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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]光刻胶吐出装置-CN202022592273.3有效
发明人：熊超超;李瑶;肖清凯;易熊军;黄韬 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B65D47/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光刻胶吐出装置。光刻胶吐出装置包括：箱体，箱体具有挤出口和放置开口；光刻胶袋，光刻胶袋具有出口，出口与挤出口连通；挤压结构，挤压结构设置在箱体的放置开口处，挤压结构与箱体围成用于容置光刻胶袋的容纳空间，挤压结构与箱体活动连接并能够向压缩容纳空间的一侧运动。本实用新型解决了现有技术中光刻胶吐出系统存在光刻胶容易污染、浪费的问题。
光刻吐出装置

[实用新型]一种湿法蚀刻机台清洗装置-CN202022273776.4有效
发明人：兰升友;李瑶;熊超超;肖清凯;杨富可 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种湿法蚀刻机台清洗装置。包括：储液箱，存储清洗液；至少包括顺次设置于储液箱一侧的第二冲洗单元、第一冲洗单元，第一、第二冲洗单元分别对待清洗物进行第一次冲洗、第二次冲洗；储液箱通过第一输液管与第一、第二冲洗单元连通向第一、第二冲洗单元输送清洗液；第一冲洗单元包括第一积液箱，积存经第一冲洗单元清洗后的清洗液，第一积液箱底部设有排流管；第二冲洗单元包括第二积液箱，第二积液箱通过第二输液管与第一冲洗单元连通，第二输液管上设置有过滤装置，过滤第二积液箱内排出的清洗液。通过设置的积液箱和过滤装置将清洗液进行过滤后重复利用，减少了清洗液的用量，降低了厂务处理废水的费用。
一种湿法蚀刻机台清洗装置

[发明专利]发光二极管及其制作方法、显示装置及照明装置-CN202010757709.1在审
发明人： 肖清凯;李瑶;熊超超;兰升友 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及其制作方法、显示装置及照明装置。本申请采用的发光二极管的制作方法通过提供外延层，包括依次层叠设置的第二外延层、多量子阱层和第一外延层；对第一外延层和多量子阱层进行图案化处理，以使第二外延层部分外露；于图案化处理后的外延层上沉积一电流扩展层；对电流扩展层进行图案化处理；于图案化处理后的电流扩展层上沉积一导电层，电流扩展层包括可透光材料，且电流扩展层的电阻小于导电层的电阻。本申请设置的低电阻的电流扩展层包括可透光材料且具有大于金属的透光率，用于替代金属扩展条实现电流扩散作用的同时提高了发光二极管的出光效益。
发光二极管及其制作方法显示装置照明装置

[发明专利]晶圆显影装置、方法和晶圆-CN202011257957.6在审
发明人： 肖清凯;李瑶;熊超超 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆显影装置、方法和晶圆。其中的晶圆显影装置，通过显影喷嘴对旋转的晶圆喷涂显影液，且在显影过程中载台变速旋转，增加了转速振荡，提升了显影液的覆盖效果，从而整体上提升了晶圆显影效果。
显影装置方法

[实用新型]一种蚀刻清洗装置-CN202022477899.X有效
发明人：兰升友;徐瑞林;易熊军;文成龙;肖清凯 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种蚀刻清洗装置，其包括依次连通的蚀刻区、减速清洗区、转弯清洗区和缓冲清洗区；蚀刻区和减速清洗区沿第一方向连通，缓冲清洗区沿第二方向设置；蚀刻区、减速清洗区、转弯清洗区和缓冲清洗区的腔内底部均设置有滚轮，蚀刻区、减速清洗区、转弯清洗区和缓冲清洗区的腔内顶部均设置有喷头；蚀刻区和减速清洗区内的滚轮沿第一方向滚动，缓冲清洗区内的滚轮沿第二方向滚动，转弯清洗区内的滚轮沿第三方向滚动；减速清洗区与转弯清洗区上的滚轮具有第一转动速度，缓冲清洗区上的滚轮具有第二转动速度；第二转动速度大于第一转动速度。本实用新型能够减少晶圆破片现象，并能够降低宕机率，从而提高了产能，降低了生产成本。
一种蚀刻清洗装置

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