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[发明专利]一种负向显影光刻胶模型优化方法-CN202210040092.0在审
发明人：高世嘉 -专利权人：东方晶源微电子科技(北京)有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种负向显影光刻胶模型优化方法，包括以下步骤：获取初始负向显影光刻胶模型；基于初始负向显影光刻胶模型中的光场分布以及光刻胶中酸浓度，建立基于光场分布的光刻胶中酸浓度的分布函数S；基于光刻胶中酸浓度的分布的函数S建立显影溶液的浓度分布函数D；根据显影溶液的浓度分布函数D，构建显影溶液浓度扩散计算式R，用于计算不同浓度的显影溶液的扩散结果；用显影溶液浓度扩散计算式R来模拟显影过程，得到显影后的模拟负向显影光刻胶图形；将模拟负向显影光刻胶图形与预设图形中的相关数据进行对比，如果满足预设标准则以该模拟负向显影光刻胶图形作为正式负向显影光刻胶图形。
一种显影光刻模型优化方法

[发明专利]光刻胶涂覆装置及其方法-CN200510111675.4有效
发明人：陈林炯;胡晓明;张峻铭 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-12-19 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶喷涂装置，所述装置包括喷涂光刻胶的喷嘴；放置至少一个光刻胶喷嘴的喷嘴卡槽；抓取光刻胶喷嘴并可带动喷嘴移动和升降的喷嘴抓取臂；承载需要喷涂光刻胶的晶片的晶片承载台；带动晶片承载台进行旋转的旋转机构；置于喷嘴卡槽、校准喷嘴与晶片表面的同心度和高度的伪喷嘴；控制喷嘴抓取臂的移动并记忆喷嘴抓取臂抓取喷嘴的位置的控制系统；以及为所述喷嘴供应光刻胶的光刻胶供应系统。本发明还相应提供了一种喷涂光刻胶的方法，包括喷嘴抓取臂抓取伪喷嘴校准喷嘴与晶片表面的同心度和高度；喷嘴抓取臂抓取喷嘴移动到需要喷涂光刻胶的晶片表面；向晶片表面喷涂光刻胶。
光刻胶涂覆装置及其方法

[发明专利]一种测试光刻胶层对离子注入阻挡能力的方法-CN201110075911.7有效
发明人：胡华勇;顾一鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种测试光刻胶层对离子注入阻挡能力的方法，包括如下步骤：提供一测试晶圆；对测试晶圆进行预烘焙处理；在测试晶圆上形成光刻胶层，所述光刻胶层的厚度从边缘至中心呈梯度变化；测量测试晶圆上不同位置光刻胶层的厚度；将预定能量的离子注入光刻胶层上；去除所述光刻胶层；对测试晶圆不同位置上的离子量进行测试；将不同位置的离子量与目标离子量进行比较，确定合适厚度的光刻胶层。本发明的方法大大降低了测试成本，而且涂布光刻胶层的厚度是连续变化的，可以选取更多的光刻胶厚度点进行测试，以找到最为合适的能够对离子注入具有阻挡能力的光刻胶层厚度。
一种测试光刻离子注入阻挡能力方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201510058300.X有效
发明人：郑超;王伟;吴萍 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括提供晶圆，所述晶圆的正面上形成有沟槽，在所述沟槽内形成有器件层；在所述沟槽的上方形成覆盖所述晶圆表面的光刻胶，其中，所述光刻胶下方的沟槽内的气压大于所述光刻胶上方的气压；对所述光刻胶进行曝光和显影处理，以图案化所述光刻胶。根据本发明的制作方法，使光刻胶层下方沟槽内的气压大于1atm，对光刻胶产生一个托举力，从而提高了光刻胶的牢固和稳定的程度，改善了崩塌和下陷的现象，有效防止光刻胶破裂，提高了光刻胶在工艺中的阻挡和保护能力
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种用于光刻胶的参数优化方法、装置、设备及存储介质-CN202211471556.X有效
发明人：何文峰;曾辉;韦亚一;吁卫东;李亮 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本申请提出了一种用于光刻胶的参数优化方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：采集实验数据，并对实验数据进行缺陷检测，获取通过缺陷检测的有效实验数据；基于有效实验数据，采用深度学习算法构建光刻胶减量模型；基于光刻胶减量模型进行预测，得到光刻胶减量模型的预测结果；当预测结果为合格时，对光刻胶减量模型进行反向训练；根据反向训练后的光刻胶减量模型，确定旋涂目标对应的工艺参数。本申请采用深度学习算法根据实际旋涂工艺参数构建光刻胶减量模型，并对模型进行优化，准确地对光刻胶减量进行预测，得到光刻胶目标厚度对应的所需工艺参数，从而有效提高光刻胶减量效率和适用性，并降低晶圆的制造成本
一种用于光刻参数优化方法装置设备存储介质

