“整体减薄”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2036260个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]红外探测器、混成芯片及其背减薄划痕处理方法-CN202110503440.9在审
发明人：李海燕;曹凌霞 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器、混成芯片及其背减薄划痕处理方法。红外探测器混成芯片背减薄划痕处理方法，包括：将红外探测器混成芯片减薄至预设厚度；去除减薄至预设厚度的红外探测器混成芯片中光敏芯片的边缘区域；将去除光敏芯片边缘区域的红外探测器混成芯片磨抛至目标厚度，预设厚度大于目标厚度采用本发明，通过将红外探测器混成芯片减薄至预设厚度，实现大部分光敏芯片厚度的去除，混成芯片因一部分的应力释放面型情况会得到优化，整体平面度会得到提高。另外，增加刻蚀或腐蚀工艺，形成光滑的光敏芯片器件边缘，降低在后续磨抛工艺中出现材料渣、划痕的可能性，同时通过几十微米厚度的去除，去除前面减薄过程中出现的划道。
红外探测器混成芯片及其背减薄划痕处理方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010341206.6有效
发明人：魏丹珠;闾新明 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括相对设置的正面和背面，所述晶圆的正面具有膜层结构；第一次减薄，研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第一厚度；图形化处理所述晶圆的背面，以在所述晶圆的背面形成图形化结构；以及，第二次减薄，整体研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第二厚度。本发明的技术方案使得在所述晶圆减薄到所需厚度的同时，还能避免导致所述晶圆的背面的图形化处理的工艺出现异常。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]空调室内机及空调器-CN202020204076.7有效
发明人：邓国基;张强;汤展跃 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： F24F1/0007 文献下载
摘要：本实用新型提供一种空调室内机，包括壳体和麦克风，壳体包括面板，面板设有减薄区，减薄区设有拾音孔；麦克风安装于壳体内，且麦克风对应拾音孔设置。本实用新型还提供包括该空调室内机和空调室外机的空调器。本实用新型技术方案通过将面板的厚度进行局部减薄，以缩短麦克风对应的拾音通道的长度，从而提高麦克风对语音的灵敏度和识别效率。同时，由于仅对面板进行局部减薄，从而能够确保面板的整体强度。
空调室内空调器

[发明专利]一种硅片减薄装置和用于单晶硅片的减薄加工工艺-CN202111401298.3有效
发明人：冯帆;代冰;胡碧波;黄德智;周霖;王洪武 -专利权人：万华化学集团电子材料有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片减薄装置和用于单晶硅片的减薄加工工艺，所述硅片减薄装置的研削部设有导液围堰，研削台内设有上、下两腔体，依次完成废液的收集与排放、废液的分离与冷却液的回收，废屑可集中处理、冷却液经纯化供后续减薄作业循环使用，多次加工后可将研削盘抬升、对研削台进行整体清洗，减少减薄装置的非加工作业时间；砂轮部采用伸缩式粗精磨砂轮组，可以精准、快速地切换和控制精磨砂轮的伸缩动作，进一步改善硅片表面粗糙度，使其接近或达到专用精磨设备所加工的硅片表面水平
一种硅片装置用于单晶硅加工工艺

[发明专利]一种不规则晶圆的减薄方法-CN201410812372.4有效
发明人：张国华;李云海 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种不规则晶圆的减薄方法，包括下述步骤：步骤一，设定减薄设备减薄目标厚度；步骤二，测量并记录需要减薄的不规则晶圆的外形尺寸；步骤三，提供一片外形完整的陪片，陪片外缘尺寸与减薄设备的工作台盘的环形真空带相吻合；在陪片上确定需要切割的具体尺寸，并对所需切割的尺寸进行标记；步骤四，对步骤三中已作标记的陪片沿标记位置进行切割；步骤五，将步骤四中已切割陪片的中间部分取走，使其中间部位形成一个空缺区域；步骤六，将需减薄的不规则晶圆放置于步骤五中陪片形成的空缺区域，然后使用减薄膜粘贴在不规则晶圆和陪片正面，使得两者成为一个整体。
一种不规则方法

