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[发明专利]利用GaN基窄阱多量子阱结构的高阻缓冲层及制备方法-CN201811563598.X有效
发明人：房育涛;刘波亭;张恺玄 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用GaN基窄阱多量子阱结构的高阻缓冲层及制备方法，包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、AlaGa1‑aN基窄阱多量子阱高阻缓冲层和GaN缓冲层：AlaGa1‑aN基窄阱多量子阱高阻缓冲层包含多个多量子阱结构应力传递层，多个多量子阱结构应力传递层中Al的含量由下至上依次减少；每一个多量子阱结构应力传递层进一步包括多个量子阱周期，每个量子阱周期中进一步包括层叠设置的低Al组分AlaaN窄势阱层、高Al组分AlbGa1‑bN势垒层，多量子周期的个数为
利用 gan 基窄阱多量结构缓冲制备方法

[发明专利]用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法-CN201610222440.0在审
发明人：刘雅丽;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法，该用于AlGaN光电器件的多量子阱结构包括：一衬底；一AlN缓冲层，其制作在衬底上；一AlN模板层，其制作在AlN缓冲层上；一AlGaN应力释放层，其制作在AlN模板层上；一N型AlGaN层，其制作在AlGaN应力释放层上；一AlGaN多量子阱层，其制作在N型AlGaN层上；一P型AlGaN/GaN层，其制作在AlGaN/AlGaN多量子阱层上。本发明其可以提高多量子阱光电器件的内量子效率。
用于 algan 光电器件多量结构制备方法

[发明专利]半导体发光二极管的外延片及其制造方法-CN201310280553.2有效
发明人：吴克敏;魏世祯 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：该外延片包括衬底和依次在衬底上生长的低温缓冲层、高温缓冲层、复合N型层、复合多量子阱层和复合P型层。该复合多量子阱层包括第一多量子阱层和在第一多量子阱层上生长的第二多量子阱层。该第一多量子阱层为多周期结构，每一周期包括势阱层和在势阱层上生长的势垒层，该第一多量子阱层每一周期的势垒层分别掺杂有Si。本发明外延片第一多量子阱层的势垒层掺杂的Si可以抑制势垒层的表面形成螺旋岛状结构，因此势垒层的表面特性好，晶体质量得到提高。本发明同时公开了一种制造半导体发光二极管外延片的方法。
半导体发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法-CN201310287139.4无效
发明人：郭丽彬;牛勇;李刚;刘仁锁 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，所述多量子阱有源层由3~20个Loop循环数的InyGa1-yN/GaN多量子阱组成，在所述3~20个Loop循环数的InyGa1-yN/GaN多量子阱有源层中的垒层进行通过P型优化掺杂，使得量子阱中的电子和空穴浓度分布趋于均衡，有效调控电子和空穴的浓度分布，降低电子溢出浓度，改善量子阱中载流子辐射复合效率，提高芯片内量子效率，以实现发光效率的提高。
一种提高发光效率氮化 led 外延生长方法

[发明专利]一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板-CN202210317411.8有效
发明人：岳大川;蔡世星 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板，属于MicroLED领域，方法步骤包括，设置第一阻隔层将第一多量子阱层分隔成多个第一多量子阱；在第一阻隔层中设置阳极，阳极包括与第一P层接触的第一阳极、与N层接触的第二阳极；键合并除去第一衬底直至暴露出N层；在N层上设置顶面具有第二P层的多个第二多量子阱，第二多量子阱位于第二阳极外周；设置与第二P层和第二阳极接触且与第二多量子阱隔离的延伸电极，第一多量子阱和第二多量子阱共阴极，二次外延时所需温度低，能够保护第一多量子阱和金属引线，第一多量子阱和第二多量子阱都能被有源驱动，实现彩色显示。
一种 microled 显示面板制作方法

[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法与LED芯片-CN202011333145.5有效
发明人：李兵兵;黄国栋;黄嘉宏;林雅雯;杨顺贵 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种LED外延结构及其制备方法与LED芯片。所述LED外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、多量子阱和第二半导体层，所述多量子阱由多个单量子阱层叠而成，其中，所述单量子阱包括依次层叠设置的第一GaN过渡层、InGaN势阱层、调控层、第二GaN过渡层以及本发明该结构可以有效提高多量子阱的界面质量，抑制In的偏析，降低点缺陷密度；使阱垒层的界面更加陡峭、光滑，降低多量子阱中的V形缺陷密度，从而使非辐射复合率降低；使多量子阱中的穿透位错在界面处湮灭，降低穿透位错密度，从而降低漏电流，提高LED外延结构的发光效率。
一种 led 外延结构及其制备方法芯片

