“整体减薄”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2036260个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种FMM用金属薄板的减薄装置及其减薄的控制方法-CN201910144960.8在审
发明人：陈彦志;黄俊铭 -专利权人：合肥永淇智材科技有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： B21B1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种FMM用金属薄板的减薄装置及其减薄的控制方法，减薄装置包括FMM金属薄板在传送机构带动下依次经过的减薄区、缓冲区、以及卸料区，所述减薄区包括依次设置的第一滚压机构与第二滚压机构，所述第一滚压机构与所述第二滚压机构均包括偶数个关于本发明FMM金属薄板在传送机构的带动下平稳传送，并经第一滚压机构、第二滚压机构进行连续精准减薄，经缓冲区进一步调整，最后经卸料区的夹紧轮隔段，整个减薄装置结构简单、布局合理，实现了FMM金属薄板的精准、快速减薄与调控，确保了FMM金属薄板的减薄质量。
金属薄板滚压机构减薄减薄装置传送机构缓冲区减薄区卸料区对称布置依次设置滚压轮夹紧轮隔段传送调控

[发明专利]一种评估管道减薄速率的方法-CN201911263225.5在审
发明人：刘泽坤;刘忠;孔晨光;孙永亮;张帅;刘向兵;段德洪 -专利权人：岭澳核电有限公司;苏州热工研究院有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种评估管道减薄速率的方法，用于对作为评估对象的管道或管段的减薄速率进行评估，评估管道减薄速率的方法为：首先将评估对象划分为若干分析单元，再分别计算各分析单元的减薄速率，最后将计算出的各分析单元的减薄速率的最大值作为评估对象的减薄速率计算分析单元的减薄速率的方法为：检测获得分析单元各处的多个厚度值，取分析单元的名义厚度和检测到的最大厚度中的较大者作为原始厚度，则分析单元的减薄速率为原始厚度和检测到的最小厚度的差值与间隔时间的比值。本发明能够较为准确地计算管道减薄速率，避免了传统计算过程中出现的较大计算误差，为管道寿命预测提供科学的依据和方法。
一种评估管道速率方法

[发明专利]一种半导体封装结构的开封方法-CN202110226516.8在审
发明人：徐静 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体封装结构的开封方法，半导体封装结构包括基板、晶粒堆叠结构和封装材料层；晶粒堆叠结构包括依次堆叠设置在基板上的多个晶粒；多个晶粒包括目标晶粒；开封方法包括以下步骤：对半导体封装结构远离基板的一侧沿纵向进行减薄处理，直至距离目标晶粒的上表面预设距离的减薄停止面，使半导体封装结构保留位于目标晶粒的上表面与减薄停止面之间的减薄剩余材料，以及位于减薄停止面下方且位于目标晶粒四周的减薄后封装材料层；以及移除减薄剩余材料以及位于减薄停止面下方且位于目标晶粒四周的部分减薄后封装材料层
一种半导体封装结构开封方法

[发明专利]一种评价含渐进局部减薄缺陷弯管极限承载能力的方法-CN202211172372.3在审
发明人：高炳军;祁勇;李岩;余雏麟;董俊华 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明为一种评价含渐进局部减薄缺陷弯管极限承载能力的方法，通过有限元极限载荷分析确定已知局部减薄尺寸弯管的极限承载荷能力；结合壁厚定点测厚结果，采用计算流体力学与动网格法分析弯管冲蚀磨损区域与最大冲蚀减薄深度随时间的变化规律，获得实际局部减薄形貌缺陷随时间的变化规律；确定与实际局部减薄形貌缺陷极限载荷相当的当量局部减薄缺陷的区域范围与深度，据此得到实际冲蚀减薄区域范围和最大冲蚀减薄深度随时间的变化规律，从而实现含渐进局部减薄缺陷弯管极限承载能力评价
一种评价渐进局部缺陷弯管极限承载能力方法

[发明专利]电路板上倒装芯片减薄方法、研磨钻头和固定底座-CN201910945718.0有效
发明人：林晓玲;梁朝辉;恩云飞 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种电路板上倒装芯片减薄方法、研磨钻头和固定底座；所述方法包括以电路板上待减薄倒装芯片远离固定底座的方式将电路板粘贴在固定底座上；在研磨钻头的研磨端面上粘贴研磨膜，对待减薄倒装芯片的背面进行研磨，直至待减薄倒装芯片的厚度达到预设研磨厚度；去除研磨膜，并在研磨钻头的研磨端面上粘贴抛光布，对待减薄倒装芯片的背面进行抛光，直至待减薄倒装芯片的厚度达到预设抛光厚度，实现对焊接在电路板上的倒装芯片直接减薄，减少传统技术中将倒装芯片从电路板上拆卸下来的次数，减少多次高温焊接工艺对倒装芯片的热损伤，从而保证减薄前后的倒装芯片的性能不受损，大大地提高减薄前后的试验验证、辐射试验的效率。
电路板倒装芯片方法研磨钻头固定底座

