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[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法-CN200910088291.3有效
发明人：刘翔;谢振宇;陈旭 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2009-07-13 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极，半导体层的表面为经表面处理形成的欧姆接触层，源电极和漏电极分别通过欧姆接触层与半导体层连接。制造方法包括：形成包括像素电极、栅线和栅电极的图形；形成包括栅绝缘层和半导体层的图形，且半导体层的表面为经表面处理形成的欧姆接触层；形成包括数据线、源电极和漏电极的图形，源电极和漏电极分别通过欧姆接触层与半导体层连接本发明避免了过刻半导体层和物理轰击半导体层表面的工艺，通过采用厚度较薄的半导体层，大幅度提高了TFT-LCD阵列基板的性能。
tft lcd 阵列及其制造方法

[发明专利]封装工艺及封装结构-CN200910174057.2有效
发明人：沈启智;陈仁川;潘彦良 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：接着，将多个第一半导体元件配置于粘着层上。然后，在承载板上形成第一封装胶体，第一封装胶体覆盖第一半导体元件的侧壁并填满第一半导体元件之间的间隙，以使第一半导体元件与第一封装胶体形成芯片阵列板。之后，将多个第二半导体元件分别倒装接合至第一半导体元件上。接着，在芯片阵列板上形成第二封装胶体，第二封装胶体至少覆盖第二半导体元件的侧壁并填满第二半导体元件之间的间隙。然后，分离芯片阵列板与粘着层。之后，沿着第二半导体元件之间的间隙切割第二封装胶体与第一封装胶体。
封装工艺结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310612879.0有效
发明人： J·B·常;P·常;A·马宗达;J·W·斯雷特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构及其形成方法。形成第一和第二半导体材料的交替叠层。在所述交替叠层上形成限定鳍片的掩模结构。随后形成平面化电介质层以及其中的第一和第二栅极腔。各向同性蚀刻所述第二半导体材料以横向扩展所述第一栅极腔并且形成包括所述第一半导体材料的第一半导体纳米线阵列，并且各向同性蚀刻所述第一半导体材料以横向扩展所述第二栅极腔并且形成包括所述第二半导体材料的第二半导体纳米线阵列每个替代栅结构可以横向包围二维半导体纳米线阵列。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]图像传感器-CN202221129296.3有效
发明人：张康隆;新居英明 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器，包括半导体基底和透镜阵列，半导体基底设有多个像素，各像素包括感光单元以及至少部分嵌入感光单元中的光偏振单元；透镜阵列设置在半导体基底上，透镜阵列包括多个与各像素对应设置的透镜单元。
图像传感器

[发明专利]一种具有等离子体阵列电极太赫兹光电导天线-CN202310751772.8在审
发明人：贾光瑞;岳梓巍;苗宇航 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有等离子体阵列电极太赫兹光电导天线，沿光电导天线的信号输入方向到信号输出方向依次为电极层、薄膜介质层、半导体衬底层和透镜，其中透镜位于半导体衬底层下表面，薄膜介质层位于半导体衬底层上表面，电极层位于半导体衬底层上表面紧贴薄膜介质层，电极层包括梯形电极阵列和金属纳米球阵列，梯形电极阵列包括左侧梯形电极阵列和右侧梯形电极阵列，左侧梯形电极阵列和右侧梯形电极阵列结构相同且两者呈镜像对称布置，金属纳米球阵列设置于左侧梯形电极阵列和右侧梯形电极阵列之间的衬底内部。本发明通过调节等离子体阵列电极的电极尺寸和排布来影响所辐射出太赫兹波的强度和带宽。
一种具有等离子体阵列电极赫兹电导天线

[发明专利]阵列基板和具有该阵列基板的液晶显示装置-CN201611158544.6在审
发明人：卢正训;宋根圭;李弦燮 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板以及包括该阵列基板的液晶显示装置，其中该阵列基板包括第一基板；源电极，设置在第一基板上；半导体图案层，设置在源电极上；漏电极，设置在半导体图案层上；像素电极，设置在漏电极上；以及栅电极，设置在半导体图案层的至少一个侧表面上。制作阵列基板的方法被提供。
阵列具有液晶显示装置

[发明专利]半导体测试结构及其制备方法-CN202110753566.1在审
发明人：王路广 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体测试结构的制备方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括基底及位于基底正面上的电容阵列结构，电容阵列结构包括多个呈阵列排布的电容器，各电容器的下电极通过电容接触结构与基底相连接，各电容器的上电极共用同一个电容极板，电容极板延伸至电容阵列结构一侧下部；对半导体结构进行背面减薄，直至露出电容接触结构；自所得结构的底部对电容阵列结构的边缘区域进行刻蚀，直至露出电容极板；于暴露出的电容极板的底部形成第一测试焊盘。上述半导体测试结构的制备方法，通过将电容阵列结构底部的基底进行去除，以露出电容接触结构，并在电容极板的底部形成焊盘，使得纳米探针技术可以应用于DRAM电容结构的电容值测量。
半导体测试结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件的双钝化层结构及其制备方法-CN202010222808.X在审
发明人：方绍明;李照华;戴文芳 -专利权人：深圳市明微电子股份有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的双钝化层结构的制备工艺，包括如下步骤：提供半导体基板，所述半导体基板包括基板以及设置在所述基板上的金属阵列；在所述半导体基板的金属阵列所在的表面制备第一钝化层；在所述第一钝化层背离所述半导体基板的一侧表面沉积聚合物，制备第二钝化层；对所述第二钝化层覆盖所述金属阵列的区域进行光刻处理，得到间隔设置的第二钝化层，所述间隔设置的第二钝化层设置在所述金属阵列之间；对所述第一钝化层覆盖所述金属阵列的区域进行刻蚀处理，得到间隔设置的双钝化层结构，所述间隔设置的双钝化层结构设置在所述金属阵列之间，其中，未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。
半导体器件钝化结构及其制备方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板-CN202010447765.5在审
发明人：蒋雷;赵亚雄;李广圣;黄学勇;叶宁;谢超 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板。本发明提供的阵列基板，包括基板、设置在基板上的绝缘层以及设置在绝缘层上的源极、半导体层和像素电极，源极和像素电极分别位于半导体层两侧，且半导体层与源极之间以及半导体层与像素电极之间均具有重叠区域，还包括覆盖源极、半导体层和像素电极的钝化层，以及设置在钝化层上的栅极。本发明提供的阵列基板可避免产生高阻抗风险，并且可以节约生产成本，提高产品开口率。
阵列及其制作方法显示面板

