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[发明专利]用于光刻的包含杂取代的碳环芳基组分的组合物和方法-CN200910249079.0有效
发明人： D·王;C·-B·徐;G·G·巴克雷 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于光刻的包含杂取代的碳环芳基组分的组合物和方法，提供了用于浸没式光刻方法的新的光刻胶组合物。本发明还提供了一种处理光刻胶组合物的方法，包括：(a)在基材上施涂光刻胶组合物，所述组合物包括：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种包含杂取代的碳环芳基的材料；以及(b)使光刻胶层浸没式曝光于使该光刻胶组合物活化的辐射下本发明优选的光刻胶组合物包含一种或多种含杂取代的碳环芳基的材料。在浸没式光刻过程中，使用本发明特别优选的光刻胶，表现出减少光刻胶材料向与光刻胶层接触的浸没液中的滤出。
用于光刻包含取代碳环芳基组分组合方法

[发明专利]光刻胶涂覆装置及光刻胶涂覆方法-CN202010055766.5在审
发明人：田笵焕;林钟吉;张成根;金在植 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种光刻胶涂覆装置，包括夹盘、光刻胶喷嘴、清洗剂喷嘴、边缘曝光光源、显影剂喷嘴及调整机构，夹盘定位晶圆并带动晶圆旋转，光刻胶喷嘴向定位于夹盘上的晶圆喷涂光刻胶，清洗剂喷嘴向晶圆的边缘的光刻胶喷涂清洗剂，边缘曝光光源对晶圆的边缘的光刻胶进行曝光，显影剂喷嘴向被曝光的晶圆的边缘的光刻胶喷涂显影剂，调整机构调整清洗剂喷嘴保持喷涂的清洗剂与晶圆的表面的角度小于30度，调整机构调整显影剂喷嘴保持喷涂的显影剂与晶圆的表面的角度小于本发明的提供的光刻胶涂覆装置能充分去除光刻胶，且避免清洗剂溅射至晶圆非边缘处的光刻胶上，提高光刻良率。本发明还提供一种光刻胶涂覆方法。
光刻胶涂覆装置方法

[发明专利]解决光刻胶导致的球状缺陷的方法-CN201610795574.1在审
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;汪金凤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种解决光刻胶导致的球状缺陷的方法，包括第一步骤将晶圆流片到离子注入工艺之前；第二步骤利用图案化的光刻胶执行离子注入，离子注入后形成光刻胶硬壳，其中光刻胶内包含光刻胶杂质；第三步骤完全或部分去除表面的光刻胶硬壳；第四步骤完全去除光刻胶。
解决光刻导致球状缺陷方法

[发明专利]一种去除光刻胶的方法-CN202110781768.7在审
发明人：赵利芳;杨云春;马琳 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种去除光刻胶的方法，包括：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、烘烤、显影和硬烤处理，以形成刻蚀区域；去除牺牲层，以使得牺牲层和光刻胶层被剥离去除，进而能够在经过硬烤处理之后，将不容易去除的光刻胶层，通过去除牺牲层的方式，将光刻胶层去除，进而有效去除光刻胶层。
一种去除光刻方法

[发明专利]光刻胶、显示面板及其制作方法-CN202211601314.8在审
发明人：朱钦富;李林霜;段淼;陈黎暄 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种光刻胶、显示面板及其制作方法；该光刻胶包括感光结构及与该感光结构连接的树脂结构，其中，该感光结构用于该光刻胶的曝光显影，该树脂结构用于该光刻胶的蒸镀；本申请通过将感光结构与树脂结构接枝结合，形成可蒸镀的光刻胶，利用蒸镀将光刻胶形成于基板之上，形成较薄的光刻胶，从而提高图案化精度，改善工艺精度，降低显示面板的制作难度。
光刻显示面板及其制作方法

[发明专利]去除光刻胶层的方法-CN200810118408.3有效
发明人：韩秋华;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-08-14 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除光刻胶层的方法，提供一半导体结构，所述半导体结构上具有光刻胶层；对光刻胶层进行第一步灰化，灰化掉部分厚度的光刻胶层；对剩余的光刻胶层进行第二步灰化，将剩余的光刻胶层去除；其中第一步灰化的灰化速率大于第二步灰化的灰化速率该方法在去除光刻胶层时可以更干净的去除灰化残余物。
去除光刻方法

[发明专利]利用光刻胶模板掩模的频率加倍-CN200810175121.4无效
发明人：克里斯多佛·D·本彻尔;戴会雄;立彦·苗;陈浩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2008-10-27 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明描述了一种利用光刻胶模板掩模的频率加倍的方法。根据本发明的实施例，首先提供其上形成有光刻胶层的器件层。图案化光刻胶层以形成光刻胶模板掩模。间隔物形成材料层被沉积在光刻胶模板掩模上。间隔物形成材料层被刻蚀，以形成间隔物掩模并暴露光刻胶模板掩模。光刻胶模板掩模随后被去除，并且间隔物掩模的图像最终被转移到器件层。
利用光刻模板频率加倍

[发明专利]光刻胶喷涂的装置及其方法-CN98101653.7无效
发明人：金文佑;尹炳珠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-04-24 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供了一种光刻胶喷涂装置及其方法，其特征是，晶片光刻胶涂层的光刻胶以扫描方式进行喷涂，而晶片的转速相对于晶片上被喷涂光刻胶的位置不同而不同，从而减少用于涂层的光刻胶的用量。光刻胶的喷涂方法按如下方式进行，即，在喷嘴对所述晶片从其边缘向其中心进行扫描的同时喷涂光刻胶，在所述的扫描过程中，所述晶片的旋转速度在增加。
光刻喷涂装置及其方法

