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[实用新型]多功能干电池充电器-CN201520090314.5有效
发明人：冯经章 -专利权人：慈溪市天启电子有限公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多功能干电池充电器，包括底盖、底座、电极底座、电极底盖、锂电池、电极、伸缩杆、电极簧片、控制线路板、USB充电头，底盖上连接有底座，底座上设有控制线路板，底座与电极底盖之间设有锂电池，且锂电池的两端分别设有电极和电极簧片，且底座与电极底盖之间、锂电池的外侧设有伸缩杆，电极底盖外设有电极底座，锂电池与USB充电头电连接。
多功能干电池充电器

[发明专利]一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法-CN201711011769.3在审
发明人：郭一民;肖荣福;张云森;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法，包括如下步骤：(1)提供表面抛光的带金属连线的CMOS基底，并在基底上制作底电极通孔，然后在底电极通孔中填充金属铜；(2)在底电极通孔上沉积底电极接触和磁性隧道结多层膜，并在存储区域制作磁性隧道结记忆单元阵列；在逻辑区域底电极通孔上制作逻辑区域底电极接触和假磁性隧道结(dummy‑MTJ)单元；(3)制作逻辑区域顶电极通孔，并使逻辑区域顶电极通孔的尺寸大于假磁性隧道结单元的尺寸；(4)制作存储区域顶电极通孔，然后在逻辑区域顶电极通孔和存储区域顶电极通孔中填充顶电极通孔金属；(5)制作连接逻辑区域与存储区域的金属连线。
通孔逻辑区域底电极顶电极存储区域磁性隧道结制作磁性随机存储器单元阵列金属连线周边电路基底连线磁性隧道结单元记忆单元阵列表面抛光填充金属多层膜沉积填充制造金属

[发明专利]一种用于芯片封装的引线框架及制备方法-CN202110162067.5在审
发明人：沈正;叶文;何雨桐 -专利权人：何雨桐
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：引线框架包括框架电路和承载板，框架电路包括复数个按矩阵布置的单元电路和第一阻焊油墨层，单元电路包括复数个电极，电极包括顶电极和底电极；顶电极布置在第一阻焊油墨层的顶面上；对应于每个单元电路，第一阻焊油墨层包括与电极对应的底电极孔，底电极布置在底电极孔中，底电极的顶部固定在顶电极的底面上；承载板包括热固化粘接层，热固化粘接层可剥离地粘贴在第一阻焊油墨层和底电极的底面上。
一种用于芯片封装引线框架制备方法

[实用新型]射频治疗手持件-CN202120943364.9有效
发明人：梁永生;李亚楠;丁毅;雷晓兵 -专利权人：湖南半岛医疗科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： A61N1/36 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种射频治疗手持件，包括：手柄、内电极以及外电极。其中，手柄包括底壳和按压部，按压部与底壳连接，内电极安装于底壳，外电极安装于按压部，按压部与底壳转动连接，以使外电极相对于内电极靠近或远离。本实用新型提出的射频治疗手持件的外电极按压不费力，使用方便，能有效提升用户的使用体验。
射频治疗手持

[发明专利]压电MEMS传感器及其制备方法、电子设备-CN202211510261.9在审
发明人：徐洋;朱莉莉 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种压电MEMS传感器及其制备方法、电子设备，通过在沉积底电极之前，通过在预设底电极Pad开口的位置处的衬底层上形成一预设厚度的电极，然后，只通过一次光刻工艺处理而露出底电极Pad并形成薄膜端部，不仅可以保证薄膜端部位置的底电极端部与其他两膜层端部对齐，还因为在预设置底电极Pad开口的位置处先沉积了一层预设厚度的电极，在一次光刻过程中，能够确保底电极Pad开口处的电学连接不受影响，实现通过一次光刻使薄膜端部位和底电极
压电 mems 传感器及其制备方法电子设备

[发明专利]物理量传感器及电子设备-CN201210291170.0有效
发明人：與田光宏 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：该物理量传感器具备：底基板；可动部，其被配置于设置在底基板的主面上的底基板上；可动电极部，其被设置在可动部上；固定电极部，其被设置在底基板的主面上，且与可动电极部对置配置，固定电极部与被设置在底基板的主面侧的固定电极用配线相连接，可动电极部与被设置在底基板的主面侧的可动电极用配线相连接，在固定电极用配线与可动电极用配线之间设置有屏蔽部。
物理量传感器电子设备

