“形貌结构 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9495325个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]周期纳米结构形貌参数测量方法、装置、设备及介质-CN202210165655.9有效
发明人：吴启哲;李泽迪;赵杭 -专利权人：板石智能科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种周期纳米结构形貌参数测量方法、装置、设备及介质，其方法包括：确定周期纳米结构的当前形貌参数；基于所述当前形貌参数，获取所述周期纳米结构的当前测量信号以及当前仿真信号；根据所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定所述当前形貌参数是否为目标形貌参数；当所述当前形貌参数不是所述目标形貌参数时，基于鲁棒非线性修正方法，根据所述当前形貌参数、所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定备选形貌参数；根据所述备选形貌参数确定所述目标形貌参数。本发明通过基于鲁棒非线性修正方法确定备选形貌参数，可有效抑制当前测量信号中的显著偏离正态统计分布中的数据点，进而提高获得的目标形貌参数的准确性。
周期纳米结构形貌参数测量方法装置设备介质

[实用新型]沟槽形貌监控结构-CN201420612904.5有效
发明人：杨彦涛;赵金波;江宇雷;杨雪;邹光祎;钟荣祥 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种沟槽形貌监控结构，利用线宽测量工具测量沟槽形貌监控结构中第二沟槽的顶部宽度以及底部宽度，利用台阶测试仪测量第一沟槽的深度，根据所述第一沟槽的深度获得所述第二沟槽的深度，并根据所述第二沟槽的顶部宽度、底部宽度以及所述第二沟槽的深度，利用正切定理获得所述第二沟槽的倾斜度，由所述第二沟槽的顶部宽度、底部宽度以及倾斜度判断产品沟槽的顶部宽度、底部宽度以及倾斜度，进而在不破坏芯片的前提下监控产品沟槽的形貌
沟槽形貌监控结构

[发明专利]半导体结构、集成电路器件及形成半导体结构的方法-CN201610602228.7在审
发明人：马世宪;吴浩铨;蔡士豪;林育诠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体结构、集成电路器件及形成半导体结构的方法。在各个实施例中，半导体结构包括包含高形貌区域和低形貌区域的衬底、邻接低形貌区域的高形貌区域的外部周边部分上的外部保护壁和以及外部保护壁、高形貌区域和低形貌区域上方的抗反射涂层。
半导体结构集成电路器件形成方法

[发明专利]刻蚀结构的形貌分析方法及装置-CN201910843115.X有效
发明人：王凡 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种刻蚀结构的形貌分析方法及装置。所述刻蚀结构的形貌分析方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底内具有刻蚀结构；填充满所述刻蚀结构，形成填充结构；去除所述衬底，暴露所述填充结构；分析所述填充结构，获取所述刻蚀结构的形貌。本发明简化了刻蚀结构的形貌分析步骤，提高了刻蚀结构形貌分析的准确度。
刻蚀结构形貌分析方法装置

[发明专利]激光直写光刻机制作的三维微纳形貌结构-CN202110667771.6在审
发明人：陈林森;浦东林;张瑾;朱鸣;朱鹏飞;乔文;朱昊枢;刘晓宁;邵仁锦;杨颖 -专利权人：苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种激光直写光刻机制作的三维微纳形貌结构。所述三维微纳形貌结构包括:基体；形成于所述基体上的至少一个三维微纳形貌单元，其中每个三维微纳形貌单元包括至少一个视觉高点，所述每个三维微纳形貌单元包括复数个从视觉高点开始斜坡形貌斜率按预设规律变化的环带所述三维微纳形貌结构具有非常逼真的立体视觉。
激光光刻机制三维形貌结构

[发明专利]一种基于二维真实形貌的三维随机孔隙结构建模方法-CN202310368935.4在审
发明人：苏昱太;龙旭 -专利权人：西北工业大学重庆科创中心;西北工业大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：一种基于二维真实形貌的三维随机孔隙结构建模方法包括如下步骤：步骤1：二维真实形貌二值处理及尺寸缩放；步骤2：二维真实形貌孔洞信息分析；步骤3：指定体积分数的初始三维随机孔隙结构生成；步骤4：面向真实形貌的三维随机孔隙结构优化方法；步骤5：面向真实形貌的三维随机孔隙结构模型确定。该方法可以面向二维真实形貌，结合材料体积分数与两点概率函数，通过最优化平均绝对百分比误差，建立基于二维真实形貌的三维随机孔隙结构。
一种基于二维真实形貌三维随机孔隙结构建模方法