[实用新型]光刻胶吐出装置-CN202022592273.3有效
发明人：熊超超;李瑶;肖清凯;易熊军;黄韬 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B65D47/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光刻胶吐出装置。光刻胶吐出装置包括：箱体，箱体具有挤出口和放置开口；光刻胶袋，光刻胶袋具有出口，出口与挤出口连通；挤压结构，挤压结构设置在箱体的放置开口处，挤压结构与箱体围成用于容置光刻胶袋的容纳空间，挤压结构与箱体活动连接并能够向压缩容纳空间的一侧运动本实用新型解决了现有技术中光刻胶吐出系统存在光刻胶容易污染、浪费的问题。
光刻吐出装置

[发明专利]减少图案特征的临界尺寸-CN200480031325.0有效
发明人： S·S·康;S·李;W·－L·陈;E·A·赫德森;S·M·R·萨德贾迪;G·M·赵 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：在所述层上形成光刻胶层。在所述光刻胶层上形成图案，以形成具有光刻胶侧壁的光刻胶特征，其中，所述光刻胶特征具有第一临界尺寸。在所述光刻胶特征的侧壁上淀积保形层，以减小所述光刻胶特征的临界尺寸。
减少图案特征临界尺寸

[发明专利]供胶机构及其控制方法、光刻胶涂布系统-CN202110206519.5在审
发明人：张成根;林锺吉;金在植;金成昱;梁贤石;丁明正;刘强;贺晓彬;刘金彪;白国斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明属于光刻胶涂布技术领域，具体涉及一种供胶机构及其控制方法、光刻胶涂布系统。供胶机构包括：供胶瓶，供胶瓶内容纳有光刻胶；分配泵，分配泵通过供胶管与供胶瓶连接，分配泵通过供胶管使供胶瓶内形成负压的方式将光刻胶吸出，并且分配泵将光刻胶以固定流速输出；测压单元，测压单元用于获取分配泵输出光刻胶的输出压力值；控制单元，控制单元与测压单元电连接，控制系统用于根据输出压力值与预设压力值的大小判断光刻胶是否为所需光刻胶。根据本发明的供胶机构，无需添加昂贵的视频识别系统，从而降低了供胶机构的成本。
机构及其控制方法光刻胶涂布系统

[发明专利]I线光刻机用双次光刻法实现0.18μm线宽图形的方法-CN201110386481.0有效
发明人：肖志强;陈海峰;李俊;张世权 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种I线光刻机用双次光刻法实现0.18μm线宽图形的方法，其包括如下步骤：a、第一次光刻：涂覆光刻胶，利用I线光刻机对上述光刻胶进行光刻；b、第一次腐蚀：腐蚀去除上述衬底上的多晶硅；c、第二次光刻套准：在衬底的表面涂覆光刻胶，且在多晶硅对应于与光刻胶相接触一侧表面涂覆掩蔽定位光刻胶，所述掩蔽定位光刻胶与多晶硅一侧的光刻胶连接成一体；利用I线光刻机套刻偏移量来修正使得掩蔽定位光刻胶的宽度为0.18μm；d、第二次腐蚀：腐蚀去除上述衬底上光刻后的多晶硅，得到掩蔽定位光刻胶下方宽度为0.18μm的多晶硅图形。本发明工艺步骤简单方便，利用I线光刻胶得到0.18μm线宽图形，能适用科研开发需要，降低开发成本，安全可靠。
光刻机用双次实现 0.18 图形方法

[发明专利]光刻胶的去除方法及光刻工艺的返工方法-CN200710039253.X无效
发明人：杨光宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种光刻胶的去除方法，包括：提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面有光刻胶层；在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述光刻胶层厚度减薄；用等离子体轰击去除所述光刻胶层；用湿法清洗所述半导体晶片表面所述方法可用于光刻工艺的返工方法中。本发明方法能够将所述半导体晶片表面的光刻胶去除干净，并不会对所述半导体晶片表面造成损伤。
光刻去除方法工艺返工

[发明专利]采用单次曝光限定多层图案的方法-CN201310456172.5在审
发明人：卢彦丞;石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行光刻曝光工艺，由此在第一光刻层内形成第一潜在部件，并且在第二光刻胶层内形成第二潜在部件
采用曝光限定多层图案方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板-CN201810717745.8在审
发明人：苏同上;王东方;赵策;周斌;闫梁臣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开还提供一种制作薄膜晶体管的方法，包括：形成有源材料层，并在有源材料层上形成导电材料层；在导电材料层上涂布光刻胶；利用半色调掩模对光刻胶进行曝光显影，使得光刻胶形成光刻胶完全去除区、光刻胶完全保留区和光刻胶部分保留区；利用同一刻蚀工艺移除光刻胶完全去除区对应的有源材料层和导电材料层，以形成有源层与图案化的导电材料层的叠层；部分移除光刻胶完全保留区的光刻胶，并完全移除光刻胶部分保留区的光刻胶；以及，移除光刻胶部分保留区对应的所述导电材料层
光刻胶导电材料层保留区移除源层薄膜晶体管导电层源材料衬底基板去除区源漏极半色调掩模刻蚀步骤曝光显影显示面板阵列基板电连接图案化外边缘叠层制作