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[发明专利]三维半导体存储器件-CN202010142200.6在审
发明人：安钟善;沈在龙;郑基容;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：一种三维(3D)半导体存储器件包括：第一半导体层和第二半导体层，彼此水平地间隔开；掩埋绝缘层，在第一半导体层和第二半导体层之间；设置在第一半导体层上的第一单元阵列结构和设置在第二半导体层上的第二单元阵列结构；以及隔离结构，设置在第一单元阵列结构和第二单元阵列结构之间的掩埋绝缘层上，其中第一单元阵列结构包括：电极结构，包括在垂直于第一半导体层的顶表面的方向上堆叠的电极；和第一源极结构，设置在第一半导体层和电极结构之间，第一源极结构延伸到掩埋绝缘层上，隔离结构在第一单元阵列结构的第一源极结构和第二单元阵列结构的第二源极结构之间。
三维半导体存储器件

[发明专利]具有半导体薄膜的组合半导体装置-CN201010143609.6有效
发明人：荻原光彦;藤原博之;安孙子一松;佐久田昌明 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括接合到衬底的两个半导体薄膜，和将第一半导体薄膜中例如发光器件的半导体器件与第二半导体薄膜中的集成电路电连接的薄膜互连线。通常，该集成电路驱动该半导体器件。两个半导体薄膜与衬底分开形成。第一半导体薄膜可以包括半导体器件阵列。第一和第二半导体薄膜可以作为阵列被复制而接合到相同的衬底。与包含有阵列芯片和分离的驱动器芯片的常规半导体装置相比，本发明装置更小并且降低了材料成本。
具有半导体薄膜组合装置

[发明专利]具有半导体薄膜的组合半导体装置-CN201110405285.3有效
发明人：荻原光彦;藤原博之;安孙子一松;佐久田昌明 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B41J2/45 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括接合到衬底的两个半导体薄膜，和将第一半导体薄膜中例如发光器件的半导体器件与第二半导体薄膜中的集成电路电连接的薄膜互连线。通常，该集成电路驱动该半导体器件。两个半导体薄膜与衬底分开形成。第一半导体薄膜可以包括半导体器件阵列。第一和第二半导体薄膜可以作为阵列被复制而接合到相同的衬底。与包含有阵列芯片和分离的驱动器芯片的常规半导体装置相比，本发明装置更小并且降低了材料成本。
具有半导体薄膜组合装置

[发明专利]具有半导体薄膜的组合半导体装置-CN200310118175.4有效
发明人：荻原光彦;藤原博之;安孙子一松;佐久田昌明 -专利权人：冲数据株式会社
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括接合到衬底的两个半导体薄膜，和将第一半导体薄膜中例如发光器件的半导体器件与第二半导体薄膜中的集成电路电连接的薄膜互连线。通常，该集成电路驱动该半导体器件。两个半导体薄膜与衬底分开形成。第一半导体薄膜可以包括半导体器件阵列。第一和第二半导体薄膜可以作为阵列被复制而接合到相同的衬底。与包含有阵列芯片和分离的驱动器芯片的常规半导体装置相比，本发明装置更小并且降低了材料成本。
具有半导体薄膜组合装置

[发明专利]半导体激光器装置-CN201480006900.5有效
发明人：吉野雅也;绀谷亘 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体激光器装置，即使在来自多个半导体激光器阵列的光的聚光透镜入射光路长度不同的情况下，也能够使来自这些多个半导体激光器阵列的光高效地入射到光纤，因此能够得到高光输出。本发明的半导体激光器装置中设置有来自多个半导体激光器阵列的光经由准直构件而入射的聚光透镜、以及来自聚光透镜的光所入射的光纤，其特征在于，在聚光透镜的光入射面上由来自多个半导体激光器阵列的各光形成光入射列，多个半导体激光器阵列中的至少1个半导体激光器阵列的、来自半导体激光器阵列的光到达聚光透镜为止的光路的长度即聚光透镜入射光路长度相对不同，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列的光入射到光入射列中除了最外侧以外的位置
半导体激光器装置