[发明专利]光刻胶的去除方法-CN201310630246.2无效
发明人：高慧慧;秦伟;杨渝书 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶的去除方法，其包括提供一半导体结构，其上具有经离子注入后的光刻胶层；在100℃以下的条件下，用O2和N2/H2通过高射频灰化光刻胶层的表面；在200-500℃的条件下，用O2通过高射频灰化剩下的光刻胶层本发明先在较低的温度下，去除光刻胶外部硬壳，较低的温度可以防止光刻胶升温过高、内部膨胀造成层多晶硅的倒塌；再在较高的温度下，将剩下的光刻胶去除，较高的温度可以提高光刻胶去除的速度和能力。本发明有效解决了光刻胶去除时造成的层多晶硅倒塌现象，兼具高效和光刻胶无残留的技术效果。
光刻去除方法

[发明专利]光刻胶和光刻胶图形的优化方法-CN201010192857.X无效
发明人：林益世;黄宜斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种光刻胶和光刻胶图形的优化方法，所述光刻胶包括有用于与金属离子配位键合而生成螯合物的螯合剂。所述优化方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面涂布有光刻胶层，所述光刻胶层中包含有离散的金属离子；通过曝光显影将掩模版上的图案转移至所述光刻胶层上，形成光刻胶图形；所述光刻胶包括有用于与金属离子配位键合而生成螯合物的螯合剂相较于现有技术，本发明的光刻胶层中包括螯合剂，使得所述螯合剂与所述金属离子配位键合而生成螯合物，能够有效避免所述金属离子与光刻胶中的聚合物生成不易清除的凝胶并防止在显影时清除不干净而产生缺陷，从而提高半导体器件的成品率
光刻图形优化方法

[发明专利]X射线光刻与光学光刻混合制作T型栅的方法-CN03141108.8无效
发明人：谢常青;叶甜春;陈大鹏;李兵 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2003-06-09 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种X射线光刻与光学光刻混合制作T型栅的方法，其工艺步骤如下：1.在半导体基片上涂上底层X射线光刻胶；2.X射线光刻方法曝光底层X射线光刻胶；3.涂上顶层光学光刻胶；4.光学光刻方法曝光顶层光学光刻胶；5.显影顶层光学光刻胶获得宽栅图形；6.显影底层X射线光刻胶获得栅槽图形；7.蒸发、剥离栅金属，完成T型栅制作。
射线光刻光学混合制作方法

[发明专利]光刻胶的涂覆装置和涂覆方法-CN97192717.0有效
发明人：泽本俊宏 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 1997-06-20 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本发明的目的是提供在光刻中涂光刻胶时，提高图形精度的光刻胶的涂覆装置和涂覆方法。具有光刻胶(12)的贮存容器(10)；用于形成光刻胶(12)的膜的涂覆台(40)；从贮存容器(10)向涂覆台(40)导入光刻胶(12)的管道(52、54、56)；和在比涂覆台(40)还往上游处改善光刻胶
光刻装置方法

[发明专利]用于光刻的包含嵌段共聚物的组合物和方法-CN200910249083.7有效
发明人： D·王;C·R·斯兹曼达;G·G·巴克雷;C·-B·徐 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明提供用于浸没式光刻方法的新的光刻胶组合物。本发明优选的光刻胶组合物包含一种或多种嵌段共聚物。在浸没式光刻过程中使用本发明特别优选的光刻胶，表现出减少光刻胶材料向与光刻胶层接触的浸没液中的浸出。
用于光刻包含共聚物组合方法

