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[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法-CN201711064702.6有效
发明人：郑锦坚;李水清;周启伦;钟志白;吴雅萍;杜伟华;李志明;邓和清;臧雅姝;林峰;陈松岩;康俊勇 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法，包括：N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体，所述多量子阱由阱层和垒层构成的周期性结构，阱层采用相分离控制方法生长，包括相分离层生长方法和非相分离层生长方法，阱层由至少一相分离层和一非相分离层组成，相分离层形成激子限域深势阱和三维量子限制多量子态的量子点，抑制载流子被非辐射复合中心俘获，并给非相分离层施加量子效应和提供空穴与电子注入，非相分离层则提供电子和空穴辐射复合的势阱
一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN201810904544.9在审
发明人：冯猛;刘恒山;康双双;陈立人 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、AlN缓冲层、uGaN层、N型GaN层、多量子阱发光层、AlInGaN/AlN超晶格扩散阻挡层、P型空穴注入层及P型GaN本发明在多量子阱发光层及P型空穴注入层之间引入AlInGaN/AlN超晶格扩散阻挡层，可以阻挡P型掺杂扩散，降低能带弯曲导致的导带能级下降，减少量子阱非辐射复合，提升量子阱内量子效率的效果从而提高发光效率
多量子阱发光层扩散阻挡层超晶格量子阱制备能级非辐射复合内量子效率发光效率衬底导带阻挡扩散引入

[实用新型]LED外延结构-CN201821283264.2有效
发明人：冯猛;刘恒山;康双双;陈立人 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种LED外延结构，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、AlN缓冲层、uGaN层、N型GaN层、多量子阱发光层、AlInGaN/AlN超晶格扩散阻挡层、P型空穴注入层及P型GaN层。本实用新型在多量子阱发光层及P型空穴注入层之间引入AlInGaN/AlN超晶格扩散阻挡层，可以阻挡P型掺杂扩散，降低能带弯曲导致的导带能级下降，减少量子阱非辐射复合，提升量子阱内量子效率的效果从而提高发光效率
多量子阱发光层本实用新型扩散阻挡层超晶格量子阱能级非辐射复合内量子效率发光效率衬底导带阻挡扩散引入

[发明专利]光伏型多量子阱红外探测器-CN200710171387.7无效
发明人：陆卫;王文娟;甄红楼;李天信;陈平平;张波;李宁;李志锋;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏型多量子阱红外探测器，该探测器由SOI晶片，键合在SOI晶片上的光导型多量子阱红外探测器组成。所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层中产生固定电荷的晶片。所说的光导型多量子阱红外探测器为GaAs/AlGaAs、GaAs/InGaAs或Si/GeSi多量子阱红外探测器。本发明的优点在于：该探测器不仅具备了光导型多量子阱红外探测器的基本优越性能，同时也解决了光导探测器暗电流较大的缺陷，从而进一步提高了器件的性能。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。
光伏型多量红外探测器

[发明专利]发光二极管芯片-CN202110219720.7在审
发明人：樊本杰;杨鸿志;邓顺达 -专利权人：开发晶照明（厦门）有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种发光二极管芯片，例如包括：第一掺杂类型半导体层；第二掺杂类型半导体层；以及多量子阱结构层，形成在所述第一掺杂类型半导体层与所述第二掺杂类型半导体层之间。其中，所述多量子阱结构层包括在所述第一掺杂类型半导体层与所述第二掺杂类型半导体层的距离方向上层叠设置的多个第一量子阱结构和至少一个第二量子阱结构，所述多个第一量子阱结构用于发射第一颜色光，所述至少一个第二量子阱结构用于发射不同于所述第一颜色光的第二颜色光，且所述至少一个第二量子阱结构的阱层总数为所述多个第一量子阱结构中位于所述至少一个第二量子阱结构与所述第二掺杂类型半导体层之间的第一量子阱结构的阱层总数的1/15～1/5。
发光二极管芯片

