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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括具有硅化物层的串选择线栅电极的三维存储器件-CN202010661124.X在审
发明人：金森宏治;姜书求;安钟善;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：提供了一种三维存储器件。该三维存储器件可以包括衬底、单元堆叠、串选择线栅电极、下垂直沟道结构、上垂直沟道结构和位线。串选择线栅电极可以包括下串选择线栅电极和形成在下串选择线栅电极的上表面上的上串选择线栅电极。下串选择线栅电极可以包括N‑掺杂的多晶硅。上串选择线栅电极可以包括硅化物。
包括具有硅化物层选择电极三维存储器件

[发明专利]半导体装置-CN202010986152.9在审
发明人：姜书求;张大铉;沈在龙;安钟善;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：外围电路区，其包括第一衬底和第一衬底上的电路元件；以及存储器单元区，其包括：第二衬底，其位于第一衬底的上部分上；栅电极，其彼此间隔开并竖直地堆叠在第二衬底上；沟道结构，其穿过栅电极竖直地延伸到第二衬底；第一分离区，其穿透沟道结构之间的栅电极并在一个方向上延伸；以及第二分离区，其竖直地延伸以从上方穿透第二衬底并具有由于宽度的改变而导致的弯曲部分。
半导体装置

[发明专利]垂直半导体器件-CN202010776340.9在审
发明人：玄昇;高东旭;朴珠希;宋柱鹤;安钟善;赵晟元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：一种垂直半导体器件可以包括衬底、堆叠结构、绝缘中间层、缓冲图案和第一接触插塞。堆叠结构可以包括在衬底上一个堆叠在另一个上的绝缘图案和导电图案。导电图案可以在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸，并且导电图案的边缘可以具有阶梯形状。导电图案可以包括由导电图案的暴露的上表面限定的焊盘图案。绝缘中间层可以覆盖堆叠结构。缓冲图案可以在绝缘中间层上。第一接触插塞可以穿过缓冲图案和绝缘中间层。第一接触插塞可以接触焊盘图案中的一个。缓冲图案可以减少由形成第一接触插塞引起的缺陷。
垂直半导体器件

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202010533632.X在审
发明人：沈在龙;安钟善;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：半导体存储器件包括设置在外围电路结构上并且在第一方向上彼此间隔开的水平图案。存储器结构设置在水平图案上。存储器结构包括源结构和电极结构。划分结构设置在第一方向上相邻的水平图案之间，并且被配置为将相邻的存储器结构的源结构彼此分开。蚀刻停止图案在低于源结构的高度的高度处设置在水平图案之间。蚀刻停止图案连接到划分结构的下部。
三维半导体存储器件

[发明专利]半导体器件-CN202010572363.8在审
发明人： 安钟善;权永振;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：沟道结构，布置在衬底上并且在垂直于衬底的顶表面的第一方向上延伸，沟道结构包括沟道层和栅极绝缘层；多个绝缘层，布置在衬底上并且围绕沟道结构，所述多个绝缘层在第一方向上彼此间隔开；围绕沟道结构的多个第一栅电极；以及围绕沟道结构的多个第二栅电极。在所述多个绝缘层之中的相邻绝缘层之间布置所述多个第一栅电极之中的第一栅电极和所述多个第二栅电极之中的第二栅电极，该第一栅电极和该第二栅电极沿第一方向彼此间隔开。
半导体器件

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202010142200.6在审
发明人： 安钟善;沈在龙;郑基容;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：一种三维(3D)半导体存储器件包括：第一半导体层和第二半导体层，彼此水平地间隔开；掩埋绝缘层，在第一半导体层和第二半导体层之间；设置在第一半导体层上的第一单元阵列结构和设置在第二半导体层上的第二单元阵列结构；以及隔离结构，设置在第一单元阵列结构和第二单元阵列结构之间的掩埋绝缘层上，其中第一单元阵列结构包括：电极结构，包括在垂直于第一半导体层的顶表面的方向上堆叠的电极；和第一源极结构，设置在第一半导体层和电极结构之间，第一源极结构延伸到掩埋绝缘层上，隔离结构在第一单元阵列结构的第一源极结构和第二单元阵列结构的第二源极结构之间。
三维半导体存储器件

[发明专利]三维半导体器件及其形成方法-CN201811632198.X在审
发明人： 安钟善;千志成;权永振;白石千;李雄燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：提供了一种三维半导体器件和一种形成三维半导体器件的方法。所述三维半导体器件包括：上基板；位于所述上基板上的栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构包括栅电极，所述栅电极在垂直于所述上基板的表面的方向上堆叠在存储单元阵列区域内同时彼此间隔开，并且延伸到与所述存储单元阵列区域相邻的延伸区域中，从而在所述延伸区域内布置成具有阶梯形状；以及至少一个贯穿区域，所述至少一个贯穿区域在所述存储单元阵列区域或所述延伸区域内穿过所述栅极堆叠结构，所述至少一个贯穿区域包括下部区域和比所述下部区域宽的上部区域。
三维半导体器件存储单元阵列区域栅极堆叠结构延伸区域上基板下部区域栅电极贯穿阶梯形状上部区域堆叠垂直穿过延伸

[发明专利]热交换器翅片结构-CN97117302.8无效
发明人：李寅培;李在宪;李承甲;安钟善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1997-08-07 - 公布日： 2002-09-11 - 主分类号： F24F13/30 文献下载
摘要：一种热交换器翅片结构，该翅片结构包括第一切口-突起部，它有多个片，每片的两个边从翅片上切开；第二切口-突起部，它有多个片，每片有一个与纵向中心线平行设置的桥，此中心线通过翅片上用于插入管子的孔的中心，以及把桥两端连在翅片表面上的桥柱；第三切口-突起部，它有多个组，每组有多个片；及第四切口-突起部，它有多个片，每片有一个与纵向中心线平行的中心线，该中心线的两端从翅片表面向上弯折。所述第一、第二和第三切口-突起部对称布设在所述第四切口-突起部的两侧；所述第二切口-突起部的桥布设成从所述翅片两侧面突起。
热交换器结构

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