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[发明专利]可由电压控制的单片原生RGB阵列-CN202180080043.3在审
发明人：安德烈亚·皮诺斯;谭唯欣;萨米尔·迈祖阿里 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种发光二极管结构，包括：p型区域；n型区域；栅极触点；第一发光区域，用于可由该p型区域和该n型区域注入的载流子的复合；以及第二发光区域，用于可由该p型区域和该n型区域注入的载流子的复合，其中，该第一发光区域和该第二发光区域至少部分地重叠以形成与该第一发光区域和该第二发光区域相关联的发光表面；其中，该p型区域至少部分地形成在穿过该第一发光区域和该第二发光区域的第一通道中，并且该n型区域至少部分地形成在穿过该第一发光区域和该第二发光区域的第二通道中，其中，发光器件被配置成使得该发光表面所发出的光的波长可通过改变由该栅极触点施加于该p型区域和该n型区域中的一个的栅极电压而控制，从而改变由该p型区域和该n型区域向该第一发光区域和该第二发光区域中的载流子注入。
电压控制单片原生 rgb 阵列

[发明专利]形成显示器的方法和显示器-CN202180045289.7在审
发明人：萨米尔·迈祖阿里;安德烈亚·皮诺斯;谭唯欣 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种形成显示器的方法，包括：将包括多个背板电触点的背板键合到包括对应的多个电触点的单片发光二极管结构，其中，键合包括在该多个背板电触点中的至少一个背板电触点与该单片发光二极管结构的对应电触点之间形成可逆键合；以及从该单片发光二极管结构移除材料，以提供多个物理隔离的发光二极管管芯，从而使得能够通过逆转该多个背板电触点中的该至少一个背板电触点与该单片发光二极管结构的对应电触点之间的该可逆键合来移除和/或替换至少一个物理隔离的发光二极管管芯。
形成显示器方法

[发明专利]用于高效微型LED显示器的间隔件LED架构-CN202180037919.6在审
发明人：安德烈亚·皮诺斯;谭唯欣;萨米尔·迈祖阿里;约翰·莱尔·怀特曼 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种形成光学器件的方法，该方法包括以下步骤：形成台面，该台面包括有源层，该有源层被配置为在受到电流作用时从该台面的第一发光表面发射光，该台面进一步包括与该发光表面相反的第二表面和基本上垂直的侧壁；在这些台面侧壁上形成间隔件，这些间隔件由第一电绝缘光学透明材料形成并且具有面向这些台面侧壁的内表面和相反的外表面；在该台面的发光表面上沉积第一层透明导电氧化物，该透明导电氧化物具有面向该台面的第二表面的内表面和相反的外表面；以及在该透明导电氧化物上以及这些间隔件的外表面上沉积一层反射导电材料。
用于高效微型 led 显示器间隔架构

[发明专利]应变弛豫层-CN202180048539.2在审
发明人：安德烈亚·皮诺斯;谭唯欣;萨米尔·迈祖阿里;约翰·莱尔·怀特曼;喻翔;金俊允 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种在磊晶结晶结构中形成应变弛豫层的方法，该方法包括：提供结晶模板层，该结晶模板层包括具有第一自然弛豫的面内晶格参数的材料；形成第一磊晶结晶层于该结晶模板层上，其中，该第一磊晶结晶层的初始导电率高于该结晶模板层的电导率；形成第二磊晶结晶层于该第一磊晶结晶层上，其中，该第二磊晶结晶层的电导率低于该第一磊晶结晶层的该初始导电率，该第二磊晶结晶层包括具有第二自然弛豫的面内晶格参数的材料，该第二自然弛豫的面内晶格参数与该结晶模板层的该第一自然弛豫的面内晶格参数不同；藉由该第一磊晶结晶层的电化学蚀刻在该第一磊晶结晶层中形成孔隙，以通过在第一磊晶结晶层中和/或在该第一磊晶结晶层和该第二磊晶结晶层之间的界面处的键的塑性变形来实现该第二磊晶结晶层中的应变弛豫；以及形成包含导电材料的一个或多个通道，该一个或多个通道至少穿过该第一磊晶结晶层及该第二磊晶结晶层，从而实现通过该第一磊晶结晶层和该第二磊晶结晶层到该结晶模板层的电连接。
应变弛豫层