[发明专利]一种薄型器件平面减应力金属互连结构及制备方法-CN201811358526.1有效
发明人：范襄;沈静曼;雷刚;于振海;付坤;赵佳铭;杨洪东;于洁;周品昕 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：一种薄型器件平面减应力金属互连结构，属于薄型器件电子封装。平面减应力互连结构特征在于其减应力通过七个“Ω”结构和两个半“工”字形镂空结构来实现，调节“Ω”结构和“工”字形结构的几何尺寸，可适应不同互连间隙下薄型器件的平面减应力互连。本发明的金属互连结构具有良好的应力缓冲或释放能力，可适应大梯度宽温域高低温环境下薄型器件的电子互连，尤其是整体胶接封装器件的平面减应力互连，且具有一定的机械强度、合适的几何尺寸，易于取、放及自动化制程。
一种器件平面应力金属互连结构制备方法

[发明专利]一种调节三旋轮旋压错距量的方法-CN201811543705.2有效
发明人：曹学文;杨延涛;杨东浩;赵琳瑜;王晓超;王猛;胡新娟;王树;白小雷;李楼 -专利权人：西安航天动力机械有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： B21D22/16 文献下载
摘要：一种调节三旋轮旋压错距量的方法，在设定各旋轮减薄量时，依据材料的加工硬化规定了三旋轮错距旋压时各旋轮的减薄量。根据总减薄量T以及旋轮数量、各旋轮错距旋压时减薄量分配值，得到各旋轮减薄量。在调整各旋轮的轴向位置时，将各旋轮沿筒形件径向移动至旋压毛坯相应的壁厚减薄量区域，使各旋轮旋入角α边所在直线均与第一个旋轮旋入角α边所在直线相切，得到各旋轮间错距量，精度达到0.01mm级。本发明将多个旋轮等效为一个台阶式整体旋轮，实现金属材料的稳定变形；在确定各旋轮间错距量时，充分考虑了材料及设备的回弹、各旋轮减薄量的分配导致的加工硬化，与实际生产相吻合，并且具有操作简单、快捷方便的特点
一种调节三旋轮旋压错距量方法

[发明专利]一种调节两旋轮旋压错距量的方法-CN201811543736.8有效
发明人：曹学文;杨延涛;王亚社;赵琳瑜;孟繁瀛;张岩;杨东浩;王春平;宋琪 -专利权人：西安航天动力机械有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： B21D22/16 文献下载
摘要：一种调节两旋轮旋压错距量的方法，在设定各旋轮减薄量时，依据材料的加工硬化规定了三旋轮错距旋压时各旋轮的减薄量。根据总减薄量T以及旋轮数量、各旋轮错距旋压时减薄量分配值，得到各旋轮减薄量。在调整各旋轮的轴向位置时，将各旋轮沿筒形件径向移动至旋压毛坯相应的壁厚减薄量区域，使各旋轮旋入角α边所在直线均与第一个旋轮旋入角α边所在直线相切，得到各旋轮间错距量，精度达到0.01mm级。本发明将多个旋轮等效为一个台阶式整体旋轮，实现金属材料的稳定变形；在确定各旋轮间错距量时，充分考虑了材料及设备的回弹、各旋轮减薄量的分配导致的加工硬化，与实际生产相吻合，并且具有操作简单、快捷方便的特点
一种调节两旋轮旋压错距量方法

[发明专利]半导体的加工方法-CN202111622877.0在审
发明人：马阳军 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体的加工方法，应用于二氧化硅基体内含有镍铁线圈的半导体元件，包括：将半导体元件放置在第一减薄盘上进行第一次减薄研磨，得到一次减薄后的半导体元件；将一次减薄后的半导体元件放置在第二减薄盘上进行第二次减薄研磨，得到二次减薄后的半导体元件；其中，第二减薄盘上的金刚石颗粒小于第一减薄盘上的金刚石颗粒，第二减薄盘的旋转速度小于第一减薄盘的旋转速度；将二次减薄后的半导体元件放置在第三减薄盘上进行抛光研磨，得到减薄抛光后的半导体元件；其中，第三减薄盘上的金刚石颗粒小于第二减薄盘上的金刚石颗粒，第三减薄盘的旋转速度小于第二减薄盘的旋转速度。
半导体加工方法

[发明专利]牙刷-CN96199595.5无效
发明人：汉斯·哈尔姆 -专利权人：史密斯克莱·比奇曼保健品公司
申请日： 1996-12-24 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： A46B7/06 文献下载
摘要：一种牙刷，在其颈部有一整体减薄部分，其侧向围绕有一粘接到塑料材料上的弹性体材料块，该弹性材料块沿侧向凸伸出与之连接的颈或头的纵向邻近部分的表面线之外，减薄部分和凸出块改进了牙刷的柔韧性。
牙刷

