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[发明专利]制造多晶硅层的方法-CN200410058928.1有效
发明人：陈亦伟;张志雄;许宗义 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-07-21 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种制造多晶硅层的方法，包括：首先，提供一基板，并形成一绝缘层于基板上。接着，形成一非晶硅层于绝缘层上，非晶硅层具有一非晶硅厚区及一非晶硅薄区。然后，将非晶硅层完全熔融为一第一熔融态非晶硅区及一第二熔融态非晶硅区。第一熔融态非晶硅区的底部中央对应于非晶硅厚区的底部中央，第二熔融态非晶硅区的底部中央对应于非晶硅薄区的底部中央，第一熔融态非晶硅区的温度低于第二熔融态非晶硅区的温度。接着，由第一熔融态非晶硅区往第二熔融态非晶硅区结晶，以形成多晶硅层。
制造多晶方法

[实用新型]一种高效N型HIBC太阳能电池-CN202021948246.9有效
发明人：杜娟;张敏;卢刚 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了高效N型HIBC太阳能电池，包括N型硅衬、第一本征非晶硅层、N型非晶硅层和减反层、及第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和接触层，N型硅衬底的厚度为160～190μm；第一本征非晶硅层的厚度为1～15nm；N型非晶硅层的厚度为5～20nm；掺杂非晶硅层包括交替间隔设置的P型非晶硅区和N型非晶硅区；第二本征非晶硅层的厚度为1～15nm；掺杂非晶硅层的厚度为0.1～0.4μm，P型非晶硅区的宽度为300～1000μm；N型非晶硅区的宽度为80～220μm，相邻的P型非晶硅区和N型非晶硅区之间的间隙宽度为10～50μm。
一种高效 hibc 太阳能电池

[发明专利]非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置-CN201410764284.1有效
发明人：高桥和也;古泽纯和;冈田充弘;米仓大雅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化
非晶硅结晶方法化硅膜半导体装置制造

[实用新型]一种基于氧化锡前电极的非晶硅薄膜电池-CN201120118803.9有效
发明人：吴兴坤;李媛;曹松峰 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于氧化锡前电极的非晶硅薄膜电池，属于非晶硅薄膜电池技术领域，其是由包括氧化锡前电极薄膜的氧化锡基板、第一非晶硅P型层、第二非晶硅P型层、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层、非晶硅Ｎ型层和背电极层依次复合构成，所述的第一非晶硅P型层、第二非晶硅P型层、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层、非晶硅Ｎ型层构成非晶硅发电层，所述的第一非晶硅P型层采用无氢沉积，第二非晶硅P型层采用有氢沉积。该结构的非晶硅薄膜电池可在不改变现有的生产流程和不引进额外的生产设备的情况下对现有工艺进行调整，有利于制造时提高薄膜的沉积速度，缩短氧化锡暴露在氢等离子体中的时间，从而起到相似的保护氧化锡薄膜的作用。且该非晶硅薄膜电池的功率最大能提高8W。
一种基于氧化电极非晶硅薄膜电池

[发明专利]一种应力可控的应力硅及其制备方法-CN202110494400.2有效
发明人：崔积适 -专利权人：三明学院
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种应力可控的应力硅及其制备方法，涉及应力硅技术领域。制备方法包括：在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口，非晶硅生长窗口由硅波导区的上表面蚀刻形成；非晶硅生长窗口均呈矩形，且非晶硅生长窗口在硅波导区呈矩形阵列分布；在非晶硅生长窗口中沉积非晶硅，并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层；以波长为488nm的光辐照非晶硅生长窗口使非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅。这样使制备得到的应力可控的应力硅提高了应力硅的载流子迁移率，提升了器件的工作频率，具有一阶电光效应，在硅中产生拉应力使硅的带隙减小，能够对C通信波段的信号光产生吸收。
一种应力可控及其制备方法

[发明专利]非晶硅薄膜太阳能电池的制造方法-CN201110315055.8有效
发明人：杨瑞鹏;傅建明 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种非晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括：提供基板；在所述基板上形成复合电极层，所述复合电极层的材料包括：硅、P型材料和N型材料；进行退火处理，形成非晶硅光电单元，所述非晶硅光电单元依次包括：N型非晶硅层、本征非晶硅层和P型非晶硅层。本发明在避免P型非晶硅层对本征非晶硅层的污染的前提下，降低了非晶硅光电单元的生产成本，且简化了制造步骤。
非晶硅薄膜太阳能电池制造方法

[发明专利]双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构及其制备方法-CN201910601631.1在审
发明人：郭小勇;易治凯;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及的一种双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构及其制备方法，它包括硅衬底，所述硅衬底的正面和背面均设有第一非晶硅本征层；所述硅衬底和第一非晶硅本征层之间设有第二非晶硅本征层，所述第二非晶硅本征层采用二氧化碳和纯硅烷进行沉积，所述第一非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧设有若干Ag电极。本发明有效的避免了非晶硅薄膜的外延生长，减少硅表面缺陷，保证本征非晶硅薄膜的钝化效果，提升异质结太阳能电池性能。
非晶硅本征层异质结太阳能电池硅衬底掺杂层导电膜非晶硅制备本征非晶硅薄膜非晶硅薄膜钝化效果外延生长纯硅烷硅表面电极二氧化碳沉积背面保证