[发明专利]IGBT晶圆的减薄方法-CN202010618537.X有效
发明人：郁新举;叶斐;朱伟杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT晶圆的减薄方法，包括：在集成有IGBT器件的晶圆的正面贴附第一薄膜；对晶圆进行减薄，使晶圆的厚度减薄至第一目标厚度；去除第一薄膜，在晶圆的正面贴附第二薄膜；对第二薄膜进行减薄；对晶圆进行减薄，使晶圆的厚度减薄至第二目标厚度；去除第二薄膜。本申请通过在对IGBT晶圆进行制造的过程中，在对晶圆的背面研磨至所需求的厚度之前，依次对晶圆的背面和贴附在晶圆正面的薄膜进行减薄，从而降低了在晶圆研磨过程中晶圆的厚度和薄膜的厚度对减薄工艺的影响，从而提高了减薄后的晶圆的厚度的一致性
igbt 方法

[实用新型]玻璃基材减薄装置及系统-CN201320349250.7有效
发明人：蔡锦云;符维强;李步龙 -专利权人：厦门市豪尔新材料有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种玻璃基材减薄装置及系统，包括：补液槽、减薄槽、挡板、滤板、阀门、过滤槽，所述补液槽设于减薄槽的上方，在补液槽内设有氟离子浓度测量装置，所述挡板设于减薄槽的两侧，所述挡板上开设多个用以分流的小孔，所述滤板设在减薄槽内部的下方，所述阀门设在减薄槽底部，所述滤板通过阀门连接所述过滤槽。通过在挡板上设置分流的小孔，可避免蚀刻溶液流速过快对玻璃基材产生划伤，使减薄后的玻璃光泽饱满，没有残留的污渍，同时也保证溶液中每个位置氟离子浓度相同，由于设置滤板，减薄时产生的氟化合物颗粒随着蚀刻溶液往管道里走，直接进入过滤槽，滤板能够阻挡颗粒往减薄槽运动，避免颗粒对玻璃产生划伤。
玻璃基材装置系统

[实用新型]盖板组件、电池单体、电池模块、电池组及装置-CN201922387308.7有效
发明人：白璐璐 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01M2/12 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种盖板组件、电池单体、电池模块、电池组及装置，盖板组件包括：顶盖板，顶盖板上设置有防爆阀；绝缘板，和顶盖板层叠设置，绝缘板具有基体部和位于基体部的减薄区域，减薄区域由基体部减薄形成，且在盖板组件的厚度方向上，减薄区域正投影边界围合形成的区域和防爆阀的正投影至少部分重叠设置。减薄区域由基体部减薄形成，因此减薄区域受热易软化变形，导致减薄区域出现通孔，能够有效增大排气面积，保证防爆阀正常及时开启。减薄区域在厚度方向上和防爆阀的位置相对应，使得气体能够快速抵达防爆阀，进而能够快速冲破防爆阀，能够有效提高电池单体的安全性能。
盖板组件电池单体模块电池组装置

[实用新型]一种玻璃减薄生产线-CN201920571670.7有效
发明人：袁树明 -专利权人：合肥伟仕泰克电子材料有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种玻璃减薄生产线，包括转换区、冲洗区和蚀刻区，所述冲洗区和所述蚀刻区的两端均设置在所述转换区上，所述转换区上设置有进料端和出料端；竖直容纳在玻璃减薄治具中的多个玻璃通过所述进料端被加载到所述转换区并经所述冲洗区和所述蚀刻区中从所述出料端卸载，所述冲洗区用于清洁玻璃，所述蚀刻区用于玻璃的减薄处理；本实用新型中所述玻璃减薄生产线采用喷淋减薄的方式对竖直容纳在玻璃减薄治具中的玻璃进行减薄处理，可实现单次多片玻璃减薄，同时避免浸泡式减薄法中反应产物粘附在玻璃上造成不良品的问题
减薄玻璃冲洗区蚀刻区转换区本实用新型减薄处理出料端进料端竖直治具容纳清洁玻璃不良品浸泡式多片加载喷淋卸载粘附

