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[发明专利]一种单光子雪崩二极管图像传感器像素器件、制备方法-CN202111125522.0在审
发明人：王哲;刘力源;尹韬;田娜;杨旭;祁楠;于双铭;刘剑;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种单光子雪崩二极管图像传感器像素器件、制备方法，上述像素器件，包括：衬底；衬底内部设置第一P型硅掺杂区域；衬底上设置N型外延层；N型外延区域内部设置第二P型硅掺杂区域、第三P型硅掺杂区域、第四P型硅掺杂区域、N型硅掺杂区域；第一P型硅掺杂区域的上表面自左向右依次设置第二P型硅掺杂区域、第四P型硅掺杂区域、第三P型硅掺杂区域；第四P型硅掺杂区域上设置N型硅掺杂区域，用于形成PN结；第二P型硅掺杂区域和N型硅掺杂区域之间、第三P型硅掺杂区域和N型硅掺杂区域之间均设置第一隔离区域；在第二P型硅掺杂区域远离第一隔离区域的一侧、第三P型硅掺杂区域远离第一隔离区域的一侧均设置第二隔离区域。
一种光子雪崩二极管图像传感器像素器件制备方法

[发明专利]超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构-CN201110311815.8有效
发明人：钱钦松;祝靖;林颜章;马文力;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-10-15 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排N型掺杂硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排P型掺杂硅区域。
纵向扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构

[发明专利]一种极性相异的钝化接触结构及电池、制备工艺、组件和系统-CN202110486509.1在审
发明人：沈承焕;赵影文;季根华;陈嘉;杜哲仁;马丽敏;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种极性相异的钝化接触结构及电池、制备工艺；该极性相异的钝化接触结构包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、设于电介质层表面且掺杂极性相异的第一、第二多晶硅掺杂层，设于第一多晶硅掺杂层与第二多晶硅掺杂层之间的多晶硅层，设于第一多晶硅掺杂层表面、掺杂极性相同且掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的第三多晶硅掺杂层，设于第二多晶硅掺杂层表面、掺杂极性相同且掺杂浓度大于第二多晶硅掺杂层的第四多晶硅掺杂层；第一、第三多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层，第二、第四多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层。
一种极性相异钝化接触结构电池制备工艺组件系统

[发明专利]掺杂层的制备方法及其应用-CN202210962034.3在审
发明人：张鹤;陈六;张密超;廖宝臣;吴兴华;李翔 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请提供了一种掺杂多晶硅层的制备方法及掺杂多晶硅层、掺杂非晶硅复合层的制备方法及掺杂非晶硅复合层、半导体器件和电池，所述掺杂多晶硅层的制备方法包括：a)交替地制备本征非晶硅层和掺杂非晶硅层，形成包括本征非晶硅层和复合在所述本征非晶硅层上的掺杂非晶硅层的循环单元；b)晶硅化得到掺杂多晶硅层。本发明所述掺杂多晶硅层的制备方法采用在线掺杂，在掺杂多晶硅层厚度一定的情况下，从工艺的角度上可以降低掺杂源气体的使用量。将掺杂多晶硅层和掺杂非晶硅复合层应用在电池中可以降低电池制造成本，保证电池性能。
掺杂制备方法及其应用

[发明专利]一种TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN202210183579.4在审
发明人：王义福;赵迎财;王涛;刘大娇;何胜;徐伟智 -专利权人：海宁正泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种TOPCon太阳能电池制备方法，包括在硅片的背面形成氧化硅层；采用原位掺杂的方式在氧化硅层背离硅片的表面形成第一掺杂非晶硅层；在第一掺杂非晶硅层背离氧化硅层的表面形成本征非晶硅层；对本征非晶硅层进行掺杂形成第二掺杂非晶硅层；对第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层同时进行晶化处理，对应形成第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层，得到TOPCon太阳能电池。本申请中将掺杂多晶硅层分成第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层两部分，第一掺杂多晶硅层采用原位掺杂的方式形成，第二掺杂多晶硅层采用非原位掺杂的方式形成，非原位掺杂的方式可以缩短制备时间，且还能减少制备过程所需气体的用量
一种 topcon 太阳能电池及其制备方法组件

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310470192.1在审
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池，包括：掺杂多晶硅层；掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域；第一掺杂多晶硅区域选自磷掺杂的多晶硅；第二掺杂多晶合金硅区域选自氧、碳、氮中至少一种元素合金化的磷掺杂多晶硅；第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度不低于1E20cm‑3；第二掺杂多晶合金硅区域的禁带宽度大于第一掺杂多晶硅区域的禁带宽度，第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度小于第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度本发明提供的TOPCon电池结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]雪崩光电二极管结构-CN201880004525.9有效
发明人：余国民 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：所述装置包括：硅衬底；下部掺杂硅区，所述下部掺杂硅区定位在所述衬底上方；硅倍增区，所述硅倍增区定位在所述下部掺杂硅区上方；中间掺杂硅区，所述中间掺杂硅区定位在所述硅倍增区上方；未掺杂锗吸收区，所述未掺杂锗吸收区定位在所述中间掺杂硅区上方；上部掺杂锗区，所述上部掺杂锗区定位在所述未掺杂锗吸收区上方；以及输入硅波导；其中：所述未掺杂锗吸收区和所述上部掺杂锗区形成耦合到所述输入波导的锗波导，并且所述装置还包括第一电极和第二电极，并且所述第一电极横向地延伸以接触所述下部掺杂硅区，并且所述第二电极横向地延伸以接触所述上部掺杂锗区。
雪崩光电二极管结构

