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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电阻式存储器装置及其制造方法-CN201911340598.8有效
发明人：郑嘉文;王炳琨;陈宜秀;赵鹤轩 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种电阻式存储器装置及其制造方法。电阻式存储器装置包括多个下电极、可变电阻层、多个绝缘图案、通道层与多个上电极。可变电阻层毯覆多个下电极。多个绝缘图案对应多个下电极的位置而设置于可变电阻层上。通道层共形地覆盖可变电阻层与多个绝缘图案。通道层具有多个通道区，位于可变电阻层上且位于多个绝缘图案的侧壁上。各上电极对应一绝缘图案而分别覆盖多个通道区的至少两者，使多个通道区的至少两者位于一下电极与一上电极之间。
电阻存储器装置及其制造方法

[外观设计]户外座椅（花朵万绿丛中一点红）-CN202330141761.9有效
发明人： 陈宜秀 -专利权人：广州市纺织服装职业学校(广州市服装高级职业技术学校)
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： 06-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：户外座椅（花朵万绿丛中一点红）。2.本外观设计产品的用途：用于户外草坪等处放置家具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
户外座椅花朵万绿丛中一点红

[发明专利]电阻式随机存取存储器结构-CN201910261072.4有效
发明人：吴伯伦;陈宜秀;沈鼎瀛;许博砚 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：一种电阻式随机存取存储器结构，包含半导体衬底、晶体管、底电极、多个顶电极、以及电阻转换层。晶体管设置于半导体衬底之上。底电极设置于半导体衬底之上且与晶体管的漏极区电性连接。这些顶电极沿着底电极的侧壁设置。电阻转换层设置于这些顶电极与底电极之间。其中，电阻式随机存取存储器结构包含沿着底电极的侧壁设置的多个顶电极，以实现1TnR结构(其中n等于或大于4)，使得电阻式随机存取存储器结构的单位面积的储存容量得以提升。
电阻随机存取存储器结构

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其形成方法-CN201811530303.9有效
发明人：郑嘉文;陈宜秀;许博砚;王炳琨;林铭哲;赵鹤轩 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻式随机存取存储器及其形成方法，该形成方法包括形成一膜层堆迭；图案化上述膜层堆迭，以形成多个堆迭结构；沿着上述堆迭结构的侧壁形成保护层；在上述堆迭结构之间形成第一隔离结构；在至少一堆迭结构中形成至少一凹槽，以在上述至少一堆迭结构中定义出多个物理性分开的电丝单元；以及在上述至少一凹槽中形成第二隔离结构。上述膜层堆迭包括底电极层、以及位于该底电极层上的电阻转换层。本发明可以解决电阻式随机存取存储器的软性错误位问题。
电阻随机存取存储器及其形成方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器-CN201610120845.3有效
发明人：陈达;王炳琨;廖绍憬;许博砚;陈宜秀;沈鼎瀛;吴伯伦;林孟弘 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括下部电极、上部电极、可变电阻层、氧交换层以及侧壁保护层。下部电极设置于基底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下部电极与上部电极之间。氧交换层设置于可变电阻层与上部电极之间。侧壁保护层，其为氧供应层，至少设置于氧交换层的侧壁。本发明提供的电阻式随机存取存储器，能够增进存储器元件的高温数据保持特性以及耐久性，并且能够增加存储器元件的产率以及稳定度。
电阻随机存取存储器

[发明专利]预览视频的方法、处理装置及其计算机系统-CN201711350700.3有效
发明人：卓.班佛;张宇先;许若玮;陈宜秀;安德鲁.查尔斯.杭特 -专利权人：宏达国际电子股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H04N21/472 文献下载
摘要：本发明提供一种预览视频的方法、处理装置及其计算机系统，此方法适用于处理装置，并且包括下列步骤。接收并且解码视频文件视频，以取得多个视频画面。转换各个视频画面为纹理数据，以及针对纹理数据进行多个着色运算，以取得用于预览的多个绘制视频输出，其中各个着色运算分别对应于不同的指定视频观看模式。
预览视频方法处理装置及其计算机系统

[发明专利]虚拟实境装置及虚拟实境方法-CN201710188227.7有效
发明人： 陈宜秀 -专利权人：宏达国际电子股份有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：一种虚拟实境装置及虚拟实境方法。虚拟实境方法包括：在一第一期间中，以一虚拟实境环境中的一第一虚拟实境位置的视角，显示一虚拟实境事件，其中在该第一期间中，一使用者虚拟实境化身位于该第一虚拟实境位置；记录该虚拟实境事件；以及在一第二期间中，以该虚拟实境环境中的一第二虚拟实境位置的视角，再次显示记录的该虚拟实境事件。借此，使用者即可以不同的虚拟实境位置的视角，再次看到过去发生的虚拟实境事件。
虚拟装置方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器结构及其制造方法-CN201610122457.9有效
发明人： 陈宜秀;谢明宏;许博砚;沈鼎瀛 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电阻式随机存取存储器结构及其制造方法，本方法包括形成一第一介电层位于一基底上。图案化第一介电层以形成多个开口，并形成多个底电极于开口中。形成一过渡金属氧化层覆盖底电极并延伸至部分第一介电层上，其中底电极与过渡金属氧化层的一侧壁的最短距离为一第一距离，且第一距离介于10nm至200μm。之后，形成一顶电极于过渡金属氧化层上。本发明的电阻式随机存取存储器结构中，过渡金属氧化层覆盖多个底电极，且过渡金属氧化层的侧壁位于底电极的侧壁之外。藉此，可降低底电极受到后续工艺的损害。
电阻随机存取存储器结构及其制造方法

