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[发明专利]介质层的减薄方法-CN200910196935.0有效
发明人：罗飞;邹立 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种介质层的减薄方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；采用化学机械抛光工艺减薄介质层的第一厚度；采用等离子体刻蚀工艺减薄介质层的第二厚度，所述减薄第二厚度后的介质层均一性高于所述减薄第一厚度后的介质层本发明能够进一步减薄介质层的厚度，提高利用本发明制造的CMOS图像传感器的敏感度。
介质方法

[发明专利]一种避免液晶基板玻璃减薄工艺缺陷的方法及其酸液配置方法-CN201310314183.X无效
发明人：张兵;刘明;金林涛;岳伟 -专利权人：芜湖长信科技股份有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种避免液晶基板玻璃减薄工艺缺陷的方法，在液晶基板玻璃减薄工艺前依次进行前清洗、预处理和后清洗，所述的预处理是利用含有氢氟酸、盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、活性剂、活性剂和水的酸液浸泡。本系统是在减薄之前增加一道预处理系统，以减小或消除此放大作用对产品品质的影响。简单地讲，就是采用特殊配比的前处理液先行填补减薄前产品表面的固有缺陷，然后再进行减薄，以减少HF酸减薄过程中放大效应的影响。弥补了现有减薄技术无法减小或修复减薄前玻璃表面不良的缺点。
一种避免液晶玻璃工艺缺陷方法及其配置

[发明专利]一种芯片厚度减薄的方法-CN202110436052.3在审
发明人：贺晓辉;李迈克;石磊;陈耿 -专利权人：重庆工程职业技术学院
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片厚度减薄的方法，涉及半导体技术领域，提供一载板及一待处理芯片，载板上开设有尺寸大于所述待处理芯片的凹槽；将待处理芯片放入凹槽的中心位置，并使待处理芯片的正面与凹槽底面贴合；将石蜡熔化形成溶体，然后注入待处理芯片四周的凹槽中，冷却凝固；采用背面轨道式腐蚀机利用腐蚀溶液对所述待处理芯片的背面进行腐蚀，得到减薄芯片；然后用非极性溶剂将石蜡溶解，再用去离子水冲洗，将减薄芯片表面的水迹吹干即可。本发明减薄过程简单稳定，减薄后待处理芯片表面光滑平整，能够避免机械减薄对待处理芯片的冲击，使芯片减薄过程不会破碎现象，减薄打磨过程中不会产生硅粉末，能够提高芯片减薄加工效率和质量。
一种芯片厚度方法

[发明专利]基板塑封体减薄方法-CN201610567921.5有效
发明人：金国庆 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板塑封体减薄方法，其特征是，包括以下步骤：（1）准备一中间具有镂空区域的载板，镂空区域能够将基板塑封体嵌入；（2）准备好需要进行减薄的基板塑封体；（3）在载板背面贴附一层减薄胶带，并将待减薄的基板塑封体放置于载板的镂空区域；（4）将步骤（3）得到的载板固定于晶圆减薄机器的平台上，对基板塑封体进行减薄至所需厚度；（5）经步骤（4）减薄后，将载板由平台上取下；（6）将减薄胶带和载板取下，得到所需厚度的基板塑封体。所述载板的厚度小于基板塑封体减薄后的厚度。本发明一方面可实现不需模具投入即可实现不同塑封体厚度的要求，另一方面，可实现超薄基板塑封体厚度的要求。
塑封体减薄方法

[发明专利]炉卷轧机可逆轧制过程中头尾减薄楔形控制的方法-CN202010661520.2有效
发明人：周忠勋;王伟;王鹏;韩庆;张飞 -专利权人：北京科技大学设计研究院有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B21B37/28 文献下载
摘要：本发明提供一种炉卷轧机可逆轧制过程中头尾减薄楔形控制的方法，属于冶金自动化控制技术领域。该方法首先将待轧带钢分别以炉卷轧机头部减薄辊缝、头部楔形辊缝、本体辊缝、尾部楔形辊缝、尾部减薄辊缝轧制，根据头尾减薄比计算出头尾减薄辊缝，根据头、中、尾辊缝，头、尾楔形长度，计算炉卷轧机由头部减薄辊缝执行至本体辊缝、本体辊缝执行至尾部减薄辊缝时的辊缝执行速度，当未轧长度等于定义尾部楔形长度加上尾部减薄长度时，轧机辊缝由本体辊缝执行至尾部减薄辊缝。
轧机可逆轧制过程头尾楔形控制方法

[发明专利]半导体基底减薄方法-CN202010040621.8在审
发明人：朱宏斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体基底减薄方法。本发明提供了一种半导体基底减薄方法，包括如下步骤：提供一半导体基底；对所述半导体基底内部的一区域进行改性处理，形成夹设于所述半导体基底内部的改性层；以所述改性层为截止层刻蚀掉部分所述半导体基底，实现所述半导体基底的减薄本发明简化了半导体基底的减薄工艺，降低了减薄成本；而且能够确保减薄后减薄面的平坦度，改善了半导体器件的性能。
半导体基底方法

