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[实用新型]一种高质量外延结构-CN201921947896.9有效
发明人：仇美懿;庄家铭;农明涛 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高质量外延结构，包括衬底，缓冲层、u‑GaN层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，所述缓冲层设置在衬底和u‑GaN层之间，以减少衬底和GaN之间的晶格差异，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层由AlN制成，所述第二缓冲层包括若干个周期的GaN层和SiNx层。本实用新型在衬底和GaN之间设置第一缓冲层和第二缓冲层，有效减低外延缺陷，减少晶格失配，提高外延结构的晶体质量。
一种质量外延结构

[实用新型]一种紫外发光二极管外延结构-CN201921032380.1有效
发明人： 农明涛;庄家铭;贺卫群;郭嘉杰;仇美懿 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外发光二极管外延结构，包括依次设于衬底上的AlN层、过渡层、N型AlGaN(0.01＜z＜0.99)层、有源层、阻挡层和P型AlGaN层，所述过渡层由若干个周期的AlN/AlGaN(0.01＜u＜0.99)超晶格结构组成。本实用新型通过在AlN层和N型AlGaN层之间形成一层过渡层，以将晶格失配产生的应力在过渡层逐步释放，从而避免AlN层发生龟裂问题，AlN层的质量得到提升，位错和缺陷会大幅减少，从而提升外延结构的晶体质量，进而改善发光效率。
一种紫外发光二极管外延结构

[实用新型]一种紫外发光二极管外延结构-CN201921197372.2有效
发明人： 农明涛;庄家铭;贺卫群;郭嘉杰 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外发光二极管外延结构，所述外延结构包括依次设于衬底上的AlN层、N型AlGaN层、有源层、P型超晶格阻挡层和P型GaN层，所述P型超晶格阻挡层由第一非掺杂层、第一Mg层、第二非掺杂层和第二Mg层交替形成，第一非掺杂层中Al的含量与第二非掺杂层中Al的含量不等。本实用新型在有源层和P型GaN层之间设置一层P型超晶格阻挡层，不仅起到阻挡电流，提高电流扩展的作用，还可以提高P型GaN层的空穴浓度及其迁移率，为有源层提供更多的空穴‑电子对，提高复合几率，提升亮度，从而提高外延结构的光电性能。
一种紫外发光二极管外延结构

[发明专利]一种高质量外延结构及其制作方法-CN201911097814.0在审
发明人：仇美懿;庄家铭;农明涛 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量外延结构及其制作方法，所述外延结构包括衬底，缓冲层、u‑GaN层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，所述缓冲层设置在衬底和u‑GaN层之间，以减少衬底和GaN之间的晶格差异，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层由AlN制成，所述第二缓冲层包括若干个周期的GaN层和SiNx层。本发明在衬底和GaN之间设置第一缓冲层和第二缓冲层，有效减低外延缺陷，减少晶格失配，提高外延结构的晶体质量。
缓冲层衬底外延结构晶格差异晶格失配外延缺陷源层制作

[实用新型]一种白光发光二极管外延结构-CN201920979413.7有效
发明人： 农明涛;庄家铭;贺卫群;祝邦瑞;郭嘉杰 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种白光发光二极管外延结构，所述外延结构包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、阻挡层和P型GaN层，所述有源层包括若干个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个GaN量子垒层，所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。本实用新型外延结构自身可发出白光，不需要添加荧光粉。此外，本实用新型外延结构制作而成的LED芯片的响应时间快、使用寿命时间长。
外延结构本实用新型量子阱结构源层荧光粉白光发光二极管黄光量子阱蓝光量子阱应力释放层量子垒层驱动电流使用寿命依次设置缓冲层阻挡层白光衬底黄光蓝光预设激发响应制作

[发明专利]一种硅衬底GaN基外延结构的制备方法及外延结构-CN201910922529.1在审
发明人：郭嘉杰;农明涛;庄家铭;贺卫群;仇美懿 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅衬底GaN基外延结构的制备方法，其包括：在硅衬底表面依次形成Al原子、AlN层、Al
势垒电子阻挡层硅衬底价带空穴辐射复合效率硅衬底表面本征GaN层尖峰超晶格层晶格失配量子阱区作用增强呈递层厚度大应变缓冲层极化场量子阱导带减小垒层制备溢出升高阻挡引入阻碍

