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[实用新型]一种TOPCon太阳能电池-CN202321637459.3有效
发明人：沈健;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TOPCon太阳能电池，包括硅基体，所述硅基体的正面依次向上设置有硼发射极层、第一钝化膜层、第二钝化膜层和正面金属电极，所述硅基体的背面依次向下设置有隧穿氧化层、掺杂层、第二钝化膜层及背面金属电极。本实用新型的一种TOPCon太阳能电池，通过在硅基体的正背面均设置第二钝化膜层，以代替传统的氮化硅膜层，能够有效降低横向传输电阻；此外，使用掺杂层代替传统的多晶硅层，由于掺杂层具有较宽的能带间隙，有利于提高载流子收集的选择性，减少电池背面光的寄生吸收损失，提高电池的光学性能，增强载流子传输，从而有效地提高电池背面的钝化质量。
一种 topcon 太阳能电池

[实用新型]一种扩散及LPCVD石英舟-CN202321663643.5有效
发明人：沈健锋;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种扩散及LPCVD石英舟，包括两个方形固定板以及多个横杆、多个卡杆，横杆与卡杆平行设置，横杆与卡杆沿各自轴向开设有多个用于卡接硅片的卡槽，在工作状态下，石英舟的横杆、卡杆均沿水平方向延伸，横杆的卡槽与卡杆的卡槽在同一竖直方向一一对应；固定板具有相对设置的第一边与第二边、位于第一边与第二边之间的第三边，对应固定板的第一边、第二边分别设置有一个横杆，横杆的相对两侧分别设置有卡杆；对应固定板的第三边设置有两个横杆，两个横杆之间设置有卡杆。本实用新型提供的石英舟，横杆卡槽和卡杆卡槽中的两个硅片可紧密贴合，减少甚至避免晶硅电池的绕镀和绕扩，省掉后续化学清洗的工艺步骤，节省生产成本。
一种扩散 lpcvd 石英

[实用新型]一种HJT结构及太阳能电池-CN202321645548.2有效
发明人：朱晶晶;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种HJT结构及太阳能电池，结构包括硅基体，硅基体的正面由内向外依次设有隧穿氧化层、第一碳化硅层、第二碳化硅层、正面TCO导电膜，正面TCO导电膜远离第二碳化硅层一侧设有正金属电极；硅基体的背面由内向外依次设有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、背面TCO导电膜，背面TCO导电膜远离掺杂非晶硅层的一侧设有背金属电极，其中，第二本征非晶硅层的厚度大于等于第一本征非晶硅层的厚度。本实用新型提供的HJT结构，硅基体背面采用双层本征非晶硅层，第一本征非晶硅层为超薄非晶硅层，可有效抑制纳米孪晶缺陷；第一碳化硅层提供优异钝化特性，第二碳化硅层提供优异导电性，实现钝化和接触共赢。
一种 hjt 结构太阳能电池

[实用新型]一种用于公路施工的路面基层测量装置-CN202321323987.1有效
发明人：郝中强;石虎;徐生颜;张国华;李树民;赵俊;刘欣;吴宗武;张飞飞;李贺;刘矿木;武乐军;杨睿;胡为;赵福祥;鲁晓威;胡建基 -专利权人：中铁六局集团有限公司;中铁六局集团呼和浩特铁路建设有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： E02D1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及公路施工的路面基层测量技术领域，且公开了一种用于公路施工的路面基层测量装置，包括底部呈开口状的箱体，箱体的内腔固定安装有固定顶板，箱体的内腔上部和固定顶板之间形成有置物腔室，箱体的内腔下部与固定顶板之间形成有收纳腔室；固定顶板的底部安装有升降机构；非工作状态时，取样部件能够拆卸并放入置物腔室内，电缸通过其活塞杆的伸缩能够驱动电机做向上或者向下的运动，向上运动时，电机能够收入收纳腔室内。本实用新型中，置物腔室的用处在于，将取样部件进行拆卸，并能够在置物腔室内放置；在非工作状态时，取样部件拆卸后放置在置物腔室内时，电缸通过其活塞杆的收缩将升降底板以及电机收纳入收纳腔室内。
一种用于公路施工路面基层测量装置

[实用新型]一种玻璃绝缘子废水自清理预处理装置-CN202320670133.4有效
发明人：王小丽;赵英武;王信;张耀家;赵福祥;钟俊权;徐誉杨;杨俊 -专利权人：上海宏微环境科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C02F1/52 文献下载
摘要：本实用新型属于废水预处理技术领域，涉及一种玻璃绝缘子废水自清理预处理装置。一种玻璃绝缘子废水自清理预处理装置，包括有泥沙沉淀机构、第一进水口、进水泵、加药混合器、出水口、出水泵、第二进水口、絮凝反应机构、混凝沉淀箱和出水堰，所述泥沙沉淀机构一侧设有第一进水口，所述第一进水口上连通有进水泵，所述泥沙沉淀机构远离进水口一侧设有出水口，所述絮凝反应机构一侧设有第二进水口，所述出水口与第二进水口连通，所述出水口与第二进水口之间设有加药混合器，所述絮凝反应机构远离第二进水口的一侧设有混凝沉淀箱，所述混凝沉淀箱一侧设有出水堰。
一种玻璃绝缘子废水清理预处理装置