[发明专利]一种轮辐轮辋双旋压车轮-CN201410099243.5在审
发明人：孙锋峰;李顺平;盛枫;叶燕飞;董平 -专利权人：浙江金固股份有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： B60B21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种轮辐轮辋双旋压车轮，其包括轮辐和轮辋，轮辐通过轮辐直边固定在轮辋的底槽的底部；轮辋设有通过旋压工艺形成的第一旋压减薄区和第二旋压减薄区；第一旋压减薄区位于外侧胎圈座的底部外侧，两端分别延伸至外侧突峰的根部、与外侧胎圈座邻近的轮缘直边；第二旋压减薄区位于内侧胎圈座、内侧突峰和轮缘直边的底部外侧，两端分别延伸至底槽侧缘、与内侧胎圈座邻近的轮缘直边；第一旋压减薄区和第二旋压减薄区内的结构壁厚为轮辋主体壁厚的55-80%，第一旋压减薄区和第二旋压减薄区的两延伸端构成过渡区，过渡区的壁厚沿延伸方向渐厚。这种结构，实现车轮减重的目的，对轮辋进行减薄同时增加强度。
一种轮辐轮辋双旋压车

[发明专利]一种服役后热部件粘接层的去除方法-CN202211408014.8在审
发明人：何磊;梁云飞;汪超 -专利权人：上海电气燃气轮机有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：在多个相同热部件中选取若干数量的热部件作为参考零件，对参考零件进行酸洗处理；S4、对酸洗后的参考零件进行热染处理，并且若热部件上具有遮蔽涂层时先去除遮蔽涂层；S5、确定MCrAlY粘结层残留区域，作为热部件的减薄区域；对参考零件上的减薄区域进行减薄处理，并且检测减薄情况，直到待减薄区域处的贫铝高铬层被去除，并确定减薄深度；S6、根据参考零件上的减薄区域和减薄深度，对相同热部件上进行减薄处理，将其上贫铝高铬层都去除掉；S7、对步骤S6中减薄处理后的热部件进行酸洗处理。
一种服役部件粘接层去除方法

[实用新型]一种轮辐轮辋双旋压车轮-CN201420121226.2有效
发明人：孙锋峰;李顺平;盛枫;叶燕飞;董平 -专利权人：浙江金固股份有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： B60B21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种轮辐轮辋双旋压车轮，其包括轮辐和轮辋，轮辐通过轮辐直边焊接在轮辋的底槽的底部；轮辋设有通过旋压工艺形成的第一旋压减薄区和第二旋压减薄区；第一旋压减薄区位于外侧胎圈座的底部外侧，两端分别延伸至外侧突峰的根部、与外侧胎圈座邻近的轮缘直边；第二旋压减薄区位于内侧胎圈座、内侧突峰和轮缘直边的底部外侧，两端分别延伸至底槽侧缘、与内侧胎圈座邻近的轮缘直边；第一旋压减薄区和第二旋压减薄区内的结构壁厚为轮辋主体壁厚的55-80%，第一旋压减薄区和第二旋压减薄区的两延伸端构成过渡区，过渡区的壁厚沿延伸方向渐厚。这种结构，实现车轮减重的目的，对轮辋进行减薄同时增加强度。
一种轮辐轮辋双旋压车

[发明专利]一种纳米级减薄方法、直接带隙应变SOI及其制备方法-CN201910843353.0有效
发明人：赵天龙;补钰煜;过润秋;冯兰胜;宋建军;戴显英 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级减薄方法、直接带隙应变SOI及其制备方法，该减薄方法包括：选取衬底层；设计衬底层的厚度与应变量之间的第一预设关系模型，根据第一预设关系模型计算得到衬底层的第一预设厚度和第一预设应变量；利用化学机械抛光工艺对衬底层进行第一次减薄得到第一减薄衬底层；利用湿法刻蚀工艺对第一减薄衬底层进行第二次减薄得到第二减薄衬底层；利用湿法刻蚀工艺对第二减薄衬底层进行第三次减薄得到第一预设厚度的纳米级衬底层本发明设计了衬底层的第一预设关系模型，通过第一预设关系模型得到衬底层的临界厚度，通过三次减薄工艺得到厚度为临界厚度的衬底层，工艺实现简单，且实现了衬底层由间接带隙到直接带隙类型的转变。
一种纳米级减薄方法直接应变 soi 及其制备

