[发明专利]具有PN结的半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310756018.3 | 申请日： | 2023-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN116759302A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 廖黎明;仇峰;胡林辉;张蔷 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 赵娟娟 |
| 地址： | 200123 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种具有PN结的半导体结构及其制备方法。本申请具有PN结的半导体结构通过改变光阻层形貌，设置开口边缘处的光阻层的厚度小于其它区域的光阻层的厚度，使得在开口边缘处对应的局部区域由于光阻层的厚度较小从而离子注入浓度较小，开口中心区域离子注入正常从而获得正常的离子注入浓度，使得PN结的离子注入浓度较低、可有效提高PN结反向耐压，且不会增加PN结占用面积；同时阱区其它区域的离子注入浓度正常，避免了对其它器件的电性改变。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 pn 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 杨涛;周林林;王恩会;侯新梅;方志;郑亚鹏;薛优;刘爽;吕煜诚;徐兵;邢原铭;王博 - 北京科技大学
- 2021-11-25 - 2022-04-12 - H01L21/225
- 本发明公开了一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法，通过将硼铝共掺杂到碳化硅中，能够将碳化硅的光响应范围由紫外光区扩展到可见光区的同时，也提升了碳化硅在光照条件下的光生载流子浓度，从而进一步优化了其光响应能力，提高了视觉传感的灵敏度；此外，通过将氮掺杂到硼铝共掺杂的碳化硅中，能够增加碳化硅的结构不对称性，从而提升了其压电系数，增加其压电响应能力，进而提高了触觉传感的灵敏度；基于对硼铝氮共掺杂碳化硅进行阳极电化学刻蚀处理，可得到形貌不同的一维碳化硅纳米结构，使一体化传感器可应用于更广泛的环境中。总之，本发明提供了一种操作过程简单、实用性强的基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法。
- 半导体器件的制备方法及半导体器件-202111652858.2
- 史仁先;王国峰 - 北海惠科半导体科技有限公司
- 2021-12-30 - 2022-04-12 - H01L21/225
- 本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。该半导体器件的制备方法包括：在衬底表面形成外延层，在外延层背离衬底的一侧形成第一氧化层；在外延层内形成掺杂区；在高温炉内进行预扩散，预扩散温度为950℃‑1050℃；通过漂酸的方式对部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除；在高温炉内进行再扩散，再扩散温度为800℃‑900℃，在第一氧化层背离衬底的一侧形成牺牲层；通过漂酸的方式对牺牲层、部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除。本申请通过在低温条件下生长出比较疏松的牺牲层并去除牺牲层及部分第一氧化层，使得生产的半导体器件具有较小的漏电特性。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