[实用新型]一种戊二醛生产废水一体化脱毒装置-CN202321253490.7有效
发明人： 赵福祥 -专利权人：上海宏微环境科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及污水处理技术领域，具体涉及一种戊二醛生产废水一体化脱毒装置，包括有碱解反应区、热解反应区、混凝沉淀区、溶气加压罐、浮选区和气浮产水区，碱解反应区一侧设有热解反应区，热解反应区远离碱解反应区一侧设有混凝沉淀区，热解反应区与混凝沉淀区通过底部管道连通，浮选区与热解反应区连接，浮选区与混凝沉淀区连接，混凝沉淀区与浮选区通过上方管道连通，浮选区靠近碱解反应区一侧设有气浮产水区，浮选区与气浮产水区通过底部管道连通，气浮产水区与碱解反应区连接，溶气加压罐与浮选区和气浮产水区连通。本实用新型可将戊二醛从废水中完全脱除，提高废水的可生化性，实现戊二醛生产废水的经济处理。
一种戊二醛生产废水一体化脱毒装置

[发明专利]适用于双面电池背面的套印方法及其应用-CN202111578791.2有效
发明人：张金花;费存勇;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于双面电池背面的套印方法，包括如下步骤：在所述双面电池的背面采用激光开设位置定位点，采用相机抓取所述位置定位点并进行套印；所述双面电池的背面具有叠层钝化减反膜，当所述叠层钝化减反膜的厚度为110nm‑170nm时，设置所述位置定位点的颜色为黑色；当所述叠层钝化减反膜的厚度为75‑100nm时，设置所述位置定位点的颜色为白色。本发明的太阳能电池片的制备方法，根据不同的叠层钝化减反膜的厚度及颜色，匹配不同的位置定位点以及不同的相机光源，能够明显提升叠层钝化减反膜与位置定位点的色阶对比度，减少误抓或漏抓，其能够降低背面套印过程中相机抓取激光mark点的报警率，提高一次通过率，从而提高套印产能、效率和良率。
适用于双面电池背面套印方法及其应用

[发明专利]P型钝化接触电池制备方法及钝化接触电池-CN202210723839.2有效
发明人：王红娟;赵福祥;李宝磊 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型钝化接触电池制备方法及钝化接触电池，方法包括：对P型硅片进行预处理；在硅片正面生长掩膜层；在硅片背面依次沉积隧穿氧化层及本征非晶硅层；对硅片正面进行硼扩散掺杂得到硼掺杂多晶硅层，包括：先对所述硅片进行升温氧化，再对硅片进行第一步沉积、第二步沉积、第三步沉积，掺杂后本征非晶硅层晶化后与隧穿氧化层形成P型钝化接触结构；依次进行硅片正面磷扩散和激光掺杂沉积、去除正背面的硼硅玻璃层、正面沉积钝化膜、背面沉积钝化膜；在硅片正背面均制备金属电极得到钝化接触电。本发明提供的制备方法，有效防止硼穿透隧穿氧化层扩散进入硅基体，提高钝化性能，减少俄歇复合，提高太阳能电池的开路电压和效率。
钝化接触电池制备方法

[发明专利]N-TOPCon光伏太阳能电池制备方法及太阳能电池-CN202210782734.4有效
发明人：张金花;费存勇;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种N‑TOPCon光伏太阳能电池制备方法及太阳能电池，制备方法包括如下步骤：对硅片进行预处理；在硅片正面沉积阻隔层，所述阻隔层的材质为氧化铝；在硅片的阻隔层上丝网印刷整面硼浆，并烘干；对烘干的硅片进行硼掺杂，其中，反应气体为氮气和氧气，硼掺杂的温度低于1000℃；在硅片的背面制备隧穿氧化层和n+掺杂多晶硅层；在硅片的正面沉积正面叠层介质膜，在硅片的背面的n+掺杂多晶硅层上沉积背面叠层介质膜；在硅片的正面、背面均丝网印刷金属电极。本发明提供的方法，硼掺杂所需时间缩短，硼掺杂所需温度降低，能耗降低，硼掺杂更均匀；制备得到的太阳能电池的开路电压和转化效率均提升。
topcon 太阳能电池制备方法

[外观设计]桥梁支座定位器-CN202330325885.2有效
发明人：武乐军;胡为;石虎;郝中强;徐生颜;赵福祥;董升达;刘栋晓;李治函;孟芃;王书栋;郝敏 -专利权人：中铁六局集团有限公司;中铁六局集团呼和浩特铁路建设有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： 10-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：桥梁支座定位器。2.本外观设计产品的用途：快速准确地确定桥梁支座线的位置。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
桥梁支座定位器