[发明专利]圆锥曲线过渡的双轴拉伸疲劳试验件及其试验方法-CN201810035039.5在审
发明人：费庆国;柳友志;张大海;何顶顶;徐文鹏 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G01N3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种圆锥曲线过渡的双轴拉伸疲劳试验件及其试验方法，该试验件整体呈十字型，具有四个加载臂，四个加载臂的一端汇成中心区，另一端为夹持区，相邻加载臂的根部之间设有圆锥曲线形成的过渡区，圆锥曲线的对称轴至少与试验件的一条对称轴重合，过渡区和中心区之间设有厚度减薄区，厚度减薄区采用双圆弧、样条曲线或单圆弧方式减薄。本发明的优点是：采取的圆锥曲线过渡形式，使中心区内的应力应变更加均匀且尽可能减少相邻加载臂之间的影响；通过平滑过渡和中心区减薄设计，使试验件在试验过程中破坏和裂纹首先发生在中心区内。
圆锥曲线加载臂试验件中心区厚度减薄区疲劳试验双轴拉伸对称轴过渡区过渡形式减薄设计平滑过渡试验过程样条曲线应力应变单圆弧夹持区十字型双圆弧试验重合减薄

[发明专利]通过叠层提高近红外谱段效率的CCD器件及其制作方法-CN201811007044.1在审
发明人：王小东;汪朝敏;白雪平 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明包括以下步骤：S1、将普通CCD器件进行背面减薄；S2、将两片减薄后的CCD器件背面分别粘接在透光绝缘介质材料的上、下表面，得到至少一组两片粘接的CCD器件单元；S3、将粘接的CCD器件封装在专用管壳中，即对于一组两片粘接的CCD器件单元直接封装在专用管壳中；对于多组两片粘接的CCD器件单元，将它们粘接成整体后再封装在专用管壳中；S4、在专用管壳两端接入系列引脚进行驱动。通过对常规CCD器件进行减薄并叠层，2片/多片减薄后的CCD器件叠层应用，可以增强900nm～1000nm近红外谱段的量子效率。
叠层管壳红外谱段片粘接减薄粘接封装绝缘介质材料设计技术领域背面减薄两端接入量子效率直接封装下表面透光多片引脚制作背面驱动应用

[实用新型]一种新型雾化器翻盖FPC转轴机构-CN202220103713.0有效
发明人：李克 -专利权人：陶醉天下科技有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： A24F40/40 文献下载
摘要：括烟仓以及仓盖，烟仓的内部设置有一端延伸至仓盖内部的FPC柔性板，仓盖与烟仓之间通过铰接件连接，FPC柔性板上设置有与铰接件内部相套接的减薄部，当铰接件翻转时，减薄部受到铰接件的带动进行弯曲。通过设置转轴定位件、FPC柔性板、减薄部、转轴下盖以及转轴上盖，FPC柔性板上的减薄部采用超薄处理，再配合转轴上盖与转轴下盖之间的超薄过孔间隙，使得该装置的设计更加简单，FPC柔性板的性能得到最大的保证，不会担心过多的配合磨损干涉，而影响到FPC柔性板的寿命，铰接件整体采用316不锈钢配合粉末冶金制造工艺制成，结构精巧，稳定可靠，保证了该装置的使用性。
一种新型雾化器翻盖 fpc 转轴机构

[发明专利]一种用于硅基光敏芯片减薄的方法-CN202111491478.5在审
发明人：杨瑞雨;罗国凌;邓杰;谢修敏;刘永;王泽源;陈剑;柯尊贵 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅基光敏芯片减薄的方法，包括：硅片背面蒸铝、光刻掩模、磷酸腐铝、局部刻蚀减薄、后续工艺以及硅片划片分离得到光敏芯片。本发明不同于传统的在芯片级对单个光敏芯片减薄的方法，而是在晶圆级对硅片采用正面保护和背面局部减薄相结合的方式，既保证了硅基光敏芯片的减薄工艺，又确保了局部减薄硅片的机械强度还可以支持后续加工工艺。该方法简化了后续芯片级减薄的工艺流程，降低了光敏芯片在工艺制造过程碎片率，提高了芯片制备的成品率，降低了工艺成本。
一种用于光敏芯片方法

[实用新型]一种粗针提花的上提花片-CN202020842614.5有效
发明人：郑加新;幸友成;李小兰 -专利权人：泉州恒毅机械有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： D04B15/84 文献下载
摘要：提花片为片状体，提花片中部为减薄部、两端为厚段部，提花片一侧面向内凹陷形成所述减薄部，所述减薄部形成弧形弯曲，且减薄部朝向具有凹陷一侧的方向弯曲，所述厚段部为平直状。通过设置减薄部降低了对提花片弯曲量精度的要求，降低了生产难度及成本；减薄部采用一侧去除材料凹陷形成，且朝向凹陷一侧的方向弯曲，避免了减薄部的设置对提花片正常工作的影响。
一种提花

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