[发明专利]一种氧化铪基铁电电容及其制备方法-CN202111067609.7在审
发明人：廖敏;曾斌建;周益春;廖佳佳;彭强祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化铪基铁电电容及其制备方法，其中，该铁电电容包括由下至上依次层叠设置的第一层底电极(4)、第二层底电极(5)、氧化铪基铁电薄膜(6b)、第一层顶电极(7)、第二层顶电极(8)和衬底(9)；所述第一层底电极(4)和第二层顶电极(8)为导电层；所述第二层底电极(5)和第一层顶电极(7)为电极。所述第二层底电极(5)和第一层顶电极(7)均为HfNx(0x≤1.1)，且所述第二层底电极(5)和第一层顶电极(7)的厚度相同；所述衬底包括：硅、CMOS寻址、选择和逻辑控制电路(1)、金属电极和层间介质
一种氧化铪基铁电电容及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池的电极制备方法及背接触式电池片-CN202210995791.0在审
发明人：张洪超;盛绕;童洪波;李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的电极制备方法及背接触式电池片，包括：通过印刷或沉积的方式，在电池片的表面制备底电极；通过电镀的方式，将底电极作为阴极，在底电极的表面制备保护镀层，得到第一电极，保护镀层用于将底电极与后续工艺中的腐蚀物质隔离；通过电镀的方式，在电池片的表面制备第二电极，本发明在保证电极的电学性能的基础上，在制备第一电极的材料中增加成本更低的材料，并进一步通过电镀的方式在底电极的表面电镀保护镀层，从而保护底电极不被腐蚀。进一步的本发明还在电极的制备工艺中引入低成本的电镀工艺来制备第二电极，从而通过对电池片的电极工艺流程和选材的优化，提升电池片的经济性。
一种太阳能电池电极制备方法接触电池

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211111055.0在审
发明人：朴志云;朴影根;李豪真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：公开一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；接触结构，穿透衬底；底电极，在衬底上并连接到接触结构；介电层，覆盖底电极；以及顶电极，在底电极上。介电层将顶电极与底电极分开。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种磁性隧道结及其制备方法-CN202210116739.3在审
发明人：张云森;李辉辉;罗杰 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：一种磁性隧道结及其制备方法，所述磁性隧道结包括：底电极；设置在所述底电极一侧的磁性隧道结主堆叠层；设置在所述磁性隧道结主堆叠层远离所述底电极一侧的隔断层；设置在所述隔断层远离所述底电极一侧的刻蚀阻挡层；设置在所述刻蚀阻挡层远离所述底电极一侧的顶电极；和设置在所述顶电极远离所述底电极一侧的牺牲硬掩模层。
一种磁性隧道及其制备方法

[发明专利]一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法-CN201710858159.0在审
发明人：肖荣福;张云森;叶力;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器单元阵列及周边电路连线的制造方法，包括如下步骤：(1)提供表面抛光的带金属连线的CMOS基底，并在基底上制作底电极通孔，然后在底电极通孔中填充金属并将其表面磨平；(2)在存储区域的底电极通孔上制作存储区域底电极接触和磁性隧道结阵列，在逻辑区域的底电极通孔上制作逻辑区域底电极接触；(3)制作顶电极通孔和实现逻辑单元/存储单元相连接的金属连线。这样底电极接触金属膜和磁性隧道结多层膜可以一次沉积，有利于磁性随机存储器磁性/电学性能的提高，简化工艺的复杂程度和制作成本降低。
底电极通孔磁性随机存储器制作磁性隧道结存储区域单元阵列金属连线逻辑区域周边电路基底连线表面抛光存储单元电学性能逻辑单元填充金属顶电极多层膜金属膜沉积磨平制造

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202210716437.X在审
发明人：童宇诚;张钦福 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：电容结构设置在衬底上，并包括依序堆迭的底电极层、电容电介质层以及顶电极层，其中，底电极层包括具有对称柱状结构的第一底电极层、以及具有不对称柱状结构的第二底电极层，第一底电极层以及第二底电极层分别具有朝着水平方向延伸的至少一水平延伸部，藉此，底电极层可更为稳固地设置于支撑结构上，达到更为优化的功能与效果。
半导体装置及其制作方法

[实用新型]半导体装置-CN202221599988.4有效
发明人：童宇诚;张钦福 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：电容结构设置在衬底上，并包括依序堆迭的底电极层、电容电介质层以及顶电极层，其中，底电极层包括具有对称柱状结构的第一底电极层、以及具有不对称柱状结构的第二底电极层，第一底电极层以及第二底电极层分别具有朝着水平方向延伸的至少一水平延伸部，藉此，底电极层可更为稳固地设置于支撑结构上，达到更为优化的功能与效果。
半导体装置

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN202010406133.4在审
发明人：姜埈求;李炫锡;赵基熙;安相赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该集成电路器件包括电容器结构，其中电容器结构包括：在基板之上的底电极；在底电极的侧壁上的支撑物；在底电极和支撑物上的电介质层；以及在电介质层上并覆盖底电极的顶电极。底电极包括：基底电极层，在基板之上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；以及导电覆盖层，包括铌氮化物，在基底电极层的侧壁与电介质层之间以及在基底电极层的顶表面与电介质层之间。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器结构-CN201910261072.4有效
发明人：吴伯伦;陈宜秀;沈鼎瀛;许博砚 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：一种电阻式随机存取存储器结构，包含半导体衬底、晶体管、底电极、多个顶电极、以及电阻转换层。晶体管设置于半导体衬底之上。底电极设置于半导体衬底之上且与晶体管的漏极区电性连接。这些顶电极沿着底电极的侧壁设置。电阻转换层设置于这些顶电极与底电极之间。其中，电阻式随机存取存储器结构包含沿着底电极的侧壁设置的多个顶电极，以实现1TnR结构(其中n等于或大于4)，使得电阻式随机存取存储器结构的单位面积的储存容量得以提升。
电阻随机存取存储器结构