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[发明专利]高光提取效率的LED外延片及其制备方法-CN202311114188.8在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光提取效率的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；应力缓冲层包括依次层叠于N型GaN层上的第一应力缓冲层、金属反射层和第二应力缓冲层；第一应力缓冲层为Si掺AlaInbGa1‑a‑bN层，其中，0≤a≤0.6，0≤b≤0.2；金属反射层为Al金属层、Ga金属层、In金属层、Mg金属层中的一种或多种形成的叠层结构；第二应力缓冲层为Si掺AlcIndGa1‑c‑dN层，其中，0≤c≤0.6，0≤d≤0.3。实施本发明，可提升发光效率。
提取效率 led 外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311188712.6在审
发明人： 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型复合层、电子阻挡层和P型GaN层，P型复合层包括依次层叠的Mg3N2层、P‑GaN层、P‑InGaN层，P‑GaN层中Mg的掺杂浓度＜P‑InGaN层中Mg的掺杂浓度；Mg3N2层的生长温度＜P‑GaN层的生长温度＜P‑InGaN层的生长温度；Mg3N2层的生长压力＞P‑GaN层的生长压力＞P‑InGaN层的生长压力。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、降低工作电压。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种LED外延片、制备方法及LED芯片-CN202310967037.0有效
发明人： 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延片、制备方法及LED芯片，LED外延片包括衬底及在所述衬底上依次沉积的有源层，所述有源层包括M个周期结构，所述周期结构包括量子阱层及量子垒层，所述量子阱层包括#imgabs0#前阱层、AlN组合层及#imgabs1#后阱层，所述量子垒层包括BN前垒层、#imgabs2#组合层及BN后垒层。通过复合的量子阱层，可使所述量子阱层内产生应力，以此抵消部分量子阱与量子垒之间的应力差，提高所述有源层内电子与空穴波函数的重叠程度，通过复合的量子垒层，其具有较大的导带偏移和较小的价带偏移特性，可提高空穴的注入效率，有效提高器件的发光效率。
一种 led 外延制备方法芯片

[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310864978.1在审
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。GaN基发光二极管外延片包括衬底和依次生长于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、第一插入层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，所述第一插入层包括依次生长于所述N‑GaN层上的第一AlN层、第一WS2层和第一InAlGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、抗静电能力和波长均匀性。
gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]用于Micro-LED的外延片及其制备方法、Micro-LED-CN202310864970.5在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于Micro‑LED的外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。用于Micro‑LED的外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层，所述多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括势阱层和势垒层，所述势阱层包括依次层叠的AlInN层、InN层和InGaN层；其中，所述AlInN层表面设有多个经H2刻蚀处理得到的纳米孔洞。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，提高发光波长均匀性，减小发光波长偏移。
用于 micro led 外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310868291.5在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；电子阻挡层包括：阵列分布于所述多量子阱层上的多个AlN纳米柱；生长于所述AlN纳米柱上的三维AlN层；所述三维AlN层的底部一一对应生长于所述AlN纳米柱上，其顶部生长合并，以形成多个纳米孔洞；生长于所述三维AlN层上的二维BGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]提升载流子匹配度的发光二极管外延片及其制备方法-CN202310756263.4在审
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升载流子匹配度的发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和第二半导体层；所述第二半导体层包含依次层叠在所述电子阻挡层上的三维未掺杂BN层、二维N极性InBN层和P型半导体层；所述P型半导体层包括第一子层和第二子层，所述第一子层为周期性交替层叠的第一P型GaN层和第一P型InAlGaN层，所述第二子层为第二P型GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提升多量子阱区域的载流子的匹配度。
提升载流子匹配发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310909323.1在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、V形坑层、多量子阱层、插入层、电子阻挡层和P型GaN层；所述插入层包括依次层叠的AlN层、Al层和WS2层。本发明可以增加发光二极管的发光效率和抗静电能力。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202311167465.1在审
发明人： 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、第一应力释放层、第二应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层；第一应力释放层为交替层叠的InxGa1‑xN层和第一Si掺GaN层形成的周期性结构；第二应力释放层为交替层叠的InyGa1‑yN层、GaN层、第二Si掺GaN层和Si掺InzGa1‑zN层形成的周期性结构；多量子阱层为交替层叠的InwGa1‑wN量子阱层、GaN帽层和Si掺GaN量子垒层形成的周期性结构。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率和抗静电性能，降低工作电压。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311007337.0有效
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述电子阻挡层包括依次层叠于所述多量子阱层上的Mg掺InN形核层、复合包覆层和AlScN填平层；所述复合包覆层包括依次层叠于所述Mg掺InN形核层上的AlInN层、AlGaN层和AlN层；所述Mg掺InN形核层包括多个分布在所述多量子阱层上的形核点，所述复合包覆层包覆所述形核点。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率和抗静电能力。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310826996.0有效
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征半导体层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层；P型半导体层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的第一子层、第二子层和第三子层；第一子层为P‑BInGaN层，所述第二子层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的InN层和P‑GaN层，所述第三子层为P‑InGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、抗静电能力、表面平整度，降低其工作电压。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310993517.4在审
发明人： 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、过渡层、AlGaN本征层、N型AlGaN层、电流扩展层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层以及复合欧姆接触层；所述复合欧姆接触层包括多个复合层，所述复合层包括依次层叠的BAlGaN层、BMgGaN层和BInMgGaN层。本发明提供的发光二极管外延片减少了对紫外LED光的吸收，提高了光提取效率，降低器件的工作电压。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311127055.4在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次生长形核层、本征半导体层、N型层、发光层、电子阻挡层及P型层；所述N型层包括沿外延方向依次设置的第一未掺杂Ga2O3层、共掺杂层及第二未掺杂Ga2O3层，所述共掺杂层为高掺杂Si、低掺杂B的GaN材料层，外延片的工作电压分布均匀，抗静电能力佳。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管外延片-CN202310968497.5有效
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管外延片，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、V型坑层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述V型坑层包括依次层叠于所述N型GaN层上的缺陷阻断层和V型坑形成层；所述缺陷阻断层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一BN层、InN层和第二BN层；所述V型坑形成层为Ga2O3层，其表面刻蚀形成多个V型坑。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率和抗静电能力。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]GaN基绿光发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311117820.4在审
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基绿光发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述GaN基绿光发光二极管外延片包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第一插入层、第二多量子阱层、第二插入层、第三多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述第一插入层包括依次层叠的第一WSe2层、P型InGaN层和第二WSe2层；所述第二插入层包括依次层叠的第三WSe2层、P型BGaN层和第四WSe2层。实施本发明，能够提高发光二极管的发光效率、抗静电能力和发光波长一致性。
gan 基绿光发光二极管外延及其制备方法

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