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201110272820.2无效
发明人：高成 -专利权人：协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：其中，所述发光二极管包括：第一半导体层、和位于所述第一半导体层上方的第二半导体层；夹设在所述第一半导体层和第二半导体层之间的多量子阱层；且所述多量子阱层包括分立的至少两个多量子阱结构，其中至少两个相邻的多量子阱结构形成有沿层高方向上的第一侧面和第二侧面，其中，所述第一侧面是多量子阱结构与所述第一半导体层接触的侧面，所述第二侧面是多量子阱结构与所述第二半导体层接触的侧面。本发明能够提高载流子的复合速率，进而提高LED的内量子效率，改善LED的发光效率。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其制备方法-CN201410831198.8有效
发明人：冯猛;陈立人;蔡睿彦 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基LED外延结构及其制备方法，GaN基LED外延结构依次包括衬底；位于衬底上的氮化物缓冲层；位于氮化物缓冲层上的N型GaN层；位于N型GaN层上的多量子阱层，多量子阱层包括若干组量子阱层，每组量子阱层依次包括InxGa(1‑x)N势阱层、AlN/GaN超晶格结构层、和GaN势垒层；位于多量子阱层上的P型GaN层。本发明可以提高量子阱的界面质量，同时减少内部应力，从而提高量子阱的内量子效率。
一种 gan led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件-CN201910699756.2有效
发明人：孙海定;龙世兵;刘明 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件，其中，多量子阱结构由交替生长的量子阱层和量子垒层组成，每一量子阱层和量子垒层为不平整结构。通过将多量子阱结构的量子阱层和量子垒层设置为组分不均匀、结构不平整的结构，提高了载流子的光复合效率、内量子效率、发光效率，并将其应用于光电器件外延片及光电器件中，实现了大功率发光二极管、大功率发光激光器
一种多量结构光电器件外延

[发明专利]基于光电隔离的Micro-LED器件及其制备方法-CN202111248207.7在审
发明人：徐峰;邓旭光;谭毅;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于光电隔离的Micro‑LED器件及其制备方法，所述Micro‑LED器件包括自下而上依次设置的衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及电极，所述多量子阱层包括若干分离设置的多量子阱结构，P型半导体层包括若干位于多量子阱结构上的P型半导体结构，所述多量子阱结构上还设有形成于P型半导体结构侧壁上的隔离层，所述隔离层及多量子阱结构的侧壁上设有反射层，所述电极包括与N型半导体层电性连接的N电极及与P型半导体结构电性连接的P电极。
基于光电隔离 micro led 器件及其制备方法

[实用新型]基于光电隔离的Micro-LED器件-CN202122583403.1有效
发明人：徐峰;邓旭光;谭毅;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种基于光电隔离的Micro‑LED器件，所述Micro‑LED器件包括自下而上依次设置的衬底、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层及电极，所述多量子阱层包括若干分离设置的多量子阱结构，P型半导体层包括若干位于多量子阱结构上的P型半导体结构，所述多量子阱结构上还设有形成于P型半导体结构侧壁上的隔离层，所述隔离层及多量子阱结构的侧壁上设有反射层，所述电极包括与N型半导体层电性连接的N电极及与P型半导体结构电性连接的P电极。
基于光电隔离 micro led 器件

[发明专利]GaN基LED外延片及其形成方法-CN201310451946.5有效
发明人：肖怀曙;谢春林 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提出一种GaN基LED外延片及其形成方法，该GaN基LED外延片包括衬底；和外延层，外延层位于衬底之上，包括依次堆叠的以下结构层N型GaN层；位于N型GaN层一侧的第一InGaN/GaN多量子阱层；位于第一InGaN/GaN多量子阱层一侧的第二InGaN/GaN多量子阱层；位于第二InGaN/GaN多量子阱层一侧的P型GaN层，其中，第一InGaN/GaN多量子阱层中的阱层生长温度为T1，第二InGaN/GaN多量子阱层中的阱层生长温度为T2，其中T1＞T2。
gan led 外延及其形成方法

[实用新型]GaN基LED外延片-CN201320598427.7有效
发明人：肖怀曙;谢春林 -专利权人：惠州比亚迪实业有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种GaN基LED外延片，包括：衬底和外延层，所述外延层位于所述衬底之上，包括依次堆叠的以下结构层：N型GaN层；位于所述N型GaN层一侧的第一InGaN/GaN多量子阱层；位于所述第一InGaN/GaN多量子阱层一侧的第二InGaN/GaN多量子阱层；位于所述第二InGaN/GaN多量子阱层一侧的P型GaN层，其中，所述第一InGaN/GaN多量子阱层中的阱层厚度为D1，第二InGaN/GaN多量子阱层中的阱层厚度为D2，D1
gan led 外延

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201480022894.2无效
发明人：柴田馨;秋田胜史;藤井慧;石塚贵司 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：提供一种在近红外至红外区中具有高量子效率或高灵敏度的半导体器件等。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上且包括层a和层b的多个对的多量子阱结构；以及设置在衬底和多量子阱结构之间的晶体调整层。晶体调整层包括由与衬底相同的材料制成并与衬底接触的第一调整层，以及由与多量子阱结构的层a或层b相同的材料制成并与多量子阱结构接触的第二调整层。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种多量子阱结构-CN202222868658.7有效
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多量子阱结构。所述结构包括交替设置的量子垒层和量子阱层，所述多量子阱结构还包括设置在量子垒层中的第一应力调制层和量子阱层中的第二应力调制层中的至少一个，所述第一和第二应力调制层的晶格常数介于量子阱与量子垒层之间，用以降低多量子阱结构的内部应力本实用新型降低多量子阱结构的内部应力，提高载流子的复合效率，降低了辐射复合效率下降和波长漂移现象；而且由于降低了氮化物发光层的应力，提高了氮化物发光层中的组分和厚度的均匀性，可适用于长波外延工艺结构，扩大了氮化物发光层外延生长工艺窗口
一种多量结构