[发明专利]多波长发光的紫外LED外延结构及其制备方法-CN202310593267.5在审
发明人：王新强;李泰;罗巍;康俊杰;袁冶;王维昀;李永德;王后锦 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种多波长发光的紫外LED外延结构及其制备方法，其包括AlN模板、AlGaN缓冲层、N型AlGaN层、新型多量子阱结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，新型多量子阱结构包括至少两个发光波长不同的量子阱组，各个量子阱组中的量子阱的厚度不同，从N型区至P型区方向依次减小分布，其中位于第二阱组位置及其之后位置的量子垒的厚度均≤5nm。本发明通过改变势阱层的厚度实现不同波长的发射,通过调节相同Al组分AlGaN量子阱的厚度而获得薄阱，利用增强的量子限制效应实现波长的有效蓝移，同时薄阱也有利于空穴向第一量子阱的迁移，从而可以实现波长在250
波长发光紫外 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片-CN202210199467.8在审
发明人：贾钊;窦志珍;兰晓雯;杨琦;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片，外延结构包括衬底、外延生长于衬底上的N型覆盖层、以及外延生长于N型覆盖层上的多量子阱层，多量子阱层包括多对交替生长的量子阱层和量子垒层；其中，N型覆盖层的Si掺浓度大于3e17，并且量子阱层和量子垒层的对数随N型覆盖层的Si掺浓度的增加而增加。此外，随着N型覆盖层的掺杂浓度的增加，还让多量子阱层同步增加垒和阱的对数，提高了载流子溢流的极限，使得光强饱和值上升，从而使同制程下芯片可得到的亮度更高。
一种外延结构及其生长方法 led 芯片

[发明专利]In-Si共掺杂量子阱的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法-CN202111167141.9在审
发明人：王新强;康俊杰;罗巍;袁冶;刘上锋;王后锦;李永德;王维昀;李泰;万文婷 -专利权人：中紫半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2021-10-03 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种In‑Si共掺杂量子阱的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法，其包括按从下至上的顺序依次分布衬底、低温AlGaN缓冲层、高温AlN层、AlGaN/AlGaN超晶格应力缓冲层、n型AlGaN层、有源发光区AlGaN/AlGaN多量子阱、电子阻挡p型AlGaN层、电流扩展p型AlGaN层和p型GaN接触层。本发明在多量子阱区域引入In‑Si共掺杂原子，能够实现对多量子阱有源区的非辐射复合中心的湮灭，增强有源区的辐射复合发光，提升深紫外LED外延结构的内量子效率，同时In‑Si原子能钳制住高温下的位错迁移，
in si 掺杂量子 algan 深紫 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法-CN202111680297.7在审
发明人：林楠;熊聪;马骁宇;刘素平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法，包括：衬底，依次叠设于衬底上的缓冲层、分布式布拉格反射镜层、下隔离层、应变补偿多量子阱层、上隔离层、下介质膜层、上介质膜层。其中应变补偿多量子阱层为张应变量子垒层和压应变量子阱层交叉叠设而成，应变补偿多量子阱层外表面均布置为张应变量子垒层。下隔离层、应变补偿多量子阱层、上隔离层的总光学厚度为λ、1.5λ、2λ的一种，其中，λ为掺Yb超快光纤激光器的激射波长。
一种半导体饱和吸收及其制备方法

[发明专利]一种提高亮度的LED外延片及其制备方法、LED芯片-CN202310904852.2在审
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种提高亮度的LED外延片及其制备方法、LED芯片，方法包括：获取一衬底；在所述衬底上依次生长AlN层、缓冲层、三维生长的GaN层、不掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂的GaN层；其中，所述多量子阱层的生长方法包括：在所述应力释放层上周期性层叠生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层以形成所述多量子阱层；其中，所述GaN量子垒层采用TEGa源进行生长且相邻两GaN量子垒层TEGa源的流量梯度递减。本申请通过对GaN量子垒层采用TEGa源进行生长且相邻两GaN量子垒层TEGa源的流量梯度递减的方法制备多量子阱层，提高了晶体质量及发光效率。
一种提高亮度 led 外延及其制备方法芯片

