专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于热敏相机焦距检测的标片制作方法、标片及检测方法-CN202011563370.8有效
  • 崔俊虎;袁地春;沈磊磊;丁建明;崔钟亨 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2020-12-25 - 2023-10-27 - H01L21/66
  • 本发明公开一种用于热敏相机焦距检测的标片的制作方法、标片及检测方法,第一方法制备标片:取正面镀膜工序前的硅片,在硅片正面中心沾金属粉末,然后对沾有金属粉末的硅片正面镀膜及多个工序处理,得到的电池片为标片,在加载反向电压下,标片的中心漏电;第二方法制备标片:在完成丝网印刷的硅片正面中心涂导电浆液或沾金属粉末,再经过烧结,得到的电池片为标片;第三方法制备标片:取完成边缘刻蚀的硅片,对硅片进行丝网印刷,再在硅片正面中心沾金属粉末或涂导电浆液,然后对硅片烧结,得到硅片为标片。本发明提供的标片在加载反向电压下其中心有漏电现象,能对应热敏相机图像的中心位置,能在轨道上正常传输,对热敏相机焦距确认更准确。
  • 用于热敏相机焦距检测制作方法方法
  • [实用新型]一种TOPCon太阳能电池-CN202321637459.3有效
  • 沈健;赵福祥 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2023-06-26 - 2023-10-27 - H01L31/068
  • 本实用新型公开了一种TOPCon太阳能电池,包括硅基体,所述硅基体的正面依次向上设置有硼发射极层、第一钝化膜层、第二钝化膜层和正面金属电极,所述硅基体的背面依次向下设置有隧穿氧化层、掺杂层、第二钝化膜层及背面金属电极。本实用新型的一种TOPCon太阳能电池,通过在硅基体的正背面均设置第二钝化膜层,以代替传统的氮化硅膜层,能够有效降低横向传输电阻;此外,使用掺杂层代替传统的多晶硅层,由于掺杂层具有较宽的能带间隙,有利于提高载流子收集的选择性,减少电池背面光的寄生吸收损失,提高电池的光学性能,增强载流子传输,从而有效地提高电池背面的钝化质量。
  • 一种topcon太阳能电池
  • [实用新型]一种扩散及LPCVD石英舟-CN202321663643.5有效
  • 沈健锋;赵福祥 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2023-06-27 - 2023-10-27 - H01L21/673
  • 本实用新型涉及一种扩散及LPCVD石英舟,包括两个方形固定板以及多个横杆、多个卡杆,横杆与卡杆平行设置,横杆与卡杆沿各自轴向开设有多个用于卡接硅片的卡槽,在工作状态下,石英舟的横杆、卡杆均沿水平方向延伸,横杆的卡槽与卡杆的卡槽在同一竖直方向一一对应;固定板具有相对设置的第一边与第二边、位于第一边与第二边之间的第三边,对应固定板的第一边、第二边分别设置有一个横杆,横杆的相对两侧分别设置有卡杆;对应固定板的第三边设置有两个横杆,两个横杆之间设置有卡杆。本实用新型提供的石英舟,横杆卡槽和卡杆卡槽中的两个硅片可紧密贴合,减少甚至避免晶硅电池的绕镀和绕扩,省掉后续化学清洗的工艺步骤,节省生产成本。
  • 一种扩散lpcvd石英
  • [实用新型]一种HJT结构及太阳能电池-CN202321645548.2有效
  • 朱晶晶;赵福祥 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2023-06-27 - 2023-10-27 - H01L31/0747