[发明专利]一种紫外发光二极管外延结构及其制作方法-CN201910595294.X在审
发明人： 农明涛;庄家铭;贺卫群;郭嘉杰;仇美懿 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次设于衬底上的AlN层、过渡层、N型Al_zGa_1‑zN(0.01＜z＜0.99)层、有源层、阻挡层和P型AlGaN层，所述过渡层由若干个周期的AlN/Al_uGa_1‑uN(0.01＜u＜0.99)超晶格结构组成。本发明通过在AlN层和N型Al_zGa_1‑zN层之间形成一层过渡层，以将晶格失配产生的应力在过渡层逐步释放，从而避免AlN层发生龟裂问题，AlN层的质量得到提升，位错和缺陷会大幅减少，从而提升外延结构的晶体质量，进而改善发光效率。
外延结构过渡层紫外发光二极管超晶格结构发光效率龟裂问题晶格失配阻挡层衬底位错源层制作释放

[发明专利]一种紫外发光二极管外延结构及其制作方法-CN201910679874.7在审
发明人： 农明涛;庄家铭;贺卫群;郭嘉杰 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次设于衬底上的AlN层、N型AlGaN层、有源层、P型超晶格阻挡层和P型GaN层，所述P型超晶格阻挡层由第一非掺杂层、第一Mg层、第二非掺杂层和第二Mg层交替形成，第一非掺杂层中Al的含量与第二非掺杂层中Al的含量不等。本发明在有源层和P型GaN层之间设置一层P型超晶格阻挡层，不仅起到阻挡电流，提高电流扩展的作用，还可以提高P型GaN层的空穴浓度及其迁移率，为有源层提供更多的空穴‑电子对，提高复合几率，提升亮度，从而提高外延结构的光电性能。
非掺杂层外延结构超晶格阻挡层源层紫外发光二极管空穴电流扩展复合几率光电性能交替形成迁移率衬底制作阻挡

[发明专利]一种白光发光二极管外延结构及其制作方法-CN201910558561.6在审
发明人： 农明涛;庄家铭;贺卫群;祝邦瑞;郭嘉杰 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种白光发光二极管外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、阻挡层和P型GaN层，所述有源层包括若干个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个GaN量子垒层，所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。本发明外延结构自身可发出白光，不需要添加荧光粉。此外，本发明外延结构制作而成的LED芯片的响应时间快、使用寿命时间长。
外延结构白光发光二极管量子阱结构源层荧光粉制作黄光量子阱蓝光量子阱应力释放层量子垒层驱动电流使用寿命依次设置缓冲层阻挡层白光衬底黄光蓝光预设激发响应

[发明专利]电子阻挡层结构的生长方法及含此结构的LED外延结构-CN201610271839.8有效
发明人： 农明涛 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子阻挡层结构的生长方法，包括以下步骤：步骤A、生长总厚度为10‑20nm的高Al电子阻挡层；步骤B、生长厚度为40‑60nm的p型GaN层，其中Mg的掺杂浓度为5E19‑1E20atoms/cm3；步骤C、再升高温度至930‑950℃，反应腔压力维持在100‑500torr，持续生长厚度为50‑200nm的p型AlGaN层。本发明还公开了一种包括上述电子阻挡层结构的LED外延结构。本发明采用独特的电阻阻挡层结构，不仅能保持传统电子阻挡层减少电子溢出量子阱的优势，还优化了Mg的浓度分布，提高了空穴浓度和注入效率，从而提升LED芯片的亮度，降低LED芯片电压，改善LED芯片的光电特性。
电子阻挡结构生长方法 led 外延

[发明专利]LED外延层生长方法及所得LED外延片和芯片-CN201510525852.7有效
发明人： 农明涛;苗振林;卢国军;徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延层生长方法及所得LED外延片和芯片，包括以下步骤：S1步骤：在多量子阱层上生长超晶格层；S2步骤：在超晶格层上生长P型GaN层；超晶格层包括多个叠置的单元结构，每个单元结构由P型InxGa(1‑x)N层和叠置于P型InxGa(1‑x)N层上的P型AlyGa(1‑y)N层组成；其中x＝0～0.2，y＝0～0.4，通过调整每个单元结构中的x＝0.2‑a*(n‑1)，y＝b*n，其中n为超晶格层中对应单元结构的序号，a为相邻单元结构的x差值，b为相邻单元结构的y差值，使得超晶格层的能带均呈阶梯变化。该方法能改善在大电流注入下的发光效率衰减问题，在提高LED芯片亮度的同时，降低其正向电压。
超晶格层单元结构生长相邻单元芯片多量子阱层发光效率阶梯变化衰减问题正向电压大电流叠置

