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[发明专利]一种高亮度发光二极管的多量子阱结构-CN201310562955.1有效
发明人：李淼;游桥明;沈志强 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种高亮度发光二极管的多量子阱结构，以实现器件整体性能的提升。该多量子阱结构的四个多量子阱层中，第一多量子阱层的量子阱禁带宽度最小，第二多量子阱层的量子阱禁带宽度最大，第三和第四多量子阱层的量子阱禁带宽度介于第一多量子阱层与第二多量子阱层的量子阱禁带宽度之间；第四多量子阱层的量子垒禁带宽度比其他多量子阱层的量子垒禁带宽度小但大于第四量子阱层的量子阱禁带宽度本发明的多量子阱结构设计对于各方面的优化结果对于电子空穴的注入效率，迁移速度，浓度分布和复合位置等均有明显改善，进而对器件的整体性能有了较大的提升效果。
一种亮度发光二极管多量结构

[发明专利]一种氮化物发光二极管结构-CN201810194487.X在审
发明人：刘军林;莫春兰;张建立;王小兰;郑畅达;全知觉;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本发明通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。
多量子阱层量子垒氮化物发光二极管缓冲层量子阱衬底内量子效率量子限制发光阱减薄

[实用新型]LED磊晶片结构-CN202120636445.4有效
发明人：谷鹏军;杨顺贵;林雅雯 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED磊晶片结构，其中，上述结构包括：多量子阱MQW有源层；所述多量子阱MQW有源层包括前多量子阱MQW有源层和后多量子阱MQW有源层，所述前多量子阱MQW有源层和所述后多量子阱MQW有源层中均具有交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述后多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度均大于所述前多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度。
led 晶片结构

[实用新型]一种氮化物发光二极管结构-CN201820323961.X有效
发明人：刘军林;莫春兰;张建立;王小兰;郑畅达;全知觉;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本实用新型通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。
多量子阱层量子垒氮化物发光二极管本实用新型缓冲层量子阱衬底内量子效率量子限制发光阱减薄

[发明专利]LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片-CN201410203241.6有效
发明人：农明涛;许孔祥;周佐华 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延层结构，包括依次叠置的量子阱应力释放层和多量子阱层，多量子阱层包括第一多量子阱层和第二多量子阱层；第二多量子阱层为InxGaN/GaN超晶格，InxGaN/GaN超晶格包括多个依次叠置的结构单元，每个结构单元包括第二InxGa阱层和第二GaN垒层；第一多量子阱层包括多个依次叠置的第一结构单元，第一结构单元包括彼此叠置的第一InxGa阱层和第一GaN垒层，第二InxGa阱层的厚度为第一InxGa阱层厚度的0.3～0.6倍；第二GaN垒层的厚度为第一GaN垒层厚度的0.3～0.6倍。本发明提供的LED外延层结构通过在第一多量子阱层下方设置第二多量子阱层，使得掺In量子阱应力释放层到第一多量子阱层的应力释放更加彻底，从而提高了所得具有该外延层结构的LED芯片的LOP等。
led 外延结构生长方法具有芯片

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202310172702.7在审
发明人：董雪振;李森林;毕京锋;王亚宏;薛龙;赖玉财;谢岚驰;廖寅生 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括：衬底、底部缓冲层、N型半导体层、有源层以及P型半导体层，其中有源层包括依次堆叠的第一多量子阱结构、第二多量子阱结构和第三多量子阱结构，且第一多量子阱结构、第二多量子阱结构和第三多量子阱结构均为阱层和垒层交替生长形成的周期性结构，第一多量子阱结构的垒层为含Al组分的结构层，第二多量子阱结构的垒层为氮化镓结构层，第三多量子阱结构的垒层为含In组分的结构层。
led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种绿光发光二极管的外延片及其制备方法-CN202210536830.0在审
发明人：张彩霞;程金连;印从飞;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种绿光发光二极管的外延片及其制备方法，绿光发光二极管的外延片，包括多量子阱层，还包括多量子阱准备层，多量子阱层生长于多量子阱准备层之上，多量子阱准备层包括依次外延生长的AlGaN层、InAlGaN层、InGaN层和InN层，多量子阱层生长于InN层之上。本发明通过在多量子阱之前先生长一层特殊结构设计的多量子阱准备层，成功减少了量子阱中缺陷，并使得底层与量子阱的晶格更加匹配，释放了绿光多量子阱层的应力，而且提供了富In环境，增加了绿光In组分的并入，减少了量子阱内的极化效应
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]氮化镓发光二极管外延片-CN201510003033.6有效
发明人：刘伟;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技有限公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓发光二极管外延片，包括在衬底上自下而上依次生长的低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱结构、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和高掺杂p型氮化镓电极接触层，其中，所述多量子阱结构包括N个多量子阱，所述N个多量子阱中的每两个多量子阱之间设置有一个隧道结，所述隧道结由以石墨烯为基底的氮化镓基组成。由于多量子阱结构由多层多量子阱组成，在多量子阱结构中每一对电子—空穴，会发生多次复合，产生多个光子，从而提高了氮化镓发光二极管的发光效率。
氮化发光二极管外延

[发明专利]一种LED外延结构生长方法及该方法制备的芯片-CN202210951603.4在审
发明人：王淑姣;郭园;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种LED外延结构生长方法，在衬底表面依次层叠生长的第一缓冲层、N型半导体层、第二缓冲层、高温量子阱层、低温多量子发光层、P型半导体层，所述低温多量子发光层的生长方法为：循环生长n个多量子阱发光层；n个多量子阱发光层包含n对多量子阱层和多量子垒层，且n个多量子阱层和多量子垒层的温度递减生长。本发明在生长低温多量子发光层时，设置依次生长多量子阱层的每个阱温依次递减0.5～1度，该阱温条件下生长的多量子阱层，会使靠前的阱能带高，靠后的能带低，从而后面的能隙较小，使得电子空穴更易复合；并且电子和空穴集中于最后3‑8个阱复合，可有效改善结晶质量，降低半波宽，提高芯片的发光纯度。
一种 led 外延结构生长方法制备芯片