[发明专利]一种高带宽高响应度的锗硅光电探测器-CN201911357237.4有效
发明人：陈代高;肖希;王磊;张宇光;胡晓;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种高带宽高响应度的锗硅光电探测器，涉及光电探测技术领域，包括硅波导、硅衬底、轻掺杂硅区、重掺杂硅区、锗吸收区、外延硅区、外延硅掺杂区、第一电极和第二电极；硅波导用于传播入射光；硅衬底用于接收硅波导传播的入射光；轻掺杂硅区设于硅衬底中；重掺杂硅区设于轻掺杂硅区中；锗吸收区设于轻掺杂硅区上，且锗吸收区包括远离硅波导的第一部分，第一部分在轻掺杂硅区上的投影面为圆弧状；外延硅区环绕并覆盖于锗吸收区上；外延硅掺杂区覆盖于锗吸收区的顶部；第一电极设于重掺杂硅区上，且形状与重掺杂硅区匹配；第二电极设于外延硅掺杂区上。本发明提供的锗硅光电探测器，具有高响应度和较高带宽。
一种带宽响应光电探测器

[发明专利]一种具有电流放大作用的硅光电探测器-CN201911176655.3有效
发明人：崔积适 -专利权人：三明学院
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有电流放大作用的硅光电探测器，包括：硅光波导区；第一N型重掺杂硅区和第二N型重掺杂硅区；其中，所述第一N型重掺杂硅区和第二N型重掺杂硅区分别位于所述硅光波导区两侧；P型重掺杂硅区及第三N型重掺杂硅区；其中，所述P型重掺杂硅区设置于所述第一N型重掺杂硅区与所述第三N型重掺杂硅区之间；第一金属电极，电连接至所述P型重掺杂硅区；第二金属电极，电连接至第二N型重掺杂硅区；第三金属电极，电连接至第三N型重掺杂硅区。本发明通过对各个区的掺杂类型以及掺杂浓度进行设置，使得补充一个很小的电流就可以在第三N型重掺杂硅区的电极上得到一个较大的电流，可以提高整体的检测精度。
一种具有电流放大作用光电探测器

[实用新型]开关电源用整流二极管-CN201922467605.2有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉开关电源用整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅层和外环高掺杂N型硅环中间有一个高掺杂P型硅基环；所述高掺杂P型硅基环和高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环横向距离相等，所述低掺杂的N型硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积石墨烯层。
开关电源整流二极管

[实用新型]一种桥式整流二极管-CN201721882359.1有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种桥式整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，有源区尺寸2.71mm×2.71mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，N型硅衬底的背面沉积金属V作为阴极，所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层；高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。
高掺杂衬底低掺杂基环桥式整流二极管本实用新型沉积金属石墨烯层反向击穿电压阳极金属电极阴极金属电极圆角长方体二极管阴极阳极保护膜硅晶片源区背面

[实用新型]桥式整流二极管-CN201621469010.0有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种桥式整流二极管，硅晶片尺寸为5.6mm×5.6mm，有源区尺寸4.72mm×4.72mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，N型硅衬底的背面沉积金属Ag或Ni作为阴极，所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层；高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。
整流二极管

[实用新型]一种极性相异的钝化接触结构及电池、组件和系统-CN202120936860.1有效
发明人：沈承焕;赵影文;陈嘉;季根华;杜哲仁;马丽敏;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开一种极性相异的钝化接触结构及电池、组件和系统；该钝化接触结构包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、设于电介质层表面且掺杂极性相异的第一、第二多晶硅掺杂层，设于第一、第二多晶硅掺杂层之间的多晶硅层，设于第一多晶硅掺杂层表面、掺杂极性相同且掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的第三多晶硅掺杂层，设于第二多晶硅掺杂层表面、掺杂极性相同且掺杂浓度大于第二多晶硅掺杂层的第四多晶硅掺杂层；第一、第三多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层，第二、第四多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层；电介质层厚度为0.9～2.9nm。
一种极性相异钝化接触结构电池组件系统

[发明专利]栅极沟槽以及半导体器件的制造方法-CN201010261546.4无效
发明人：韩秋华;黄敬勇;鲍俊波;张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极沟槽和半导体器件的制造方法，所述栅极沟槽的制造方法包括：在半导体衬底上依次形成掺杂多晶硅层和非掺杂多晶硅层；刻蚀非掺杂多晶硅层和掺杂多晶硅层，形成图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层，所述图案化掺杂多晶硅层的截面宽度小于图案化非掺杂多晶硅层的截面宽度；在图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层的侧壁形成侧壁层；去除图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层，形成栅极沟槽。本发明使形成的图案化掺杂多晶硅层的截面宽度小于所述非掺杂多晶硅层的截面宽度，可确保获得轮廓较佳的金属栅极。
栅极沟槽以及半导体器件制造方法

[发明专利]硅晶体及其制备方法-CN202011051284.9有效
发明人：欧子杨;白枭龙;尚伟泽;金浩 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅晶体的制备方法，包括：提供硅溶液，硅溶液中掺杂有第一掺杂离子以及第二掺杂离子，第一掺杂离子为N型掺杂离子或者P型掺杂离子中的一者，第二掺杂离子为N型掺杂离子或者P型掺杂离子中的另一者，且第一掺杂离子在硅溶液中的分凝系数大于第二掺杂离子在硅溶液中的分凝系数；对硅溶液进行凝固处理，以凝固部分硅溶液形成具有第一掺杂离子的第一类型硅晶体区，在形成第一类型硅晶体区之后，凝固剩余硅溶液形成具有第二掺杂离子的第二类型硅晶体区本发明实施例有利于提高硅晶体的成品产出率，降低硅晶体的制备成本。
晶体及其制备方法

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