[发明专利]一种柔性玻璃化学减薄自动化生产工艺-CN202111600665.2在审
发明人：彭寿;张冲;夏宁;杨金发;蒋洋;陶立纲;张少波;彭程;李树立;张皓;李江 -专利权人：凯盛科技集团有限公司;凯盛科技股份有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性玻璃化学减薄自动化生产工艺，包括，S1、将工件在第一减薄室进行化学减薄；S2、将在第一减薄室减薄后的工件上下翻转180°；S3、将翻转后的工件在第二减薄室进行化学减薄；S4、将在第二减薄室减薄后的工件在第三减薄室进行化学减薄；所述工件包括待减薄玻璃。
一种柔性玻璃化学自动化生产工艺

[发明专利]高压电机定子主绝缘超薄型绝缘工艺-CN201210566052.6有效
发明人：祁世发;刘洋;方建国;夏敏志;孙雅玲 -专利权人：哈尔滨电气动力装备有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H02K15/10 文献下载
摘要：本发明涉及高压电机定子主绝缘超薄型绝缘工艺，开发了新型云母带绕包绕组线，新型高性能少胶云母带，开发了新型F级6kV级电机定子线圈少胶超薄整体VPI浸渍绝缘结构，定子线圈单边主绝缘厚度由原来的1.4mm减薄到0.88mm，电气绝缘性能达到《CEEIA155-2003大型交流异步电机产品质量分等》标准附录B《大型交流电机整体浸渍定子圈式线圈成品质量分等》优等品标准，可用于6千伏电机定子绕组绝缘结构使用，与老结构相比线圈主绝缘减薄0.52mm，减薄37%。
高压电机定子绝缘超薄型工艺

[发明专利]场效应晶体管制造方法-CN200910311265.2无效
发明人：李滨;李诚瞻;刘新宇;魏珂;陈晓娟 -专利权人：四川龙瑞微电子有限公司
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及场效应晶体管制作技术，特别涉及氮化镓基微波功率场效应器件衬底减薄的方法。本发明针对现有技术的场效应晶体管制造方法中衬底减薄技术的缺点，公开了一种场效应晶体管制造方法，改进其衬底减薄技术，以适应高硬度衬底材料的减薄，提高衬底加工工艺质量，改进衬底质量，提高器件整体性能。本发明的场效应晶体管制造方法，在场效应晶体管制造工艺过程中，利用等离子体对碳化硅等场效应晶体管高硬度衬底进行刻蚀减薄。能够避免晶圆破裂，提高衬底减薄的质量，特别适合氮化镓基场效应晶体管器件的制造工艺。
场效应晶体管制造方法

[发明专利]基板减薄方法及显示面板减薄方法-CN201710112311.0在审
发明人：周永山;杜楠楠 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供一种基板减薄方法及显示面板减薄方法，所述基板减薄方法包括提供待减薄基板；将所述待减薄基板的待减薄面上的凹点进行保护处理；对所述待减薄基板的待减薄面进行减薄。能够解决现有技术中基板在减薄过程中表面凹点部分会形成更为严重的凹点不良损失的技术问题，提升良率。
基板减薄方法显示面板

[实用新型]电阻式触摸屏制作系统-CN200920129449.2有效
发明人：金弼;杨应国;张莉;刘志斌 -专利权人：中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2009-01-16 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： G06F3/045 文献下载
摘要：本实用新型涉及电阻式触摸屏制作系统，包括：用于对进入的两片厚素玻璃中每一片的一面分别镀以透明导电膜的镀膜装置11；用于对镀膜装置馈送来的其中一片玻璃的另一面进行蚀刻减薄的蚀刻减薄装置12；以及用所述蚀刻减薄装置减薄后的透明导电膜玻璃和镀膜装置镀膜的的另一片厚透明导电膜玻璃制作电阻式触摸屏的触摸屏制作装置本实用新型电阻式触摸屏制作系统与传统的以薄素玻璃开始进行制作的现有系统相比，大大降低了薄素玻璃在真空镀膜时的破损率，有效地降低了电阻式触摸屏整体的制作成本。
电阻触摸屏制作系统