[发明专利]光刻曝光方法-CN200710128668.4有效
发明人：陈达 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-07-09 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种光刻曝光方法。该光刻曝光方法包括：提供基板；形成第一光刻胶层于该基板上；形成第二光刻胶层于该第一光刻胶层上，该第二光刻胶层的透光度随曝光量增加而先增后减；以及对该第二光刻胶层进行曝光。
光刻曝光方法

[发明专利]一种光刻胶形貌控制方法及装置-CN202211718381.8在审
发明人：黄凡;彭文斌 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶形貌控制方法及装置，涉及光刻工艺技术领域，该光刻胶形貌控制方法包括：在衬底上涂布第一光刻胶，并获取该第一光刻胶的极限工艺参数；其中，该极限工艺参数包括该第一光刻胶的最小关键尺寸和该最小关键尺寸对应的允许变化量；该关键尺寸包括深度尺寸和宽度尺寸；在该允许变化量范围内逐渐调小该宽度尺寸，直到该第一光刻胶的当前深度尺寸与当前宽度尺寸的比值达到预设比值。在本申请中通过缩小宽度尺寸、增大深度尺寸实现提高光刻胶形貌的深宽比。这样，在不占用光刻机产能的情况下，且第二光刻胶与第一光刻胶之间受热产生交联反应，避免了底部光刻胶不易显掉、残留的问题，从而提高生产效率和产品合格率。
一种光刻形貌控制方法装置

[发明专利]一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法-CN201310012234.3有效
发明人：李平 -专利权人：陆伟
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，包括以下步骤，器件晶圆与逻辑晶圆键合后，对晶圆表面氧化物进行刻蚀,至露出四乙氧基硅层;在刻蚀后的晶圆表面上淀积一层隔离氧化物层;在隔离氧化物层上涂覆一层负性光刻胶，通过光刻在负性光刻胶上制作出负性光刻胶图形，确定刻蚀沟槽的区域；以负性光刻胶图形为掩蔽层进行沟槽刻蚀；沟槽刻蚀后，在硅片上再涂覆一层负性光刻胶，通过光刻在负性光刻胶上制作出负性光刻胶图形，以负性光刻胶图形为掩蔽层刻蚀通孔本发明通过利用负性光刻胶制造高深宽比的沟槽，提高影像传感器的质量。
一种用负性光刻制作背照式影像传感器深沟方法

[发明专利]一种制作微元件的方法-CN200810118652.X有效
发明人：于中尧;张瑶;杨栈茨 -专利权人：博奥生物有限公司;清华大学
申请日： 2008-08-21 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：该方法有两种，其一包括如下步骤：1)在基底表面制作环化橡胶负性光刻胶层；2)在环化橡胶负性光刻胶层上制作环氧基负性光刻胶层；3)进行光刻，得到微元件。另一种包括如下步骤：i)先在基底表面沉积电镀金属层；ii)在金属层表面制作环化橡胶负性光刻胶层；iii)在环化橡胶负性光刻胶层上制作环氧基负性光刻胶层；iv)光刻，得到具有三维微结构的器件；v)在具有三维微结构的器件上镀金属；vi)去除剩余的环氧基负性光刻胶和环化橡胶负性光刻胶，得到微元件。本发明的制作微元件的方法中使用环化橡胶负性光刻胶避免出现环氧基负性光刻胶在基底表面的龟裂和剥离。
一种制作元件方法

[发明专利]光刻方法和半导体器件的制造方法-CN202111224067.X有效
发明人：周旭;钟志鸿;帅露;罗永华 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻方法和半导体器件的制造方法，先通过光刻胶涂覆和化学的边缘光刻胶去除工艺来形成化学去边的第一光刻胶层，再以化学去边后的第一光刻胶层为掩膜刻蚀去除待刻蚀层的边缘，之后去除第一光刻胶层且重新形成第二光刻胶层，且第二光刻胶层在经过曝光和显影后能够暴露出待刻蚀层的边缘侧壁以及待刻蚀层的边缘外围的衬底表面，由此晶圆边缘上多余的光刻胶能被完全去除，避免了光刻工艺在晶圆边缘上产生光刻胶残留的问题，由此，在后续刻蚀待刻蚀层之后在晶圆边缘上不会产生因光刻胶残留而导致的刻蚀残留
光刻方法半导体器件制造