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202011173548.8在审
发明人：龙强 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，半导体结构的制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括阵列区域和外围区域，所述阵列区域具有有源区和第一隔离结构，所述外围区域具有第二隔离结构；在所述阵列区域内形成栅极结构本发明实施例提供的半导体结构的制备方法能够简化电阻结构的生产工艺，减小电阻结构占用的空间，降低半导体结构的生产成本。
半导体结构制备方法

[发明专利]竖直存储器件-CN201980001757.3有效
发明人：张中 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开内容的各方面提供了一种半导体器件。该半导体器件包括沿垂直于半导体器件的衬底的方向，在衬底上方的阵列区中交替地堆叠的栅极层和绝缘层。此外，该半导体器件包括在阵列区中形成的沟道结构的阵列。此外，该半导体器件包括通往栅极层的触点结构。该触点结构形成于具有不均匀的阶梯深度的阶梯台阶上。
竖直存储器件

[发明专利]具有在焊球处耦合的单独模制的引线框和裸片的半导体封装-CN201810804209.1在审
发明人： J·塔利多 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开涉及具有在焊球处耦合的单独模制的引线框和裸片的半导体封装。根据本文教导的原理，提供了用于半导体裸片的引线框阵列，其具有接收焊球的位置。然后，焊球被施加于引线框阵列，此后引线框阵列和焊球组合被置于第一模具中并且在第一模塑料中被包围。在固化模塑料之后，去除模塑料的层以露出焊球。此后，半导体裸片电连接至露出的焊球。组合的半导体裸片和引线框被置于第二模具中，并且注入第二模塑料。第二模塑料在半导体裸片和引线框组合周围流动，完全包围引线框和半导体裸片之间的电连接，利用两次模制的配置来制造最终的封装。此后，在适当的位置处切割两次模制的半导体封装阵列，以将封装单一化为独立的产品。
焊球半导体裸片引线框半导体封装引线框阵列塑料单独模制次模制第二模电连接耦合的裸片封装模具引线框组合包围第一模固化模模塑料位置处组合被去除切割施加流动配置制造

[发明专利]一种显示面板和显示装置-CN202310252219.X在审
发明人：周洪波;伍黄尧 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括阵列基板，阵列基板包括像素电路，多个像素电路在行方向和列方向上呈阵列分布，各像素电路包括像素驱动半导体部，像素驱动半导体部包括两个固定电位节点，行方向和列方向相交；参考信号线，固定电位节点与参考信号线电连接；像素连接半导体部，在第一方向上相邻的两个固定电位节点通过像素连接半导体部电连接，第一方向平行于阵列基板所在平面。采用上述技术方案，通过设置像素驱动半导体部包括两个固定的电位阶段，同时设置在第一方向上相邻的两个固定电位节点通过像素连接半导体部电连接，有利于提升像素驱动半导体部的性能，进而提升显示面板的显示效果。
一种显示面板显示装置

[发明专利]半导体引弧超密电弧阵列湍流摩擦减阻装置与方法-CN202310957935.8在审
发明人：苏志;宗豪华;张志波;梁华;吴云 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：基于半导体引弧的超密电弧阵列湍流摩擦减阻装置包括半导体块(1)、电极(2)、陶瓷块(3)和高压脉冲电源(4)等部分，电极(2)插入半导体块(1)中，多个半导体块(1)与陶瓷块(3)沿展向间隔排列，形成半导体引弧的电极(2)阵列。利用半导体材料降低击穿电压，提高电极阵列的展向密度，增大有效减阻来流速度。还提供一种基于半导体引弧的超密电弧阵列湍流摩擦减阻方法，该方法实时感知流场状态，计算最佳展向电弧间距，据此控制电弧放电模式，在实际飞行中迅速变化的流场状态下保持最佳的减阻效果，提高减阻适应性。
半导体引弧超密电阵列湍流摩擦装置方法

[发明专利]一种倒装集成发光二极管及其制备方法-CN201110296970.7有效
发明人：吴厚润;黄少华;吴志强;邹博闳;邓有财;林科闯 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种倒装集成发光二极管：包括一个带有金属布线阵列的基板；一个相互电隔离的LED阵列倒装形成于所述基板上，与基板上的金属布线阵列连接；每个LED包括由n型半导体层、有源层、p型半导体层组成的发光外延层，N电极和P电极，所述外延层被定义为发光区和N电极区，所述发光区的p型半导体层和有源层分别与N电极区的p型半导体层和有源层分隔开；N电极区的n型半导体层与p型半导体层形成短路连接从而构成N电极，P电极形成于发光区的p型半导体层上；所述的金属布线阵列使相互电隔离的LED的P电极和其相邻的LED的N电极相连。
一种倒装集成发光二极管及其制备方法