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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]内连线结构-CN202210063204.4在审
发明人：陈维邦;黄震麟;郑志成 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种内连线结构的图形设计，包括第一金属内连线、第二金属内连线及连接第一金属内连线和第二金属内连线并位于第一金属内连线和/或第二金属内连线末端的金属通孔，其中，第一金属内连线自末端的金属通孔处向设定的第一金属内连线的延伸方向延伸第一长度，和/或第二金属内连线自末端的金属通孔处向设定的第二金属内连线的延伸方向延伸第二长度。本发明将末端设置有金属通孔的金属内连线自金属通孔处向设定的金属内连线延伸方向延伸一定长度，改善了末端的金属通孔阻障层覆盖的均匀性，增加了金属内连线与金属通孔交界处的阻障层的覆盖率，提高了电迁移可靠度。同时，降低了金属内连线末端金属通孔短路的风险，提高了良率。
连线结构

[发明专利]一种金属连线恒温电迁移测试结构-CN201711240650.3有效
发明人：王焱;陈雷刚;周柯;高金德 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提出一种金属连线恒温电迁移测试结构，包括：下层金属测试线、金属通孔、下层金属连线、上层金属连线、测试金属垫、散热结构，其中所述下层金属测试线的两端连接于下层金属连线，所述下层金属连线分别通过金属通孔连接于所述上层金属连线，所述两条上层金属连线分别连接至测试金属垫，所述散热结构设置于所述下层金属连线和上层金属连线周围。本发明提出的金属连线恒温电迁移测试结构，用于解决现有技术中因为水库效应和金属引线温度较高引起的难以达成电迁移可靠性测试的问题。
一种金属连线恒温迁移测试结构

[发明专利]金属内连线结构及其制作方法-CN202011082669.1在审
发明人：周逸豪;傅子豪;谢宗殷;张志圣;蔡世群;何坤展;林泱佐 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法，其中该金属内连线结构主要包含第一金属内连线设于一基底上的一金属间介电层内且第一金属内连线上表面切齐金属间介电层上表面、一第二金属内连线设于第一金属内连线上以及一遮盖层设于第一金属内连线以及第二金属内连线之间，其中遮盖层包含一导电层以及U形接触该第一金属内连线以及该第二金属内连线。
金属连线结构及其制作方法

[实用新型]通孔连线的测试结构-CN201420147515.X有效
发明人：王喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种通孔连线的测试结构，包括多组基本单元，基本单元包括第一金属连线、第二金属连线以及形成于第一金属连线和第二金属连线之上的多个通孔连线，第一金属连线和第二金属连线间隔排列，位于第一金属连线和第二金属连线上的通孔连线之间保持预定间距从而能够通过检测第一金属和第二金属之间是否存在漏电来判断通孔连线之间是否存在桥连，能够在每一层都设置该种结构，从而实现当层即可检测出，耗时时间少，有利于提高生产效率。
连线测试结构

[实用新型]金属连线短路测试结构-CN201420148819.8有效
发明人：王喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种金属连线短路测试结构，包括块形金属连线、条形金属连线和形成于两者之间的介质层，并且一部分区域条形金属连线的下方有块形金属连线，另一部分区域的条形金属连线的下方全部为介质层，条形金属连线分为保持隔离的两部分；从而模拟实际生产中化学机械研磨由金属连线密度不同造成的凹陷，凹陷造成的上方条形金属连线短路的现象，然后通过测试条形金属连线的电阻值，依照其电阻值的大小来判断条形金属连线之间是否存在短路，进而判断化学机械研磨造成的凹陷对金属连线是否存在短路的影响
金属连线短路测试结构

[发明专利]金属互连结构的形成方法-CN201110335250.7有效
发明人：于世瑞 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属互连结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属互连线，所述金属互连线分为目标金属互连线和非目标金属互连线，相邻目标金属互连线之间沟槽的高宽比小于相邻目标金属互连线与非目标金属互连线之间沟槽的高宽比；形成覆盖所述金属互连线和半导体衬底的介质层，所述目标金属互连线之间的介质层中形成有闭合空洞，所述闭合空洞的顶端高于目标金属互连线的顶端；刻蚀介质层至露出目标金属互连线的表面，形成通孔，刻蚀过程中将闭合空洞侧壁刻穿使相邻通孔之间贯通；在所述通孔和闭合空洞内填充满金属，形成目标金属互连线间的互连结构。本发明的方法减小了金属互连线的密度，提高了器件的稳定性。
金属互连结构形成方法

[发明专利]具有蛇状金属导线的金属内连线结构-CN202110930120.1在审
发明人：黄士哲;张竞之;柯元富;张志圣 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种具有蛇状金属导线的金属内连线结构，其为一种半导体元件，主要包含第一金属内连线设于基底上，第二金属内连线设于该第一金属内连线上，第一接触插塞设于该第一金属内连线以及该第二金属内连线之间，第一蛇状金属导线连接第一金属内连线的第一端，以及第二蛇状金属导线连接该第一金属内连线的第二端，其中第一蛇状金属导线、第二蛇状金属导线以及第一金属内连线设于同一层。
具有金属导线连线结构

