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[发明专利]一种硅台面深槽结构的制备方法-CN202310784539.X在审
发明人：钟立志;刘学明;谢强;刘燕 -专利权人： 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅台面深槽结构的制备方法，包括：将清洗后的硅晶圆的表面依次形成氧化硅膜和氮化硅膜，其中，氧化硅薄膜和氮化硅薄膜组成深槽腐蚀掩蔽膜；对形成深槽腐蚀掩蔽膜的硅晶圆进行光刻工艺定义深槽结构区域；通过刻蚀工艺去除深槽结构区域的深槽腐蚀掩蔽膜；将去除深槽结构区域的深槽腐蚀掩蔽膜的硅晶圆进行烘烤；将烘烤后的硅晶圆进行硅槽腐蚀；对硅槽腐蚀后的硅晶圆的深槽结构区域外的深槽腐蚀掩蔽膜进行腐蚀得到硅台面深槽结构。本发明使得硅槽结构完整且无尖峰毛刺现象。
一种台面结构制备方法

[发明专利]一种不确定照明条件下的辐射图像自适应增强方法和系统-CN202310488242.9在审
发明人：陆振林;杨若凌;刘轶凡;崔靳;袁帅帅;高冉冉;徐阳;张泽广;李想;刘阳 -专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明属于辐射图像处理领域，具体涉及一种不确定照明条件下的辐射图像自适应增强方法和系统，旨在解决现有图像增强方法处理在不确定照明条件下采集的像素值分布不均衡的图像，很难获得稳定的增强效果，导致增强后的图像鲁棒性差的问题。本发明方法包括：获取待自适应增强的辐射图像；抑制辐射图像的噪点，得到噪声优化图像；将高斯滤波的归一化高斯核与噪声优化图像进行卷积运算，得到照度图像；计算照度图像对应的调整因子矩阵；分解噪声优化图像，调整噪声优化图像对应的环境光照分量，得到反射图像；对反射图像进行局部对比度增强处理。本发明提升了不确定照明条件下采集的像素值分布不均衡的图像的对比度增强效果，提高了图像增强的鲁棒性。
一种不确定照明条件下辐射图像自适应增强方法系统

[发明专利]一种多电源域全芯片ESD保护架构-CN202310498133.5在审
发明人：王小明;乐立鹏;方新嘉;庞敏;王伊卜 -专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明属于芯片架构领域，具体涉及了一种多电源域全芯片ESD保护架构，旨在解决现有技术未从全芯片的全方位保护着手，芯片的抗ESD能力尚达不到预期的问题。本发明包括：分别设置于芯片输入输出端口区和芯片核心区的多个ESD电源钳位电路，用于形成ESD电流的低阻抗泄放通路，钳位电源总线电压低于设定值；分别设置于多电源域全芯片的各电源域之间轨间电路，用于形成不同电源域之间的ESD电流的低阻抗泄放通路；分别设置于芯片输入输出端口环与芯片核心区的设定位置的多组ESD防护电路构成的ESD电源网络，用于消除电源线、地线寄生电容及电阻对ESD的负面影响。本发明提高了整个芯片的抗ESD能力，达到了对整个芯片提供全方位保护的目的。
一种电源芯片 esd 保护架构

[发明专利]用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路和供电方法-CN202310506138.8在审
发明人：胡一凡;王勇;王瑛;彭领;孔瀛 -专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明属于集成电路领域，具体涉及了一种用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路和供电方法，旨在解决现有的供电电路稳定性不足的问题。本发明包括：依次连接的自举钳位稳压电路和HS负偏压能力提升电路；自举钳位稳压电路包括：低压电平位移电路、驱动电路、开关PMOS管、高压自举二极管DBST1和线性稳压器；HS负偏压能力提升电路包括：自举电容CBST、三通道集成自举子电路、高压电平位移电路、RS触发器和高侧输出驱动电路。本发明使高侧电源HB与高侧地HS之间的压差保持为恒定的5V，实现对GaN器件栅极的钳位保护，通过三通道集成电路避免电平位移电路的电源随HS变负而下降，提升电平位移电路的抗HS负偏压能力。
用于半桥型氮化栅极驱动器供电电路方法

