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[实用新型]一种基板减薄装置-CN202022301624.0有效
发明人：陆卉 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及液晶显示技术领域，公开了一种基板减薄装置。所述基板减薄装置包括反应槽、篮具、喷淋组件及供液组件，其中，反应槽内盛装有刻蚀介质，篮具用于将基板支撑为竖直姿态，且篮具容置于反应槽内，基板浸没于所述刻蚀介质，基板的两侧均设置有所述喷淋组件，供液组件与喷淋组件相连通本实用新型的基板减薄装置，基板在减薄变软后，其两侧的喷淋组件喷射的液柱能够使基板保持平衡，并在水平方向支撑基板，使基板保持竖直姿态以继续减薄到更薄的尺寸；基板的两侧同时进行减薄，减薄效率高；减薄过程不需对基板进行其他操作
一种基板减薄装置

[发明专利]基于超声横波的结构表面减薄缺陷起始点定位方法、设备-CN202210638255.5有效
发明人：崔悦;魏东;杜雁霞;向静;童福林;肖光明;石友安;桂业伟 -专利权人：中国空气动力研究与发展中心计算空气动力研究所
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明公开了基于超声横波的结构表面减薄缺陷起始点定位方法、设备，属于超声无损探测技术领域，包括步骤：在对结构表面的多种形状减薄缺陷进行超声横波探测时，通过检测减薄缺陷起始位置点的反射叠加波幅值，实现减薄缺陷起始点的精确定位本发明提高对减薄缺陷所在位置的识别精度，从而为结构的安全评估提供最准确的基准数据和评价依据。
基于超声结构表面缺陷起始定位方法设备

[发明专利]一种WLCSP晶圆背面减薄工艺-CN201310747513.4在审
发明人：江博渊;肖启明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明记载了一种WLCSP晶圆背面减薄工艺，应用于晶圆级芯片尺寸封装工艺中，通过于待减薄晶圆的正面边缘处的表面形成与凸块高度相当的起物理支撑作用的黏合物层，在对该待减薄晶圆进行减薄时，黏合物层可以起到支撑晶圆边缘的作用，还能起到与保护层粘附的作用，并在对该晶圆进行减薄后去除该支撑结构，从而有效避免了在对晶圆背面进行减薄工艺时晶圆边缘发生崩裂的现象，且进一步提高了晶圆减薄的自由度，进而提高了WLCSP封装的效率。
一种 wlcsp 背面工艺

[发明专利]热增强型封装和其制作过程-CN201980090320.1在审
发明人：朱利奥·C·科斯塔;乔治·马克西姆 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种热增强型封装包含载体、所述载体之上的经减薄管芯、模制化合物以及除热器。所述经减薄管芯包含所述载体之上的装置层和所述装置层之上的介电层。所述模制化合物位于所述载体之上、围绕所述经减薄管芯并且延伸到所述经减薄管芯的顶表面之外以在所述模制化合物内和所述经减薄管芯之上限定开口。所述经减薄管芯的所述顶表面处于所述开口的底部处。所述除热器的至少一部分插入到所述开口中并且与所述经减薄管芯热接触。在本文中，所述除热器由金属或合金形成。
增强封装制作过程

[发明专利]感应式安瓿瓶开瓶器-CN201410427768.7有效
发明人：陈丽萍;曹梅利;邵雪晴;赖胜蓝 -专利权人：中国人民解放军第二军医大学
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： B67B7/92 文献下载
摘要：本发明提供一种感应式安瓿瓶开瓶器，其特征在于，包括用于减薄安瓿瓶的瓶颈的减薄部；用于折断被减薄的瓶颈的打击部；用于承载减薄部和打击部的壳体；以及为减薄部和打击部提供动力的驱动部。其中，壳体下端设置有用于容纳瓶颈的安放口，减薄部包括与安放口相对应的用于通过摩擦减薄所述瓶颈的磨削单元，磨削单元能够适应不同尺寸的安瓿瓶，打击部具有打击臂，打击臂能够打击安瓿瓶的上部并复位。
感应安瓿开瓶器