[实用新型]一种LED灯-CN201821191231.5有效
发明人：王增斌;张国万;韩军海 -专利权人：北京量子体系科技股份有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED灯，该LED灯包括：LED阵列，用于提供光源进行照明；半导体制冷装置，与所述LED阵列连接，用于对所述LED阵列进行制冷；散热片，与所述半导体制冷装置连接，用于对所述半导体制冷装置进行散热；第一绝缘导热硅脂层，设置在所述半导体制冷装置与所述LED阵列之间，用于将所述LED阵列产生的热量传导至所述半导体制冷装置；控制电路，分别与所述半导体制冷装置和所述LED阵列电连接，用于在所述LED阵列温度高于预设温度时启动所述半导体制冷装置
半导体制冷装置本实用新型绝缘导热硅脂质量可靠性控制电路热量传导散热效率电连接散热片散热预设光源制冷

[发明专利]一种应用于光电子集成阵列芯片封装的光耦合设备-CN201410344629.8无效
发明人：王欣;邓晔;刘建国;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G02B6/43 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于半导体光电子集成阵列芯片封装的光耦合设备，包括：管壳或热沉；半导体光电子集成阵列芯片；半导体光电子集成阵列芯片衬底；光学准直透镜阵列；分光棱镜；分光棱镜支架；探测器阵列芯片；光学聚焦透镜阵列；光纤阵列；光纤阵列支架。本发明在光耦合部分通过安装一个分光棱镜将经过光学准直透镜阵列准直的半导体光电子集成阵列芯片输出的部分光信号引入各自对应的探测器阵列芯片中，克服了在半导体光电子集成阵列芯片耦合封装中因微波微带电路复杂或需双端光耦合而无法安置背光探测器阵列芯片的困难，实现了对半导体光电子集成阵列芯片光信号的实时监测。
一种应用于光电子集成阵列芯片封装耦合设备

[发明专利]半导体结构、存储器及半导体结构的制造方法-CN202310463781.7有效
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构、存储器及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：阵列半导体层，具有多个存储块，所述存储块包括多条位线和多条字线；与所述阵列半导体层相键合的外围半导体层，所述外围半导体层包括字线驱动区域和感测放大区域；所述感测放大区域的感测放大器与所述位线电连接，所述字线驱动区域的字线驱动器与所述字线电连接；所述字线驱动区域和所述感测放大区域在所述阵列半导体层上的正投影与至少一个所述存储块在所述阵列半导体层上的正投影至少部分重叠本公开实施例至少提高半导体结构的集成度，提高生产效率和半导体结构的性能。
半导体结构存储器制造方法

[发明专利]双层隔离三维阵列式半导体纳米线MOSFET-CN201210048768.7有效
发明人：黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种双层隔离三维阵列式半导体纳米线MOSFET，包括：半导体衬底；第一半导体纳米线MOSFET，进一步包括第一半导体纳米线阵列以及第一栅氧化层；第二半导体纳米线MOSFET，进一步包括第二半导体纳米线阵列以及第二栅氧化层；隔离介质层，设置在所述第一半导体纳米线MOSFET与所述第二半导体纳米线MOSFET之间；埋氧层，设置在所述第一半导体纳米线MOSFET与所述半导体衬底之间。本发明双层隔离三维阵列式半导体纳米线MOSFET的第一半导体纳米线MOSFET与第二半导体纳米线MOSFET通过隔离介质层间隔，可以完全独立的进行工艺调试，且器件集成度高。同时，本发明采用第一半导体纳米线MOSFET和第二半导体纳米线MOSFET均具有三维阵列式的半导体纳米线的结构设计进一步改善场效应晶体管的电学性能，并适用于前沿纳米器件技术领域。
双层隔离三维阵列半导体纳米 mosfet

[发明专利]具有节省空间的边缘结构的半导体部件-CN201210021553.6有效
发明人： O.布兰克;C.盖斯勒;F.希尔勒;M.勒施;R.西米尼克 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了具有节省空间的边缘结构的半导体部件。半导体部件被公开。一个实施例包括半导体本体，该半导体本体包括具有至少一个有源部件区的第一半导体层、具有多个沟槽的单元阵列、以及至少一个单元阵列边缘区。单元阵列边缘区被仅仅布置在单元阵列的边缘区域中，毗邻单元阵列的至少一个沟槽，以及被至少部分地布置在单元阵列中的至少一个沟槽下面。
具有节省空间边缘结构半导体部件