[发明专利]外延结构及其制造方法-CN202010718509.5有效
发明人：范伟宏;李东昇;邬元杰;蒋敏;张成军 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种外延结构及其制造方法，该外延结构包括位于衬底上方的GaN电子供应层；多量子阱层，位于GaN电子供应层上方，包括交替堆叠的多个垒层与多个阱层；以及GaN空穴供应层，位于多量子阱层上方，其中，多量子阱层中的每个垒层的厚度不大于60埃米。该外延结构通过将多量子阱中的垒层厚度控制在60埃米以下，形成超薄垒结构，从而减少了阱垒的晶格失配应力，降低了多量子阱的量子限制斯塔克效应，进而提升了多量子阱的电子空穴复合效率。
外延结构及其制造方法

[发明专利]宽频谱GaN基LED外延结构及其制造方法-CN201610382974.X在审
发明人：刘恒山;陈立人;冯猛 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种宽频谱GaN基LED外延结构及其制造方法，所述LED外延结构依次包括衬底及位于衬底上的n型GaN层、应力释放层、超晶格多量子阱发光层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，所述超晶格多量子阱发光层的包括至少两层多量子阱发光层，不同的多量子阱发光层的半宽HW不同，每层多量子阱发光层由若干对InGaN层与GaN层依次堆叠组成。本发明中超晶格多量子阱发光层包括半宽HW不同的多层多量子阱发光层，可以达到宽频谱的效果，超晶格多量子阱发光层半宽HW可控制在40~60nm之间；还可根据实际应用调整频谱范围，在育林、养鱼等产业有着广泛的应用
宽频 gan led 外延结构及其制造方法

[发明专利]一种提高发光效率的外延结构及其制备方法-CN201210424140.2有效
发明人：郭丽彬;王耀国;钟伊泰 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提高发光效率的外延结构，从下向上依次包括：衬底、第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、发光层多量子阱结构MQW、p 型GaN层、p 型AlGaN层、p 型GaN层、p 型接触层；所述多量子阱结构MQW由n层InxGa1-XN/GaN 多量子阱组成，所述n层多量子阱中阱的宽度、深度以及垒的高度逐层递增；垒的宽度逐层递减；阱的宽度逐层递增与垒宽度逐层递减呈规律的对应关系本发明的生产工艺可以优化电子的浓度分布，减小多量子阱生长过程中产生的应力，减小量子限制斯塔克效应（QCSE），提高多量子阱发光效率。
一种提高发光效率外延结构及其制备方法

[实用新型]一种生长在蓝宝石衬底上的InGaN/GaN多量子阱结构-CN201420828220.9有效
发明人：邓顺达;林溪汉;林政德 -专利权人：冠铨（山东）光电科技有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种生长在蓝宝石衬底上的InGaN/GaN 多量子阱结构，包括生长在蓝宝石衬底层上的uGaN层，生长在uGaN层上的nGaN层，生长在nGaN层上的缓冲层，缓冲层上外延生长的7～20组InGaN/GaN量子阱构成多量子阱层，所述多量子阱层中设置有In组分渐变的InGaN层，在该多量子阱层的上方生长有GaN基LED所需的PA1GaN层和PGaN层；本实用新型的多量子阱结构利用在生长量子阱和量子势垒生长条件过程中保持IN成分渐变增加生长，改变量子阱中的能带机构来降低极化电厂对LED的影响，大大提高了发光效率，同时获取高质量InGaN/GaN多量子阱的LED 外延片。
一种生长蓝宝石衬底 ingan gan 多量结构

[发明专利]一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件-CN201910939163.9在审
发明人：孙海定;余华斌 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件，其中，多量子阱结构由交替生长的第一量子垒层和第一量子阱层组成，多量子阱结构中，沿其生长方向的最后一层为第一量子阱层。通过将多量子阱结构的最后一层设置为量子阱层，有效抑制了电子从有源区溢出，并将其应用于光电器件外延片及光电器件中，提升了光电器件的内量子效率、外量子效率和光输出功率，实现了大功率光电器件的制备。
光电器件多量子阱结构量子阱层外延片大功率光电器件光输出功率内量子效率外量子效率交替生长量子垒层生长方向有效抑制源区制备溢出应用

[发明专利]一种氮化物量子阱红外探测器及其制备方法-CN201510127695.4有效
发明人：王新强;荣新;沈波;陈广;郑显通;王平;许福军;秦志新 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氮化物量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器，在衬底上的掩膜层具有周期性排布的孔洞结构，纳米柱阵列从孔洞中生长出来，多量子阱生长在纳米柱阵列的顶部和侧面，分别对应为半极性面和非极性面多量子阱。其中，多量子阱生长于位错密度极低的纳米柱阵列上，可实现极高晶体质量的多量子阱结构；半极性面和非极性面多量子阱的极化场强度远低于传统极性面多量子阱的极化场强度，可实现高效光电流信号的提取；正面入射探测器表面即可有光电响应，省去传统量子阱红外探测器制备表面光栅结构或端面45°抛光的工艺；多量子阱材料采用第三代半导体材料，可实现全红外光谱窗口的光子探测，具有广阔的应用前景。
一种新型氮化物量子红外探测器及其制备方法

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