[发明专利]一种基于多芯片封装的抗辐射导航模块-CN202310855572.7在审
发明人：刘肖姬;冯长磊;李文杰;刘志刚;倪枫;王蕊;李楠;郭权;吕冰 -专利权人： 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01S19/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多芯片封装的抗辐射星载导航模块，属于导航技术领域，包括射频处理芯片、基带处理芯片、FLASH存储芯片、模数转换芯片；射频处理芯片、基带处理芯片、FLASH存储芯片、模数转换芯片均为裸芯片，通过引线键合工艺连接在基板上，选用的裸芯片具有抗辐射功能，使其能够满足空间轨道应用。抗辐射星载导航模块可以提供实时的导航、定位、测姿、测向、授时功能，满足通讯卫星、遥感卫星及各类型航天器的导航控制和空间探测应用。同时克服现有星载导航模块体积大，走线难，成本高等问题。
一种基于芯片封装辐射导航模块

[发明专利]一种抗单粒子烧毁的SiC JFET器件结构及制备方法-CN202310798197.7在审
发明人：方星宇;舒磊;王亚坤;李同德;王亮;张彦龙;朱永钦;杜芊;鲍一豪;刘智超 -专利权人： 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明一种抗单粒子烧毁的高压沟槽型SiC JFET器件结构和制备方法，所述新型抗单粒子烧毁的沟槽型SiC JFET结构的元胞包括：漏极金属电极、N+衬底区、N‑漂移区、栅极金属电极、栅极沟槽底部和侧壁离子注入形成的P型掺杂区、电流扩展层、N+源区以及与源区相连的源极金属电极。其中，P型掺杂区整体与栅极相连，其内部由不同掺杂浓度的P型区域构成，重掺杂区域位于栅极沟槽拐角处。该结构改善了器件内部的电场分布，可有效缓解重离子入射引发的器件内部局部高温情况，具有较强的抗单粒子烧毁能力。同时，该结构可于漂移区额外添加缓冲层，进一步提高器件的抗单粒子烧毁能力。
一种粒子烧毁 sic jfet 器件结构制备方法

[发明专利]一种FPGA比特流加解密系统安全性评估的方法和装置-CN202310484311.9在审
发明人：张彦龙;李煜;陈雷;王硕;周婧;庞永江;田春生;周冲;张瑶伟;马筱婧 -专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明属于FPGA安全领域，具体涉及一种FPGA比特流加解密系统安全性评估的方法和装置，旨在解决现有的FPGA芯片存在加密比特流被解析的风险，若无法有效检测，会造成极大的安全性隐患的问题。本发明方法包括：获取加密比特流，作为第一比特流；基于明文比特流中各子功能对应的位置，对第一比特流进行密文修改，得到第二比特流；对第二比特流进行解密，并读取解密后的第二比特流的片段，作为第三比特流；将第三比特流与明文比特流进行比对，根据比对结果得到目标FPGA芯片其对应的比特流加解密系统的安全性。本发明实现了对FPGA芯片中可能被解析的加密比特流的有效检测，即评估，提升了FPGA芯片的安全性。
一种 fpga 比特流解密系统安全性评估方法装置