[发明专利]用于制造棱柱形电池单元容器的方法和装置-CN201780068540.5有效
发明人： B.布赫特 -专利权人：许勒压力机有限责任公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： B21C1/26 文献下载
摘要：然后，通过第一减薄站（25）中的第一次减薄以及通过第二减薄站（28）中的第二次减薄来形成经挤制的容器（41）。在减薄期间，容器通过相应的减薄压头（26、29）仅部分地移动穿过相关联的模具工具（27、30），并且当到达反向点（U）时被反向。在第二次减薄之后，分离所获得的中间容器（77）的剩余边缘（82），由此获得电池单元容器（21）。
用于制造棱柱电池单元容器方法装置

[实用新型]防爆膜、动力电池盖板结构及电池-CN202021197902.6有效
发明人：张勇杰;许久凌;毕吉玉 -专利权人：中航锂电（洛阳）有限公司;中航锂电技术研究院有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01M2/12 文献下载
摘要：防爆膜包括本体，本体上设置有加强部和减薄部，加强部位于减薄部的内侧，加强部和减薄部间隔设置。通过在本体上设置有相间隔的加强部和减薄部，能够有效提高防爆膜的结构强度，抑制形变的发生，并且在电池内部气压高时，防爆膜受到内部气压的影响，会在减薄部处出现变形拉伸而断裂，加强部不与减薄部相连接会使得减薄部各个部分都会受到相同的气压而发生变形
防爆膜动力电池盖板结构电池

[实用新型]一种壳体结构及电池及动力设备-CN202223440456.9有效
发明人：李龙 -专利权人：蜂巢能源科技股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01M50/30 文献下载
摘要：所述壳体结构包括：第一壁面；防爆阀，形成于所述第一壁面上，所述防爆阀由所述第一壁面的部分区域减薄而成，所述防爆阀包括形成于外周的第一减薄区以及设置于所述第一减薄区内的第二减薄区。本实用新型提供的壳体结构，由于所述第一减薄区的存在，使得壳体的膨胀区域能够被提前规划，避免壳体的其他部分发生膨胀，进一步的，随着所述第一减薄区对应区域的气压增大，第二减薄区能够被轻易冲开。
一种壳体结构电池动力设备

[发明专利]一种位移载荷作用下非均匀壁厚波纹管指数减薄计算模型-CN202310849434.8在审
发明人：马园园;张建明;苏天一;高奇 -专利权人：辽宁工业大学
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种位移载荷作用下非均匀壁厚波纹管指数减薄计算模型，属于壁厚不均匀度监测技术领域，包括基于指数减薄法的非均匀波纹管壁厚表达式和基于指数减薄法的非均匀壁厚波纹管的模型，利用所述基于指数减薄法的非均匀波纹管壁厚表达式和所述基于指数减薄法的非均匀壁厚波纹管的模型进行数值模拟根据波纹管液压成形原理和波纹管设计标准中壁厚减薄公式，提出基于指数减薄法的非均匀波纹管壁厚表达式并根据指数减薄法来建立非均匀壁厚波纹管的模型，并对数值结果进行了分析，将数值模拟结果与试验结果相对比，验证了指数减薄法的准确性和可靠性
一种位移载荷作用均匀波纹管指数计算模型

[发明专利]硅基红外探测器芯片背面减薄方法及硅基红外探测器芯片-CN202110380310.0有效
发明人：程雨;刘海龙;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基红外探测器芯片背面减薄方法及硅基红外探测器芯片。硅基红外探测器芯片背面减薄方法，包括：沿焦平面阵列本体的四周涂抹光刻胶，以遮挡所述焦平面阵列本体的四周与读出电路板所形成的缝隙；对所述焦平面阵列本体的衬底进行背面减薄相关工艺；去除所述光刻胶。采用本发明，在常规红外探测器芯片减薄和硅材料减薄的基础上，在硅基红外探测器芯片背面减薄前，对焦平面阵列与电路接触的四周缝隙进行光刻胶阻隔，防止内部被背面减薄工艺所污染或者腐蚀，在背面减薄后对焦平面阵列与电路接触的四周缝隙进行清洁，防止造成焊接效果不佳以及焦平面阵列与电路的间隙光刻胶残留，解决了铟凸点缝隙间不填充胶水的芯片减薄工艺难题。
红外探测器芯片背面方法