[发明专利]多晶硅层的制造方法和显示装置-CN202111049275.0在审
发明人：徐宗吾;白种埈 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：实施方式提供了多晶硅层的制造方法和显示装置，该多晶硅层的制造方法包括：在基板上形成第一非晶硅层；将N‑型杂质掺杂至第一非晶硅层中；在N‑掺杂的第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；将P‑型杂质掺杂至第二非晶硅层中；和通过将激光束照射在N‑掺杂的第一非晶硅层和P‑掺杂的第二非晶硅层上，使N‑掺杂的第一非晶硅层和P‑掺杂的第二非晶硅层结晶，以形成多晶硅层。
多晶制造方法显示装置

[实用新型]一种改善开路电压的非晶硅叠层太阳能电池-CN201420847119.8有效
发明人：李媛;周丽萍 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善开路电压的非晶硅叠层太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，是在透明导电玻璃基板上依次沉积顶电池非晶硅P型层、顶电池非晶硅缓冲层、顶电池非晶硅本征层、顶电池微晶硅N型层、底电池非晶硅P1层、底电池非晶硅P2层、底电池非晶硅P3层、底电池非晶硅缓冲层、底电池非晶硅本征层、底电池非晶硅N型层、背电极薄膜层和封装材料层而成。相对于现有结构，本实用新型增设了底电池非晶硅P2层与底电池非晶硅P3层两薄膜层。底电池三P型层设计，改善了底电池与顶电池的界面接触，增强了内建电场，使得非晶硅叠层电池的开路电压大大增加，同时提高了非晶硅叠层电池的光电转换效率。
一种改善开路电压非晶硅叠层太阳能电池

[发明专利]柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法-CN200910198262.2无效
发明人：彭祥军;杨英颖;刘远祥;程琳 -专利权人：彭祥军;杨英颖
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶硅薄膜柔性光伏电池，由如下膜层依次排列组成：不锈钢箔-铝-氧化锌铝膜-非晶硅或微晶硅n1层-非晶硅或微晶硅i1层-非晶硅或微晶硅p1层-非晶硅b1层-非晶硅n2层-非晶硅i2层-非晶硅同时提供了一种上述柔性光伏电池的制备方法，依次包括如下步骤：不锈钢箔抛光清洗；PVD真空镀铝膜；PVD真空镀氧化锌铝膜；PECVD真空镀非晶硅膜或非晶硅-微晶硅膜系；PVD真空镀氧化铟锡膜；PVD镀银浆栅线本发明采用双结非晶硅-非晶硅或非晶硅-微晶硅电池结构，可大大提高良品率，耗能与耗材都非常少，可大幅度降低制造成本。
柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]制造多晶硅层的方法及其光罩-CN200410097453.7有效
发明人：孙铭伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-11-25 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明有关一种制造多晶硅层的方法。首先，提供一基板，并形成一非晶硅区于基板上，非晶硅层具有第一非晶硅区及第二非晶硅区。接着，提供一光罩，光罩包括部分透光区及透光区，部分透光区及透光区分别对应于第二非晶硅区及第一非晶硅区。然后，以激光光照射光罩，使得第一非晶硅区被全熔融且第二非晶硅区被预热，且被全熔融的第一非晶硅区是结晶成第一多晶硅层。然后，移动光罩或基板，使得透光区对应于被预热的第二非晶硅区。接着，以激光光照射光罩，使得被预热的第二非晶硅区被全熔融，且被全熔融的第二非晶硅区是结晶成第二多晶硅层。
制造多晶方法及其

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010305046.X在审
发明人：单朝杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；以第一预设沉积温度在所述基底上形成非晶硅材料层，所述非晶硅材料层用于形成伪栅结构或核心层，所述第一预设沉积温度低于非晶硅的晶化温度；刻蚀所述非晶硅材料层，形成非晶硅层，所述非晶硅层用于作为伪栅结构或核心层。本发明通过使第一预设沉积温度低于非晶硅的晶化温度，能够降低在形成非晶硅材料层的过程中非晶硅发生晶化的概率，不易使非晶硅转化为多晶硅，相应的，后续刻蚀非晶硅材料层时，有利于提高刻蚀速率和刻蚀效果的均一性，从而减小非晶硅层的线边缘粗糙度，其中，所述非晶硅层用于作为伪栅结构或核心层，因此，提高非晶硅层的线边缘粗糙度，相应有利于提高半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法-CN201110119980.3无效
发明人：黄永光;朱小宁;刘德伟;王熙元;马丽;朱洪亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构，包括：一n型硅衬底；一黑硅层，该黑硅层制作在n型硅衬底上；一i型氢化非晶硅层，该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上；一p型氢化非晶硅层，该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上；一n+型重掺杂层，该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面，形成广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构。
广谱吸收非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构制作方法

[发明专利]一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构及其制备方法-CN201711303308.3在审
发明人：白焱辉;李高非;王继磊;易治凯;黄金;张娟 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法。它包括硅衬底层以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层和硅衬底层下层的下本征非晶硅层，上本征非晶硅层的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层、受光面第二掺杂非晶硅层和上TOC层，下本征非晶硅层的下层由上往下依次设置有第三掺杂非晶硅层和下采用上述的结构和方法后，由于设置的两层受光面掺杂非晶硅层并且通过在制备过程中通过调整工艺参数实现受光面双掺杂非晶硅层，使其膜层同时具有优异的光学性能和电学性能，由此在不影响HJT电池受光面掺杂非晶硅导电性的情况下，提高了该掺杂非晶硅层的带隙，提高了光的利用率，从而了提高HJT电池的光电转换效率。
一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构及其制备方法

[发明专利]一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池-CN201810713687.1在审
发明人：杨振英;卢刚;王海;何凤琴;郑璐;钱俊;王旭辉 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N+层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。本发明的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。
本征非晶硅背面背接触钝化层异质结光电转换效率绝缘隔离层基体正面减反层接触层沉积掺杂

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