[发明专利]抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法-CN202310637654.4在审
发明人：曹安妮;李鑫;张彦龙;王亮;赵元富 -专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本发明属于非易失新型存储领域，具体涉及了一种抗辐射加固预放电型灵敏放大器及其控制方法，旨在解决现有的存储单元外围基于MOS管的电路仍然对空间辐射效应敏感的问题。本发明包括：预先放电部分通过第一传感支路和第二传感支路连接至充电传感部分；充电传感部分包括PMOS管PM0和PM1并连接至VDD；第一反馈支路的第一端连接PM0，第二端连接PM1第三端连接至第一传感支路，第四端连接第二传感支路；第一传感支路通过第二反馈支路连接至第二传感支路；第二传感支路通过第三反馈支路连接至第一传感支路。本发明通过为放大器设置3条反馈支路，加速了数据单元和对比单元所在的传感支路的放电时间，稳定增大第零输出节点V0和第一输出节点V1的电压差。
辐射加固放电灵敏放大器及其控制方法

[发明专利]一种耐辐射摄像机-CN202310550226.8在审
发明人：陆振林;袁帅帅;刘轶凡;杨若凌;雷红萍;崔靳;蔡怀建;田子轩;赵轩;张帆 -专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H04N23/52 文献下载
摘要：本发明涉及摄像机领域，尤其涉及一种耐辐射摄像机，旨在缓解相关技术中整机体积大、应用范围窄的技术问题。该耐辐射摄像机在外壳、电子系统及布局方式等多个方面进行了抗辐加固，采用了射线屏蔽+直射成像+芯片加固的多重抗辐加固方案，无需给反射镜留出充足的空间，并通过轴向一字排列的方式减小了机芯，提高了空间利用率，同时可以避免射线直接损害电子元件，使得该摄像机具有抗辐照性能强、体积小的优势，可广泛应用在核电监控领域。
一种辐射摄像机

[发明专利]一种面向神经网络处理器的高效固件运行系统-CN202310769714.8在审
发明人：朴泉宇;秦智勇;陈雷;孟晓;庄伟;侯国伟;段海霞;汪博;梁恒;官同鹏;华阳;孙潼 -专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明属于嵌入式处理器固件技术领域，具体涉及一种面向神经网络处理器的高效固件运行系统，旨在解决现有的神经网络处理器的固件部署速度慢、占用空间大以及对神经网络编译器编译后生成的文件处理效率低的问题。本系统包括：文件预处理单元，配置为获取神经网络编译器编译后生成的文件并预处理，得到预处理文件；嵌入式硬件平台，配置为将预处理文件存储至设定内存地址；高效固件，配置为读取预处理文件并解析，获取神经网络模型对应的算子流文件，并通过预构建的算子执行高效优化方法顺序执行各算子，直至完成一次完整的神经网络模型的计算。本发明提升了对神经网络编译器编译后生成的文件处理效率，提高了固件部署速度，并减小了占用空间。
一种面向神经网络处理器高效运行系统

[发明专利]一种快速稳健高精度的多故障卫星识别及定位方法-CN202310587188.3在审
发明人：由立华;毕波;陈启亮;高参;吴雨航;樊利芳;樊梦文 -专利权人： 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01S19/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速稳健高精度的多故障卫星识别及定位方法，属于卫星导航定位技术领域；包括如下步骤：在每一个定位周期，建立接收机的定位解算模型，并对定位解算模型进行标准化处理；使用fast‑s算法计算稳健的scale；建立MM回归计算稳健的定位参数；本方法在保证含有无故障观测子集的概率不低于给定值的基础上，减少了观测量子集的计算次数。另外，本方法避免了其他方法需要对发生故障的卫星个数做出假定并在不同假定下剔除故障卫星进行定位解算并比较，本方法直接在解算时根据稳健的标准化残差自动调整各个卫星观测量的比重，提高了定位结果的稳健性和精度。
一种快速稳健高精度故障卫星识别定位方法