[发明专利]可调整倾角的形貌检测装置-CN200710167134.2有效
发明人：郭世炫;陈金亮;叶清铭;李世芳;戴鸿名 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-10-18 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明是一种可调整倾角的形貌检测装置，其具有可调整影像撷取角度的机构，该机构包含二种结构：其一为平移支架式可调整倾角的形貌检测装置，通过二平移件移动调整形貌检测单元的倾角，并由旋转支架旋转可取得全方位角的待测物形貌另一结构为一圆弧轨道式可调整倾角的形貌检测装置，利用形貌检测单元在圆弧轨道上滑动改变形貌检测单元倾角，并由旋转支架旋转可取得全方位角的待测物形貌。
可调整倾角形貌检测装置

[发明专利]基于启发式搜索的周期纳米结构形貌参数测量方法及装置-CN202210264445.5有效
发明人：吴启哲;李泽迪;赵杭 -专利权人：板石智能科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于启发式搜索的周期纳米结构形貌参数测量方法及装置，其方法包括：获取待测周期纳米结构的测量信号；基于待测周期纳米结构的三维形貌参数设计值以及光学散射特性建模方法构建仿真信号数据库和雅克比矩阵数据库；建立启发式搜索模型，并基于启发式搜索模型、仿真信号数据库、雅克比矩阵数据库确定与测量信号对应的目标仿真信号；基于仿真信号数据库确定与目标仿真信号对应的目标三维形貌参数离散值，并将目标三维形貌参数离散值作为待测周期纳米结构的三维形貌参数本发明通过启发式搜索，在保证周期纳米结构形貌参数测量准确性的同时，可极大提升测量周期纳米结构形貌参数的效率。
基于启发式搜索周期纳米结构形貌参数测量方法装置

[发明专利]一种电流体喷印微结构形貌调控方法、系统及装置-CN202111122546.0有效
发明人：尹周平;陈建魁;肖小亮;朱红;喻梦雯 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B41J2/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流体喷印微结构形貌调控方法，具体为：启用电纺丝喷头在基板上喷印线阵，喷印后在喷印线阵上方施加形貌调控电场；检测喷印线与基板的接触角以及喷印线阵交叉点的厚度分布，将其与目标值比较，依据比较结果施加电场调控信号，由此实施对线形貌、线阵交叉点形貌的调控；采用电雾化模式在线阵围成的网格中喷印液滴形成微结构，检测微结构的厚度和形状，将其与目标值比较，依据比较结果施加电场调控信号，由此实施对微结构形貌的调控。本发明采用电纺丝与电喷雾技术结合进行微结构制造，并利用附加电场调控形貌，大幅提高微结构的制造效率和形貌精度。
一种流体微结构形貌调控方法系统装置

[发明专利]用于确定半导体器件中的目标结构的形貌参数的方法和设备-CN201710442518.4有效
发明人：张晓琳;符祖标;施耀明;徐益平 -专利权人：睿励科学仪器（上海）有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01B21/20 文献下载
摘要：为了自动、准确地测量半导体器件及其各组成部分的尺寸，本公开提供用于确定半导体器件中的目标结构的相貌参数的方法和设备。其中半导体器件的形貌参数指与半导体器件形貌相关的结构的任意尺寸，包括器件关键尺寸、组成该器件的各部分结构的尺寸、以及相关角度等。用于确定半导体器件中的目标结构的形貌参数的方法包括提供包括与目标结构对应的参考结构的参考图像。该方法还包括基于参考结构的轮廓和包括目标结构的图像，确定目标结构的轮廓。此外，该方法包括基于目标结构的轮廓，确定目标结构的形貌参数。本公开还提供用于确定半导体器件中的目标结构的形貌参数的设备。实施例能够准确地实现对半导体器件的形貌参数的批量测量。
用于确定半导体器件中的目标结构形貌参数方法设备