  • 本实用新型涉及一种HJT结构及太阳能电池,结构包括硅基体,硅基体的正面由内向外依次设有隧穿氧化层、第一碳化硅层、第二碳化硅层、正面TCO导电膜,正面TCO导电膜远离第二碳化硅层一侧设有正金属电极;硅基体的背面由内向外依次设有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、背面TCO导电膜,背面TCO导电膜远离掺杂非晶硅层的一侧设有背金属电极,其中,第二本征非晶硅层的厚度大于等于第一本征非晶硅层的厚度。本实用新型提供的HJT结构,硅基体背面采用双层本征非晶硅层,第一本征非晶硅层为超薄非晶硅层,可有效抑制纳米孪晶缺陷;第一碳化硅层提供优异钝化特性,第二碳化硅层提供优异导电性,实现钝化和接触共赢。
  • 一种hjt结构太阳能电池
  • [发明专利]适用于双面电池背面的套印方法及其应用-CN202111578791.2有效
  • 张金花;费存勇;赵福祥 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2021-12-22 - 2023-10-03 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种适用于双面电池背面的套印方法,包括如下步骤:在所述双面电池的背面采用激光开设位置定位点,采用相机抓取所述位置定位点并进行套印;所述双面电池的背面具有叠层钝化减反膜,当所述叠层钝化减反膜的厚度为110nm‑170nm时,设置所述位置定位点的颜色为黑色;当所述叠层钝化减反膜的厚度为75‑100nm时,设置所述位置定位点的颜色为白色。本发明的太阳能电池片的制备方法,根据不同的叠层钝化减反膜的厚度及颜色,匹配不同的位置定位点以及不同的相机光源,能够明显提升叠层钝化减反膜与位置定位点的色阶对比度,减少误抓或漏抓,其能够降低背面套印过程中相机抓取激光mark点的报警率,提高一次通过率,从而提高套印产能、效率和良率。
  • 适用于双面电池背面套印方法及其应用
  • [发明专利]P型钝化接触电池制备方法及钝化接触电池-CN202210723839.2有效
  • 王红娟;赵福祥;李宝磊 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2022-06-23 - 2023-10-03 - H01L31/18
  • 本发明涉及一种P型钝化接触电池制备方法及钝化接触电池,方法包括:对P型硅片进行预处理;在硅片正面生长掩膜层;在硅片背面依次沉积隧穿氧化层及本征非晶硅层;对硅片正面进行硼扩散掺杂得到硼掺杂多晶硅层,包括:先对所述硅片进行升温氧化,再对硅片进行第一步沉积、第二步沉积、第三步沉积,掺杂后本征非晶硅层晶化后与隧穿氧化层形成P型钝化接触结构;依次进行硅片正面磷扩散和激光掺杂沉积、去除正背面的硼硅玻璃层、正面沉积钝化膜、背面沉积钝化膜;在硅片正背面均制备金属电极得到钝化接触电。本发明提供的制备方法,有效防止硼穿透隧穿氧化层扩散进入硅基体,提高钝化性能,减少俄歇复合,提高太阳能电池的开路电压和效率。
  • 钝化接触电池制备方法
  • [发明专利]N-TOPCon光伏太阳能电池制备方法及太阳能电池-CN202210782734.4有效
  • 张金花;费存勇;赵福祥 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2022-06-29 - 2023-10-03 - H01L31/0216
  • 本发明涉及一种N‑TOPCon光伏太阳能电池制备方法及太阳能电池,制备方法包括如下步骤:对硅片进行预处理;在硅片正面沉积阻隔层,所述阻隔层的材质为氧化铝;在硅片的阻隔层上丝网印刷整面硼浆,并烘干;对烘干的硅片进行硼掺杂,其中,反应气体为氮气和氧气,硼掺杂的温度低于1000℃;在硅片的背面制备隧穿氧化层和n+掺杂多晶硅层;在硅片的正面沉积正面叠层介质膜,在硅片的背面的n+掺杂多晶硅层上沉积背面叠层介质膜;在硅片的正面、背面均丝网印刷金属电极。本发明提供的方法,硼掺杂所需时间缩短,硼掺杂所需温度降低,能耗降低,硼掺杂更均匀;制备得到的太阳能电池的开路电压和转化效率均提升。
  • topcon太阳能电池制备方法
  • [实用新型]一种层压件及双玻光伏组件-CN202320679325.1有效
  • 陈林烽 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-09-29 - H01L31/048