[发明专利]非挥发性存储器制造方法及其构造-CN201210422872.8无效
发明人：李文诚;陈宜秀;吴怡德 -专利权人：宜扬科技股份有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器制造方法，包含以下步骤：于一硅基板上间隔地形成多个间断式的隔离层，且根据每一隔离层与相邻的隔离层界定一漏区域，每一条隔离层具有切断该条隔离层的多个空隙，所述空隙在垂直于所述隔离层的方向上形成一共同的源区域，所述漏区域通过该源区域互相连通；依序于该硅基板上附着一穿隧介电层、一电荷捕捉层、一阻电层，及一栅层；形成堆叠而成的多个栅极结构；及于该硅基板上的每一漏区域形成一漏极接触窗，且于该源区域形成至少一源极接触窗。一种非挥发性存储器构造也被公开。
挥发性存储器制造方法及其构造

[发明专利]反或型闪存的穿遂氧化层的制作方法-CN201210057951.3无效
发明人：吴怡德;陈宜秀;李文诚 -专利权人：宜扬科技股份有限公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明是涉及一种反或型闪存的穿遂氧化层的制作方法，通过对闸极结构中的穿遂氧化层的特定范围的温度及厚度的控制，使得信道区域不因高温的工艺而导致掺杂浓度及范围的改变，进而可改善漏电流现象及提高储存数据的可靠度。
闪存氧化制作方法

[实用新型]平面板材的切割工具结构-CN201120061287.0无效
发明人： 陈宜秀 -专利权人：益群科技股份有限公司
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：一种平面板材的切割工具结构，包括：一工具基座，设置在切割机具机台上，其内部设置一可开关的磁力产生器者；一工具垫板，以导磁材料制成的迭设在该工具基座上放置如：触控面板或电路板等平面板材；诸多可被磁吸的压夹板，迭置于该平面板材上，使操作该工具基座磁力产生器磁吸放置每一压夹板夹持该平面板材供刀具切割，及切割完成后解除该磁力产生器的磁吸力下料。
平面板材切割工具结构

[发明专利]具有双重离子注入的NOR型闪存结构及其制造方法-CN200910004505.4有效
发明人：吴怡德;李永忠;陈宜秀 -专利权人：宜扬科技股份有限公司
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种具有双重离子注入的NOR型闪存结构及其制造方法，该NOR型闪存结构包含：一半导体衬底、一轻掺杂漏极区、一第一源极区、一高掺杂漏极区、一磷掺杂漏极区、二自动对准金属硅化物层及一位障插栓。本发明在改善短沟道效应及避免轻掺杂漏极区在刻蚀时容易被挖穿的现象之后，还加强了轻掺杂漏极区与高掺杂漏极区结处的电性连接，使内存中载流子的迁移率不会降低。
具有双重离子注入 nor 闪存结构及其制造方法

[发明专利]具有高掺杂漏极区的NOR型闪存结构及其制造方法-CN200910004504.X有效
发明人：吴怡德;李永忠;陈宜秀 -专利权人：宜扬科技股份有限公司
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高掺杂漏极区的NOR型闪存结构及其制造方法，主要在于利用一高掺杂离子注入工艺注入一高掺杂漏极区，并与一轻掺杂漏极区重叠。从而使得在漏极区结深度降低以改善短沟道效应的同时，能避免刻蚀一接触孔时，对该轻掺杂漏极区造成挖穿的现象。
具有掺杂漏极区 nor 闪存结构及其制造方法

[发明专利]反或型闪存的制造方法-CN200810188258.3无效
发明人：吴怡德;李永忠;陈宜秀 -专利权人：宜扬科技股份有限公司
申请日： 2008-12-22 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明是关于一种反或(NOR)型闪存的制造方法，使得在存储器组件尺寸进一步缩小时，不需再于栅极结构两侧额外形成氧化层间隔层，而直接以绝缘层间隔物或浅沟槽绝缘层填满，避免于过小的栅极结构间距中形成氧化层间隔层，而造成工艺困难度大幅提高的问题。且亦能省去栅极结构间，形成自动对准金属硅化物层所需的自动对准步骤，而避免于过小的栅极结构间距中，发生自动对准的困难。
闪存制造方法

[发明专利]非易失性存储单元的制造方法-CN200810212502.5无效
发明人： 陈宜秀;李永忠;吴怡德 -专利权人：宜扬科技股份有限公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明是关于一种非易失性存储单元的制造方法，特别是指一种在栅电极的制造上使用自对准金属硅化物的制造方法，利用此一自对准金属硅化物作为多晶硅栅电极上的连接层，以取代已知的钨金属层，可以减少该步骤中掩膜制造工艺的使用，达成简化制造过程并降低成本的目的，同时亦可以避免钨金属层产生氧化而导致电阻偏移。
非易失性存储单元制造方法

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