[发明专利]半导体元件制造方法-CN201910572254.3在审
发明人：叶雅雯;沈育佃;黄世钧;张博钦;林纬良;严永松;吴伟豪;林立德;林斌彦;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种半导体元件制造方法，在基板之上形成底层结构。在底层结构之上形成薄膜。测量薄膜的表面形貌，并将表面形貌存储为形貌数据。使用方向性蚀刻执行局部蚀刻，并扫描基板，使得薄膜的整个表面承受方向性蚀刻。根据形貌数据调整方向性蚀刻的电浆束强度。
方向性蚀刻表面形貌底层结构形貌数据薄膜半导体元件制造测量薄膜局部蚀刻扫描基板整个表面电浆束基板存储

[发明专利]一种隧道表面形貌测量传感器及其测量方法-CN202210928180.4在审
发明人：李俊;张鼎博;张訢炜;李嘉伟;张家瑞;范斌斌;马天 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种隧道表面形貌测量传感器及其测量方法，属于隧道监测技术领域。该隧道表面形貌测量传感器包括形貌传感结构、解调仪、上位机和显示器，形貌传感结构包括振动放大结构和光纤光栅感应结构；振动放大结构包括两端分别连接中心轴块和质量块的弹性杆，任意相邻的两个弹性杆的轴向相互垂直；光纤光栅感应结构具有多个纤芯光纤，弹性杆上沿其轴向对称分布有两个纤芯光纤；当振动放大结构发生弯曲应变时，光纤光栅感应结构能够测量加速度数值与温度数值；以及形貌传感结构、解调仪、上位机和显示器顺次连接。可以用于测量隧道结构体的表面形貌和位移变化情况，并且能够剔除温度变化对结构监测的影响，提高测量的准确性。
一种隧道表面形貌测量传感器及其测量方法

[发明专利]一种融合声学与光学方法的水下高精度测量和缺陷检测方法-CN202111006002.8有效
发明人：邵新星;谷柳凝;侯士通;吴刚;何小元 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G01B11/25 文献下载
摘要：本发明提供了一种融合声学与光学方法的水下高精度测量和缺陷检测方法，可得到水下结构的多尺度声光融合三维形貌点云，以更好地检测水下结构的损伤、缺陷等信息。该方法主要包括如下步骤：(1)在水下测量平台上安装导航设备、光学三维形貌测量装置、三维声呐测量装置。(2)利用光学三维形貌测量装置得到被测面整体光学三维形貌点云数据。(3)利用三维声呐获取水下被测面整体声学三维形貌点云数据。(4)将被测面整体的声学、光学三维形貌点云数据进行融合，实现水下结构三维形貌的高精度测量。(5)基于声学、光学融合三维形貌点云数据，利用深度学习算法实现水下缺陷自动定位。
一种融合声学光学方法水下高精度测量缺陷检测

[发明专利]针对形貌的改进结构-CN201610617619.6在审
发明人： S·施密特;O·赫尔蒙德;P·伊尔西格勒;M·塞德-施密特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：特征部可以包括基部结构和阶梯结构。阶梯结构包括中央区域和边缘区域。在顶视图中，中央区域包括比边缘区域更大的宽度。阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌阶梯之上。
针对形貌改进结构

[发明专利]一种用溶剂调控氧化镍电致变色薄膜形貌的方法-CN202110593990.4有效
发明人：赵九蓬;薛俊莹;李垚;宋英 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：一种用溶剂调控氧化镍电致变色薄膜形貌的方法，涉及一种调控氧化镍电致变色薄膜形貌的方法。本发明是要解决现有的调控氧化镍电致变色薄膜形貌的方法工艺较复杂的技术问题。本发明首次提出通过改变反应溶剂的种类来影响NiO基薄膜的形貌，进而影响电致变色性能。考察电致变色的性能包含光学调节范围和响应时间，本发明中不同形貌的NiO薄膜可以实现透过率调节范围20％～80％，响应时间着色2.5s～11s。与现有技术相比，本发明同过简单改变溶剂的种类可以生成不同形貌的NiO薄膜，形貌不同影响晶型结构不同，而晶型结构和形貌结合可调控NiO电致变色性能。
一种溶剂调控氧化镍电致变色薄膜形貌方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条