  • 本实用新型公开了一种层压件及双玻光伏组件,层压件由上至下依次包括第一玻璃层、上封装层、电池层、下封装层和第二玻璃层,所述电池层包括一片或两片以上的电池片,所述下封装层与第二玻璃层之间设置有隔离层,所述隔离层包括第一膜层、第二膜层和位于所述第一膜层与第二膜层之间的反射层,所述第一膜层靠近所述下封装层,所述第二膜层靠近所述第二玻璃层。本实用新型的一种层压件及双玻光伏组件,通过设置隔离层,在反射层的上表面和下表面分别设置第一膜层和第二膜层,能够防止反射层在光催化作用产生的离子对电池的影响,避免电池被侵蚀,从而防止或减少PID现象的产生,有利于提高光伏组件的发电效率。
  • 一种层压双玻光伏组件
  • [发明专利]钝化接触电池及其制备方法-CN202210270883.2在审
  • 李宝磊;赵福祥;王红娟;张大荣;钱小波 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2022-03-18 - 2023-09-22 - H01L31/18
  • 本发明公开一种钝化接触电池及其制备方法,制备方法包括如下步骤:在制绒清洗后的硅片正面生长掩膜层;硅片背面进行碱抛光;在硅片上一步沉积隧穿氧化层和本征非晶硅层;再进行硼掺杂得到硼掺杂多晶硅层;去除正面绕扩的硼硅玻璃层和正面沉积的隧穿氧化层、本征非晶硅层及掩膜层;依次进行硅片正面磷扩散和激光掺杂、去除正面磷硅玻璃层和背面硼硅玻璃层、正面沉积第一钝化减反射膜、背面沉积第二钝化减反射膜;制备正面和背面金属电极得到钝化接触电池。本发明的钝化接触电池的制备方法,通过背面的隧穿氧化层和硼掺杂多晶硅层结合第二钝化减反射膜的多层钝化结构,替代传统PERC电池单一的氧化铝结构,极大降低背面钝化复合,提高电池转换效率。
  • 钝化接触电池及其制备方法
  • [发明专利]去除电池正面绕镀的方法及其应用及N-Topcon电池-CN202210271023.0在审
  • 朱佳佳;赵福祥;费存勇 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2022-03-18 - 2023-09-22 - H01L21/225
  • 本发明公开一种去除电池正面绕镀的方法及其应用及N‑Topcon电池,去除电池正面绕镀的方法包括如下步骤:在硅片背面沉积多晶硅层;通入磷源,使多晶硅层表面形成磷硅玻璃;去除硅片正面及四周侧面的磷硅玻璃和多晶硅层及硅片正面硼硅玻璃,保留硅片背面的磷硅玻璃;通过高温退火将硅片背面保留的磷硅玻璃中的磷元素推进到多晶硅层内部形成n+多晶硅掺杂层,并氧化硅片正面的富硼层形成硼硅玻璃;去除硅片背面的磷硅玻璃和硅片正面由所述富硼层形成的硼硅玻璃;所述硅片为N型硅。本发明的去除电池正面绕镀的方法,可以有效解决电池片的效率低和良率低的问题并提高产能;还可有效去除部分硅片正面的富硼层,从而提高电池的钝化能力。
  • 去除电池正面方法及其应用topcon
  • [实用新型]一种电池片结构及太阳能电池片和光伏组件-CN202321108070.X有效
  • 裴海权 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2023-05-10 - 2023-09-12 - H01L31/042
  • 本实用新型公开了一种电池片结构及太阳能电池片和光伏组件,电池片结构包括均匀间隔地开设在所述电池片正面和/或背面的多个凹槽及容纳于所述凹槽中的导电填充层,所述凹槽平行于所述电池片的长度方向,所述凹槽的顶面与所述电池片的表面齐平,所述凹槽的深度小于所述电池片的厚度,所述导电填充层的顶面与所述凹槽的顶面齐平或凸出所述凹槽的顶面。本实用新型的一种电池片结构,通过在电池片表面开设凹槽并在凹槽中设置导电填充层形成电流通道,有利于减少焊接不良导致的热斑与电流损失,提高电池片的转换效率与电流传输的可靠性以及电流的收集能力,还可加强电池片的强度,减少碎片率;还可进一步减少焊带的使用,起到降本提效的目的。