[发明专利]钝化接触电池及其制备方法-CN202210270883.2在审
发明人：李宝磊;赵福祥;王红娟;张大荣;钱小波 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种钝化接触电池及其制备方法，制备方法包括如下步骤：在制绒清洗后的硅片正面生长掩膜层；硅片背面进行碱抛光；在硅片上一步沉积隧穿氧化层和本征非晶硅层；再进行硼掺杂得到硼掺杂多晶硅层；去除正面绕扩的硼硅玻璃层和正面沉积的隧穿氧化层、本征非晶硅层及掩膜层；依次进行硅片正面磷扩散和激光掺杂、去除正面磷硅玻璃层和背面硼硅玻璃层、正面沉积第一钝化减反射膜、背面沉积第二钝化减反射膜；制备正面和背面金属电极得到钝化接触电池。本发明的钝化接触电池的制备方法，通过背面的隧穿氧化层和硼掺杂多晶硅层结合第二钝化减反射膜的多层钝化结构，替代传统PERC电池单一的氧化铝结构，极大降低背面钝化复合，提高电池转换效率。
钝化接触电池及其制备方法

[发明专利]去除电池正面绕镀的方法及其应用及N-Topcon电池-CN202210271023.0在审
发明人：朱佳佳;赵福祥;费存勇 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明公开一种去除电池正面绕镀的方法及其应用及N‑Topcon电池，去除电池正面绕镀的方法包括如下步骤：在硅片背面沉积多晶硅层；通入磷源，使多晶硅层表面形成磷硅玻璃；去除硅片正面及四周侧面的磷硅玻璃和多晶硅层及硅片正面硼硅玻璃，保留硅片背面的磷硅玻璃；通过高温退火将硅片背面保留的磷硅玻璃中的磷元素推进到多晶硅层内部形成n+多晶硅掺杂层，并氧化硅片正面的富硼层形成硼硅玻璃；去除硅片背面的磷硅玻璃和硅片正面由所述富硼层形成的硼硅玻璃；所述硅片为N型硅。本发明的去除电池正面绕镀的方法，可以有效解决电池片的效率低和良率低的问题并提高产能；还可有效去除部分硅片正面的富硼层，从而提高电池的钝化能力。
去除电池正面方法及其应用 topcon

[实用新型]一种扣件-CN202320605819.5有效
发明人：付尧;张培育;秦先建;肖志勇;张尧帮;赵福祥 -专利权人：中国华西企业股份有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： E04G7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种扣件，包括:夹具组件，该夹具组件用于连接构件；转轴组件，该转轴组件的两端分别连接一夹具组件；其中，转轴组件包括用于调节转轴组件两端间距的调节部。本实用新型的转轴组件长度可调节，使得夹具组件的安装中心距L可调整，使得扣件能连接不同间距的构件，扣件的应用范围较广。
一种扣件

[发明专利]一种钝化接触结构的制备方法和太阳能电池-CN202310765836.X在审
发明人：王红娟;赵福祥;沈健锋 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种钝化接触结构的制备方法和太阳能电池，方法包括：(1)对硅衬底背面进行湿法化学抛光、清洗；(2)在硅衬底抛光面上生长隧穿氧化层；(3)在隧穿氧化层上依次沉积多层本征非晶硅层，其中，在靠近隧穿氧化层至远离隧穿氧化层的方向上，后一个本征非晶硅层沉积时炉管内压力大于前一个本征非晶硅层沉积时炉管内压力，后一个本征非晶硅层沉积时SiH4流量大于前一个本征非晶硅层沉积时SiH4流量；(4)对多层本征非晶硅层掺杂处理，使掺杂后的本征非晶硅层晶化后与隧穿氧化层形成钝化接触结构。本发明的方法，既可提高多晶硅掺杂浓度，又可阻止过多掺杂源穿透隧穿氧化层进入硅衬底，保证钝化同时改善金属接触，提高电池效率。
一种钝化接触结构制备方法太阳能电池

[发明专利]硼掺杂选择性发射极及其制备方法、TOPCon电池-CN202310254763.8在审
发明人：戴燕华;赵福祥;沈利娟 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极及其制备方法、TOPCon电池，制备方法包括如下步骤：对清洗制绒后的硅片进行硼扩散，再进行激光局部重掺杂，最后对硅片进行修复得到硼掺杂选择性发射极，硼扩散的步骤包括对硅片表面进行第一次氧化形成氧化硅层，再进行预沉积，升温后驱入推进，再进行第二次氧化，最后降温出炉；第二次氧化步骤的温度低于驱入推进步骤的温度。本发明的硼掺杂选择性发射极的制备方法，通过在硼扩散步骤中降低第二次氧化的温度，实现了硅片表面具备高的硼掺杂浓度的同时，硼硅玻璃层的厚度较薄，克服了由于硼原子的低扩散系数和低分离系数导致的扩散动力学不足的困难，有利于降低电池的接触电阻，提升电池的转化效率。
掺杂选择性发射极及其制备方法 topcon 电池

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