[发明专利]一种半导体材料臂阵列的制备方法-CN202210106772.8在审
发明人：史迅;顾明;仇鹏飞;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B21C23/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体材料臂阵列的制备方法。具体地，先将半导体块状材料放置在挤压模具的表面，再将半导体块状材料和挤压模具放置在耐压套筒内，通过挤压使半导体块状材料发生塑性形变填充在挤压模具表面阵列排布的孔洞中，再经脱模后，得到所述半导体材料臂阵列
一种半导体材料阵列制备方法

[发明专利]三维存储器器件及其形成方法-CN202180002867.9在审
发明人：王言虹;刘威;陈亮;夏志良;周文犀;张坤;杨远程 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括NAND存储器串阵列、包括第一晶体管的NAND存储器串阵列的第一外围电路、在NAND存储器串阵列与第一外围电路之间的多晶硅层、以及与第一晶体管接触的第一半导体层。多晶硅层与NAND存储器串阵列的源极接触。第二半导体结构包括NAND存储器串阵列的第二外围电路以及与第二晶体管接触的第二半导体层，该第二外围电路包括第二晶体管。第二半导体层在键合界面与第二半导体层之间。多晶硅层在第一半导体层与第二半导体层之间。
三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]一种掺杂结构阵列及光调制器-CN202010998456.7有效
发明人：郑俊守;黄小伟;夏晓亮 -专利权人：杭州芯耘光电科技有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂结构阵列及光调制器，掺杂结构阵列包括基板，设置在基板上面的第一半导体、第二半导体；第一半导体外接电极平行设置于第一方向，且与第一半导体接触；第二半导体外接电极与所述第一半导体外接电极平行于同一平面，且与第二半导体接触；所述第一半导体与第二半导体交错排列为第一半导体、第二半导体阵列，以使阵列中的第一半导体两两接触、第二半导体两两接触。
一种掺杂结构阵列调制器

[发明专利]一种栅阵列无结半导体沟道存储器结构及其制备方法-CN201611236887.X在审
发明人：肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种栅阵列无结半导体沟道存储器结构及其制备方法，该结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底之上的绝缘层；位于所述绝缘层上采用二维半导体材料的半导体沟道；位于所述半导体沟道上的栅电荷俘获结构；位于所述栅电荷俘获结构之上的碳纳米管栅阵列；以及分别位于所述碳纳米管栅阵列两端，并分别与所述半导体沟道连接的源接触电极和漏接触电极。本发明的存储器结构以二维半导体材料沟道代替传统的硅掺杂沟道，并采用了金属碳纳米管栅阵列，改善了栅极电荷俘获性能，简化了器件结构，可进一步提高存储阵列密度。
半导体沟道栅阵列存储器结构俘获绝缘层二维半导体碳纳米管电极栅电荷衬底沟道制备半导体金属碳纳米管存储阵列器件结构栅极电荷传统的硅掺杂漏接触源接触

[发明专利]单片LED阵列及其前体-CN202180040129.3在审
发明人：安德烈亚·皮诺斯;萨米尔·迈祖阿里;谭唯欣;约翰·莱尔·怀特曼 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种单片LED阵列前体，包括共享第一半导体层的多个LED结构，其中，该第一半导体层限定该LED阵列前体的平面，每个LED结构包括：(i)该第一半导体层上的第二半导体层，具有与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第二半导体层具有垂直于该上表面部分的规则梯形截面，使得该第二半导体层具有倾斜的侧面；(ii)该第二半导体层上的第三半导体层，具有与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第三半导体层具有垂直于该上表面部分的规则梯形截面，使得该第三半导体层具有与该第二半导体层的倾斜的侧面平行的倾斜的侧面；(iii)该第三半导体层上的第四半导体层，具有与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第四半导体层具有垂直于该上表面部分的规则梯形截面，使得该第四半导体层具有与该第三半导体层的倾斜的侧面平行的倾斜的侧面；(iv)该第四半导体层上的初级电接触件，其中，该接触件仅位于该第四半导体层的与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分上；(v)该第四半导体层的倾斜的侧面上的光学透明的电绝缘间隔件，这些间隔件具有面向该第四半导体层的倾斜的侧面的内表面和相反的外表面；以及(vi)反射层，在这些间隔件的外表面上导电延伸，其中，该第三半导体层包括多个量子阱子层，这些量子阱子层在与该LED阵列前体的平面平行的部分上具有更大的厚度
单片 led 阵列及其