[发明专利]提升Mg空穴浓度的LED外延结构及其生长方法-CN201510626813.6有效
发明人：项博媛;徐迪;农明涛;杨云峰 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了提升Mg空穴浓度的LED外延结构及生长方法，外延结构从下至上包括非掺杂u型GaN层、第一高掺杂Si的n型GaN层、n型AlGaN电子阻挡层、第二高掺杂Si的n型GaN层、低温n型掺杂过渡层、浅量子阱、高低温量子阱、低温垒过渡层、P型AlGaN/InGa电子阻挡层、氮氢混气低掺杂P型GaN层、高温P层及高温P型接触层，高温P层从下至上包括第一高温P层、第二高温P层和第三高温P层，第一、三高温P层的Mg浓度均高于第二高温P层Mg浓度。本发明生长方法的高温P层Mg掺杂量呈现两头高中间低的趋势，形成梯度电容结构，提升空穴浓度，极大地减少了大电流密度下的衰减效应，提高电子与空穴的复合几率。
提升 mg 空穴浓度 led 外延结构及其生长方法

[发明专利]一种LED外延层生长方法-CN201510321387.5有效
发明人： 农明涛;苗振林;卢国军;梁智勇;周佐华 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片外延层生长方法，LED芯片是通过对基板进行处理得到的，基板包括衬底，位于衬底之上的缓冲层，位于缓冲层之上的N型GaN层，位于N型GaN层之上的发光层以及位于发光层之上的P型GaN层。方法包括对衬底溅镀缓冲层；利用金属化学气相沉积法MOCVD处理溅镀过缓冲层的衬底；利用金属化学气相沉积法MOCVD生长非掺杂GaN层；持续生长掺杂Si的N型GaN层；利用金属化学气相沉积法MOCVD生长有源层MQW；利用金属化学气相沉积法MOCVD生长P型AlGaN层；利用金属化学气相沉积法MOCVD生长P型GaN层；以及降温至700℃‑800℃，保温20min‑30min，冷却得到LED芯片外延层。本方案加深了衬底深度、增大了反射角度及底宽，从而增大了反射面积，从而提高了LED芯片的出光效率。
一种 led 外延生长方法

[发明专利]LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片-CN201410249647.8有效
发明人： 农明涛;杨云峰;朱耀强;项博媛 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片，LED外延层结构，包括依次叠置的多量子阱区和P型AlGaN层，还包括过渡层，过渡层设置于多量子阱区和P型AlGaN层之间，过渡层为AlInGaN层或AlGaN/InGaN超晶格结构。本发明提供的LED外延层结构中在P型‑AlGaN与多量子阱层之间增设AlInGaN或AlGaN/InGaN超晶格结构，能减少量子阱层与P‑AlGaN层的晶格失配，降低在P‑AlGaN层形成的位错和缺陷，有效阻止其他层中的Al或Mg向多量子阱区域扩散，从而提高LED芯片的发光效率4％。
led 外延结构生长方法具有芯片

[发明专利]一种增加GaN基反向电压的外延结构及其生长方法-CN201510404843.2有效
发明人：项博媛;徐迪;农明涛;杨云峰 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明的第一目的在于提供一种增加GaN基反向电压的外延结构，由下至上依次包括蓝宝石衬底、低温缓冲层、第一非掺杂u型GaN层、第二非掺杂u型GaN层、u型AlGaN/GaN超晶格过渡层、第一高掺杂Si的n型GaN层、n型AlGaN电子阻挡层、第二高掺杂Si的n型GaN层、低温n型GaN层、浅量子阱层、量子阱层、有源层、GaN垒层、第一P型AlGaN/InGaN电子阻挡层等。本发明的外延结构具有整体结构精简、在增加反向电压的同时降低驱动电压等特点。本发明的第二目的在于提供一种增加GaN基反向电压的外延结构的生长方法，具有生长工艺流程简单、缩短机台的生长时间等特性，适合工业化生产。
一种增加 gan 反向电压外延结构及其生长方法

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