[实用新型]一种圆壳底部减薄装置-CN202320059044.6有效
发明人：袁沙;励建立;李武章 -专利权人：江苏科达利精密工业有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B21D37/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及圆壳再加工技术领域，且公开了一种圆壳底部减薄装置，包括固定座，所述固定座上安装有圆壳减薄凸模，且所述圆壳减薄凸模可在所述固定座上径向滑动，所述圆壳减薄凸模与固定座之间安装有弹簧，所述圆壳减薄凸模的底部设置有凹模，所述凹模的内部固定有顶杆，所述顶杆的顶部中间位置固定有凸块，该圆壳底部减薄装置，实现对圆壳底部减薄进行自动化加工，效率更高，且在加工的过程中能够保证减薄处与圆壳之间同心，提高加工的精度。
一种底部装置

[发明专利]锗薄膜的减薄方法-CN201410459554.8在审
发明人：孙川川;王敬;梁仁荣;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗薄膜的减薄方法，包括以下步骤：提供表面为锗薄膜的晶片；将晶片浸于包括氧化剂的水溶液中以进行锗薄膜的减薄，其中氧化剂将锗转化为锗氧化物，锗氧化物溶解在水溶液中；对减薄后的晶片进行清洗。本发明实施例的锗薄膜的减薄方法具有成本低、操作简便的优点，此外，与现有化学机械抛光减薄相比，具有可以通过控制溶液的配比以及温度，使得腐蚀减薄速率可控、减薄后表面粗糙度小的优点。
薄膜方法

[发明专利]一种氮化镓晶圆及其减薄方法-CN202211188317.3在审
发明人：张林;罗晓菊 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓晶圆及其减薄方法，包括以下步骤：提供一氮化镓晶圆；使用研磨机进行研磨，Ga面第一次减薄150μm‑200μm，N面第一次减薄200μm‑250μm，Ga面第二次减薄100μm‑150μm，N面第二次减薄100μm‑150μm。本发明的有益效果是Ga面、N面交替减薄，可以将晶圆的翘曲、弯曲度控制在很小的范围内，从而减少减薄过程中的裂片、边缘裂纹问题。
一种氮化镓晶圆及其方法

[发明专利]一种铝合金薄板近无减薄搅拌摩擦焊接方法-CN202211347009.0在审
发明人：李超;王贺;宋建岭;杜岩峰;钱伟;刘含伟;高文静;马康;赵彦广;朱亚蓉;肖宏;赵英杰;孙转平;王宁;张睿博;刘旭;邓利芬;张鑫;刘旺;王馨梦 -专利权人：天津航天长征火箭制造有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B23K20/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝合金薄板近无减薄搅拌摩擦焊接方法，包括以下步骤：采用近无减薄搅拌头控制焊缝正面减薄量；采用近无减薄搅拌头控制焊缝背面减薄量；采用近无减薄搅拌头焊接焊缝。本发明有益效果：本发明实现了薄板铝合金的近无减薄近无缺陷搅拌摩擦焊接，使薄板航天产品的高质量焊接成为可能，大幅提高了产品焊接质量，并减小了产品焊接变形，对航天型号产品的工程化应用具有重要的现实意义和巨大的经济价值
一种铝合金薄板近无减薄搅拌摩擦焊接方法

[发明专利]麦克风MEMS减薄工艺方法-CN201410268499.4有效
发明人：郁新举 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种麦克风MEMS减薄工艺方法，该方法在进行晶圆减薄工艺前，先将麦克风的通孔细化为多个微孔，并在微孔内填满介质膜，在晶圆减薄完成后，再去除所述介质膜，形成所要求尺寸的通孔。本发明通过将大通孔微量化，并填充介质膜，作为晶圆减薄时的支撑物，减薄后再去除介质膜形成通孔，确保了晶圆减薄过程中有足够的支撑力，从而改善了减薄过程中因支撑力不足而导致的碎片问题。
麦克风 mems 工艺方法

[发明专利]晶圆减薄方法-CN201210333127.6有效
发明人：邢家明;洪齐元 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆减薄方法，所述晶圆减薄方法包括：提供晶圆，并在所述晶圆中形成阻挡层；利用磨削工艺减薄晶圆；利用化学机械研磨工艺减薄晶圆至所述阻挡层。利用阻挡层标示出晶圆需要减薄到的位置，由此，利用化学机械研磨工艺便能实现对晶圆的减薄精度要求，避免了对于湿法刻蚀工艺的使用，由此也就避免了湿法刻蚀工艺所带来的一些缺陷，提高了晶圆减薄工艺的可靠性。
晶圆减薄方法