[发明专利]一种高密度线路板的制造工艺-CN201210290786.6有效
发明人：崔成强 -专利权人：安捷利电子科技（苏州）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：一种高密度线路板的制造工艺采用通用的附树脂铜皮（RCC）基材，通过减薄铜工艺得到超薄铜层，再以层压方式将减薄铜后的附树脂铜皮（RCC）基材与已经制备好线路板压合，再通过减薄铜工艺得到超薄铜层，然后以UV本发明降低基板的整体厚度、增加布线密度和改善高频信号传输时的完整性。
一种高密度线路板制造工艺

[发明专利]一种晶圆级异质结构的平坦化工艺方法-CN201910882311.8有效
发明人：张姗;赵广宏;许姣;汪郁东;陈春明;张洪涛;申占霞;金小锋 -专利权人：北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级异质结构的平坦化工艺方法，实现基片表面为异种材质，非单一材质，特别是由金属材质和胶类材质的组成的表面结构的减薄抛光。减薄抛光的主要步骤有机械减薄、机械抛光、化学机械抛光。采用本发明工艺方法，平坦化后的晶圆基片表面整体平整度可控制在(3～10)μm以内，其表面异质结构间高度差在1μm以内，表面金属材质区域的粗糙度小于1nm。
一种晶圆级异质结构平坦化工方法

[实用新型]一种型线轴瓦-CN202321000010.6有效
发明人：张志峰;田骏 -专利权人：米巴精密零部件（中国）有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： F16C33/04 文献下载
摘要：该轴瓦整体呈半圆弧形，轴瓦内壁在周向上分为承载区和非承载区；承载区在周向上占有轴瓦内壁的夹角为40.0°~90.0°，承载区包括沿轴瓦两侧边缘设置的过渡面和位于两侧的过渡面之间的主承载面，过渡面的宽度为6.0‑10.0 mm；轴瓦在过渡面上做减薄处理，最小减薄为0，最大减薄为30.0~50.0μm。
一种线轴

[发明专利]一种二维碲烯的局部减薄方法-CN202210654988.8在审
发明人：柴扬;林梓愿 -专利权人：香港理工大学深圳研究院
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/06 文献下载
摘要：本发明公开一种二维碲烯的局部减薄方法。该二维碲烯的局部减薄方法，包括步骤：提供待减薄的二维碲烯；在所述二维碲烯的一端制备铂层；将制备有铂层的二维碲烯浸泡在水中，并采用光照射；在光照射条件下浸泡预定时间后，取出并干燥，得到局部减薄的二维碲烯。本发明利用二维碲烯在金属铂的催化下发生的光氧化反应，实现了二维碲烯的局部减薄。本发明该减薄方法，其对剩余的二维碲烯的损伤小。另外，该减薄方法控制容易，通过控制浸泡时间即可控制减薄的厚度。此外，本发明利用金属铂的催化作用，使得二维碲烯的减薄能够局限在金属电极附近，通过选择金属电极位置能够实现二维碲烯选择性的减薄。
一种二维局部方法

[发明专利]一种筒形件对轮旋压内外旋轮减薄量的确定方法-CN202011512575.3在审
发明人：杨延涛;曹学文;韩冬;赵琳瑜;韩华强;牟少正;温树斌;罗卉;白小雷 -专利权人：西安航天动力机械有限公司
申请日： 2020-12-20 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：一种筒形件对轮旋压内外旋轮减薄量的确定方法，通过综合考虑对轮旋压时薄壁筒形件直径D、旋压毛坯初始壁厚t0、金属材料种类及强度、旋压机刚性、旋轮数量、旋轮圆角半径及攻角、冷却方式及冷却液流量等因素对薄壁筒形件对轮旋压成形精度的影响规律，确定筒形件道次总减薄量Δt，该道次总减薄量Δt对应的减薄率θ为30％‑80％，并根据总减薄量Δt确定薄壁筒形件对轮旋压时的内旋轮减薄量Δt1和外旋轮减薄量Δt2的计算方法，为高精度薄壁筒形件对轮旋压时内旋轮减薄量Δt1、外旋轮减薄量Δt2的计算、选取提供依据。用于指导薄壁筒形件对轮旋压实际生产及加工过程，方便快捷的设定内外旋轮减薄量参数，用于稳定成形高精度对轮旋压筒形件。
一种筒形件轮旋压内外旋轮减薄量确定方法