  • 一种电池结构太阳能电池组件
  • [实用新型]一种光伏组件用汇流条及光伏组件-CN202320991943.X有效
  • 周凯炜 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-09-08 - H02S40/34
  • 本实用新型公开了一种光伏组件用汇流条及光伏组件,包括汇流条本体、反射部和连接部,所述反射部和连接部分别位于所述汇流条本体的顶部和底部,所述反射部包括第一反射件和/或第二反射件,所述第一反射件和/或第二反射件倾斜设置。本实用新型的一种光伏组件用汇流条及光伏组件,通过在汇流条本体的顶部设置反射部,反射部包括倾斜设置的第一反射件和/或第二反射件,利用反射部起到反射作用,将多余的光线反射回电池上,有利于提高组件的效率。
  • 一种组件汇流
  • [实用新型]一种光伏组件用边框及光伏组件-CN202320694828.6有效
  • 周凯炜 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2023-03-31 - 2023-09-01 - H02S30/10
  • 本实用新型公开了一种光伏组件用边框及光伏组件,包括用于包覆层压件侧边的安装部以及用于支撑安装部的支撑部,支撑部包括上下相对设置的第一底板和第二底板以及左右相对设置的第一侧板和第二侧板,支撑部开设有至少一个通槽,通槽沿支撑部的宽度方向延伸,通槽贯穿第一侧板和第二侧板的厚度方向;光伏组件用边框还包括加强件,加强件穿过通槽,加强件的一端与安装部的顶部连接,加强件的另一端与第二侧板连接。本实用新型的一种光伏组件用边框及光伏组件,通过在支撑部上开设通槽,并在通槽中设置加强件,增强边框的强度,能够避免边框受力产生形变,从而避免光伏组件出现隐裂的情况;由于不需加厚边框厚度,还可降低生产成本。
  • 一种组件边框
  • [发明专利]一种钝化接触结构的制备方法和太阳能电池-CN202310765836.X在审
  • 王红娟;赵福祥;沈健锋 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2023-06-27 - 2023-08-29 - H01L31/18
  • 本发明涉及一种钝化接触结构的制备方法和太阳能电池,方法包括:(1)对硅衬底背面进行湿法化学抛光、清洗;(2)在硅衬底抛光面上生长隧穿氧化层;(3)在隧穿氧化层上依次沉积多层本征非晶硅层,其中,在靠近隧穿氧化层至远离隧穿氧化层的方向上,后一个本征非晶硅层沉积时炉管内压力大于前一个本征非晶硅层沉积时炉管内压力,后一个本征非晶硅层沉积时SiH4流量大于前一个本征非晶硅层沉积时SiH4流量;(4)对多层本征非晶硅层掺杂处理,使掺杂后的本征非晶硅层晶化后与隧穿氧化层形成钝化接触结构。本发明的方法,既可提高多晶硅掺杂浓度,又可阻止过多掺杂源穿透隧穿氧化层进入硅衬底,保证钝化同时改善金属接触,提高电池效率。
  • 一种钝化接触结构制备方法太阳能电池
  • [发明专利]一种双玻光伏组件及其制造工艺-CN202310438723.9在审
  • 陈靖金;周高峰 - 韩华新能源(启东)有限公司
  • 2023-04-23 - 2023-08-22 - H01L31/048
  • 本发明公开了一种双玻光伏组件及其制造工艺,包括如下步骤:将两个玻璃板水平放置,分别在两个玻璃板四周贴胶带;分别向贴好胶带的两个玻璃板的上表面倒入胶黏剂形成连接层;在其中一个玻璃板的连接层上放入电池串并排气泡;撕去两个玻璃板四周的胶带,将剩余一个玻璃板盖合在另外一块玻璃板的电池串上,排出气泡并等待连接层固化后形成层叠件,再经过后处理得到所述双玻光伏组件。本发明的双玻光伏组件的制造工艺,无需层压,工艺步骤简单,便于组件再回收利用,工艺步骤简单,能够节省制造成本,有效降低耗能,减少环境污染,且未经层压的光伏组件便于再回收利用。
  • 一种双玻光伏组件及其制造工艺

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