafer Bow不符合要求带来的各类损失。本发明提供的一种Wafer Bow测算方法，包括步骤：获得减薄前Wafer的曲面半径R0及减薄后wafer的计划厚度T；根据所述曲面半径R0和计划厚度T，计算出减薄后wafer的Wafer Bow为t1，该计算所采用的模型为：t1＝[R0T2-(R02T4-r2T04)1/2]/T02+C(T0/T)1.58，其中T0为减薄前晶圆厚度，r为晶圆半径，C为减薄前由晶圆重力而产生的晶圆弯曲度。
弯曲测算方法

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