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200510065653.9有效
发明人：金希珍 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在其上形成有器件的衬底上形成金属连线，该金属连线由下层金属连线、上层金属连线和连接下层与上层金属连线的插塞组成，其中下层与上层金属连线由透明导电膜图案制成，所述器件包括光电二极管和栅电极。然后在金属连线上依次形成钝化膜、滤色器和微透镜。金属连线的全部或一部分形成在透明导电膜图案中。这样，在光电二极管上形成了金属连线。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]测试结构及测试方法-CN202211650830.X在审
发明人：王帆;方明海;刘棋;吴龙;陈畅;张骏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种测试结构及测试方法，所述测试结构包括：衬底；器件结构，形成于衬底上；第一金属互连线、第二金属互连线和第一焊盘，第一金属互连线与器件结构电连接，所述第二金属互连线与所述第一焊盘电连接，第一金属互连线与第二金属互连线之间断开；电迁移金属线，电迁移金属线位于第一金属互连线与第二金属互连线之间，以使得电迁移金属线在发生电迁移时，电迁移金属线分别与第一金属互连线和第二金属互连线电连接。
测试结构方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110774613.0在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；第一介电层，位于基底上；第一金属互连线，位于第一介电层中，第一金属互连线沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布，第一金属互连线包括多层第一子互连线，在多层第一子互连线中，最顶层的第一子互连线作为顶层子互连线，沿第一方向，纵向上的相邻两层第一子互连线部分交叠；第二介电层，位于第一介电层和第一金属互连线上；第二金属互连线，位于第二介电层中，第二金属互连线沿第二方向延伸且沿第一方向平行排布，第二金属互连线与顶层子互连线相接触。增加第一金属互连线和第二金属互连线之间电连接的接触面积，从而减小第一金属互连线和第二金属互连线之间的接触电阻。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]测试结构-CN201320806969.9有效
发明人：王贵明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种测试结构，包括多个测试单元以及多个金属连线，测试单元内设有多个第一栅极和第一通孔连线，第一栅极和第一通孔连线由介质层隔离开，金属连线包括第一金属连线和第二金属连线，第一金属连线与第一栅极连接，第二金属连线与第一通孔连线连接。添加测试单元，所述测试单元设有多个第一栅极和第一通孔连线，两者通过介质层隔离开，再使用第一金属连线和第二金属连线分别连接第一栅极和第一通孔，通过监测两者之间的电流，从而实现对第一栅极和第一通孔连线之间是否存在短路现象进行监测
测试结构

[发明专利]金属内连线结构及其制作方法-CN201710867909.0有效
发明人：陈世宪;王明俊;王廷钧;张志圣 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法。该制作金属内连线结构的方法为，首先提供一基底，该基底上设有一第一金属间介电层，然后形成一第一金属内连线以及一第二金属内连线于第一金属间介电层内，去除部分第一金属间介电层以于第一金属内连线以及第二金属内连线之间形成一开口，进行一固化制作工艺，再形成一第二金属间介电层于第一金属内连线以及第二金属内连线上。
金属连线结构及其制作方法

[发明专利]半导体互连结构、其制作方法及半导体芯片-CN202010271229.4在审
发明人：李南照;高建峰;刘卫兵;孔真真 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：其中，所述半导体互连结构的金属互连线层包括：多段金属互连线，以及在相邻两段金属互连线之间设置的接触窗。其中，每段金属互连线的长度小于预设长度，相邻两段金属互连线通过接触窗连接。该半导体互连结构通过将金属互连线层的每一段金属互连线长度制作得比预设长度短，避免了金属互连线的线宽受电迁移影响，增加金属互连线可以流过的电流密度，提升了金属互连线的可靠性，从而可以改善半导体元件设计层面的限制
半导体互连结构制作方法芯片

[发明专利]三极管及其形成方法-CN202011039072.9有效
发明人：顾培楼 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本申请公开了一种三极管及其形成方法，该三极管包括：衬底，其中形成有集电区、发射区和基区；介质层，其形成于衬底上，介质层中形成有第一金属连线、第二金属连线和第三金属连线，第一金属连线的底端与集电区连接，第二金属连线的底端与发射区连接，第三金属连线的底端与基区连接；第二金属连线的特征尺寸小于第一金属连线，第二金属连线的特征尺寸小于第三金属连线，第二金属连线的特征尺寸小于0.18微米。本申请通过将三极管中与发射区连接的金属连线的特征尺寸降低至0.18微米以下，从而增加了发射区的发射效率，在不改变三极管的结构的基础上，提高了三极管的放大倍数。
三极管及其形成方法

[发明专利]集成电路金属连线及其制备方法-CN201610195399.2有效
发明人：陈定平 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路金属连线及其制备方法，其中，制备方法包括：对硅衬底上形成的金属层进行图形化处理，以形成金属连线；在形成所述金属连线后，采用四氟化碳气体对所述金属连线进行辅助干法刻蚀，以去除所述金属连线的表面氧化层和表面聚合物通过本发明技术方案，改善了集成电路金属连线的制备过程的后腐蚀效应，提升了制备集成电路金属连线的工艺可靠性。
集成电路金属连线及其制备方法

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