[发明专利]一种基于多芯片封装技术的微型可编程片上计算机-CN201911360795.6有效
发明人：祝天瑞;韩逸飞;郭权;秦贺;祝长民;卢峰 -专利权人： 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所;中国航天时代电子有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：一种基于多芯片封装技术的微型可编程片上计算机，包括核心处理器、SRAM、SDRAM、FLASH、FPGA、多层有机基板和塑封体。FLASH内存储事先编写好或调试好的程序，在系统上电后，由自主引导程序读入到SRAM或SDRAM中；核心处理器进行计算和处理，并通过接口与外部通信；FPGA实现定制化或特殊的需求；核心处理器、SRAM、SDRAM、FLASH和FPGA都是集成电路裸芯，集成电路裸芯与多层有机基板通过引线键合方式或倒装焊方式连接，各个集成电路裸芯根据功能设计互连关系，互连关系在多层有机基板上通过布线实现，最后用塑封体灌封。本发明将原有单板级嵌入式计算机缩减至一个传统芯片的大小实现，大大减小了体积和重量，降低了功耗，提高了集成度和通用性。
一种基于芯片封装技术微型可编程计算机

[发明专利]一种高可靠自适应片上网络的路由器微体系结构-CN202310803465.X在审
发明人：薛翔宇;侯国伟;张梅梅;张钦增;王益男;禹莹;倪玮琳;王兴凤;段海霞;杨雪 -专利权人： 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H04L45/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种高可靠自适应片上网络的路由器微体系结构，包括数据监测单元和仲裁管理单元。其中数据监测单元包括数据校验单元、错误数据处理单元来保证数据传输的高可靠性；仲裁管理单元包括虚拟通道管理单元、交叉开关管理单元和自适应路径计算器，虚拟通道管理单元记录了路由器中虚拟通道占用状态，交叉开关管理单元将交叉开关端口分配给虚拟通道，提升互连网络利用效率与吞吐量，并且可避免死锁，自适应路径计算器采用链路状态路由算法在最短路径中挑选出解决传输中网络各路径带宽分配不合理的问题，防止拥塞，提升数据传输效率。
一种可靠自适应网络路由器体系结构

[发明专利]一种GaN功率转换器件的开关寿命评估方法-CN202310638623.0在审
发明人：孙戈辉;王勇;郑绪凯;齐子暄;孟津霄 -专利权人： 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN功率转换器件的开关寿命评估方法：采用独立应力源对GaN功率转换器件样本中的GaN功率开关管进行应力‑失效试验，对试验结果进行数据分析，得到电流应力加速寿命模型、电压应力加速寿命模型、温度应力加速寿命模型；将电流应力加速寿命模型、电压应力加速寿命模型、温度应力加速寿命模型组合，得到多因子加速寿命模型；对被测GaN功率转换器件进行加速试验，得到加速试验寿命T加速试验，将任务剖面的实际应力源，代入多因子加速寿命模型，得到加速因子AF，采用加速因子乘以加速试验寿命T加速试验，预测任务剖面的最小使用寿命。本发明可以更加准确、有针对性的评估GaN功率转换器件的开关寿命。
一种 gan 功率转换器件开关寿命评估方法

[发明专利]一种基于老炼箱的集成电路老炼系统及方法-CN202310638671.X在审
发明人：张鹏伟;马培元;邵昕;赵康;马驰明;苏钰;温辉 -专利权人： 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于老炼箱的集成电路老炼系统，包括高频时钟产生装置；高频时钟产生装置包括FPGA主控芯片、数字转模拟模块、运算放大器、可调稳压模块和总线收发器模块。本发明还公开了一种老炼方法，FPGA主控芯片生成具备要求频率的时钟信号，同时生成代表要求幅值的数字信号；数字转模拟模块将代表要求幅值的数字信号转换为代表要求幅值的模拟信号；运算放大器得到放大后的模拟信号输出至可调稳压模块；可调稳压模块对放大后的模拟信号进行稳压，得到具备要求幅值的电压信号输出至总线收发器模块；总线收发器模块将具备要求频率的时钟信号和具备要求幅值的电压信号叠加，得到高频时钟信号输出至老化工位。本发明能满足高频集成电路老炼技术要求。
一种基于老炼箱集成电路系统方法

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