[发明专利]单片LED阵列及其前体-CN202180040129.3在审
发明人：安德烈亚·皮诺斯;萨米尔·迈祖阿里;谭唯欣;约翰·莱尔·怀特曼 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种单片LED阵列前体，包括共享第一半导体层的多个LED结构，其中，该第一半导体层限定该LED阵列前体的平面，每个LED结构包括：(i)该第一半导体层上的第二半导体层，具有与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第二半导体层具有垂直于该上表面部分的规则梯形截面，使得该第二半导体层具有倾斜的侧面；(ii)该第二半导体层上的第三半导体层，具有与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第三半导体层具有垂直于该上表面部分的规则梯形截面，使得该第三半导体层具有与该第二半导体层的倾斜的侧面平行的倾斜的侧面；(iii)该第三半导体层上的第四半导体层，具有与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分，该第四半导体层具有垂直于该上表面部分的规则梯形截面，使得该第四半导体层具有与该第三半导体层的倾斜的侧面平行的倾斜的侧面；(iv)该第四半导体层上的初级电接触件，其中，该接触件仅位于该第四半导体层的与该LED阵列前体的平面平行的上表面部分上；(v)该第四半导体层的倾斜的侧面上的光学透明的电绝缘间隔件，这些间隔件具有面向该第四半导体层的倾斜的侧面的内表面和相反的外表面；以及(vi)反射层，在这些间隔件的外表面上导电延伸，其中，该第三半导体层包括多个量子阱子层，这些量子阱子层在与该LED阵列前体的平面平行的部分上具有更大的厚度，而在不与该LED阵列前体的平面平行的部分上具有减小的厚度。
单片 led 阵列及其

[发明专利]形成光学器件的方法以及光学器件-CN202180040184.2在审
发明人：安德烈亚·皮诺斯;萨米尔·迈祖阿里;谭唯欣;约翰·莱尔·怀特曼 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：一种形成光学器件的方法，该方法包括以下步骤：在牺牲台面的基本竖直侧壁上形成间隔件，这些间隔件由第一电绝缘光学透明材料形成，并具有接触台面的内部面和第二相反的外部面；沉积反射导电材料，以便在这些间隔件的外部面上形成镜层；移除牺牲台面，以便在间隔件的内部面之间形成凹穴；将具有基本竖直侧壁的管芯安装到在间隔件的内部面之间的凹穴中。
形成光学器件方法以及

[发明专利]单体式RGB微型LED显示器-CN202180031065.0在审
发明人：詹姆斯·皮尔金顿;萨米尔·迈祖阿里;谭唯欣;约翰·怀特曼;基思·斯特里克兰 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种形成包括多个发光像素的发光二极管阵列的方法，其中，所述发光像素中的至少一个包括：被配置为发射第一主峰值波长的光的发光二极管；以及分散在介质中的有机半导体，其中，所述有机半导体被配置为从所述发光二极管接收所述第一主峰值波长的输入光并进行转换，以提供第二主峰值波长的输出光。
体式 rgb 微型 led 显示器

[发明专利]高分辨率单体式RGB阵列-CN202180022522.X在审
发明人：安德烈亚·皮诺斯;金俊允;萨米尔·迈祖阿里;谭唯欣 -专利权人：普列斯半导体有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种发光二极管结构包括：p型区；n型区；发光区，该发光区用于可由该p型区和该n型区注入的载流子的复合；以及穿过该发光区的通孔，其中，该通孔限定至少一个像素的发光表面的边界并且包括被配置为使得载流子能够注入到该p型区或该n型区中的材料，其中，该p型区和该n型区中的一个被配置为使得在该p型区和该n型区中的一个中生成的载流子在该发光区中复合之前扩散穿过该n型区和p型区中的另一个。
高分辨率体式 rgb 阵列

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