[发明专利]多色堆叠台阶式背出光Micro-LED显示器件及其制备方法-CN202110520622.7有效
发明人：刘斌;施根俊;陶涛;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多色堆叠台阶式背出光Micro‑LED显示器件，其结构包括：一蓝光LED外延片；若干组发出不同颜色光的InGaN多量子阱结构；在每个多量子阱上下均形成p‑n结；所述Micro‑LED显示器件刻蚀成台阶结构，每级台阶发出不同颜色的光，在每级台阶上形成n/p型GaN电极接触层，使得上下相邻两组多量子阱共用一个n/p型GaN电极接触层，并键合驱动电路，使得驱动电路实现对每级台阶的单独控制。本发明选择在MOCVD生长的蓝光LED外延片上用MBE二次外延绿光和红光多量子阱结构，可以在不破坏已有蓝光LED结构的情况下，实现RGB三色发光。MBE生长的p型层也不需要高温退火激活处理。
多色堆叠台阶式背出光 micro led 显示器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体发光二极管结构-CN200410052324.6无效
发明人：严志军 -专利权人：方大集团股份有限公司
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种半导体发光二极管结构，提供了一种外延生长的LED结构，包括在传统的LED结构即衬底层上的缓冲层、uGaN层、n型GaN∶Si层、多量子阱层以及p型GaN∶Mg层的基础上，在多量子阱层与p型GaN∶Mg层之间，或多量子阱层与n型GaN∶Si层之间，或者同时在上述两个界面之间生长不掺杂的uGaN隔层，从界面上将多量子阱层与n型GaN∶Si层从物理上分隔开。结果表明，本发明的LED结构与现有技术的LED相比，可以显著地降低LED芯片的反向漏电电流Ir，并提高LED芯片的良品率。本发明的二极管结构可应用于发光二极管(LED)或激光二极管(LD)。
一种半导体发光二极管结构

[发明专利]生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法-CN201310221246.7有效
发明人：李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱。本发明制备的InGaN/GaN多量子阱光致发光峰位是441nm，半峰宽24.3nm，显示出很好的光学性能。本发明还公开了上述InGaN/GaN多量子阱的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱结晶质量好，光学性能好。
生长铝酸锶钽镧衬底 ingan gan 多量制备方法

[发明专利]一种发光二极管的外延结构及其制备方法-CN202210404705.4在审
发明人：郑锦坚;王曼;常亮;高默然;毕京锋 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法，发光二极管的外延结构包括：衬底；以及在衬底上依次堆叠的第一半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层、多量子阱层以及第二半导体层，第一阻挡层和第二半导体层的掺杂类型彼此相反，其中，第一半导体层、第一阻挡层、第二阻挡层、多量子阱以及第二半导体层分别进行碳掺杂，并且多量子阱层的碳掺杂浓度≤第一阻挡层的碳掺杂浓度≤第一半导体层的碳掺杂浓度≤第二阻挡层的碳掺杂浓度≤第二半导体层的碳掺杂浓度本发明的发光二极管的外延结构及其制备方法，通过设置外延结构中各层的碳掺杂浓度的变化，降低电子注入多量子阱的速率，降低电子从多量子阱溢出几率，从而提升发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片-CN201510266884.X有效
发明人：李昱桦;乔楠;陈柏松;胡加辉;魏世祯 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述外延片包括：衬底、和依次覆盖在衬底上的缓冲层、无掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、以及P型层，多量子阱层为多周期结构，每个周期结构包括：量子阱层和覆盖在量子阱层上的量子垒层，最靠近P型层的量子垒层为超晶格结构，超晶格结构包括：多个交替生长的AlxGa1‑xN子层和GaN子层，0＜x＜1，AlxGa1‑xN子层中Al的组分随着生长顺序递变。本发明通过将外延片的多量子阱层中最靠近P型层的量子垒层设置为上述超晶格结构，一方面可以有效阻碍电子溢流，另一方面可以增加空穴的注入率，进而能提高外延片的内量子效率，提高发光二极管的发光效率。
超晶格结构多量子阱层量子垒层外延片子层发光二极管外延量子阱层衬底半导体技术领域空穴多周期结构发光二极管内量子效率发光效率交替生长周期结构掺杂的缓冲层注入率覆盖溢流生长阻碍