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- [实用新型]出气板及进气装置-CN202320952576.2有效
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戴佳;朱鹤囡;董雪迪;张武;林佳继
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拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
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2023-04-25
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2023-09-08
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C23C16/455
- 本实用新型属于ALD镀膜技术领域，公开了出气板及进气装置。该出气板沿气体的输送方向设置于匀流板的下游，出气板开设有第一出气槽和第二出气槽，第一出气槽用于输出第一反应源，第二出气槽用于输出第二反应源，第一出气槽与第二出气槽不同时输出，至少部分第一出气槽的外周设置有第一沉积部，至少部分第二出气槽的外周设置有第二沉积部。第一沉积部能够将残留的第二反应源沉积，使第二反应源与后输入的第一反应源产生的粉尘沉积至第一沉积部，而第二沉积部能够将残留的第一反应源进行沉积，使第一反应源与后输入的第二反应源混合产生的粉尘沉积至第二沉积部，避免粉尘堵塞出气板的出气槽，降低出气不顺的隐患，且便于维护清理，降低维保频次。
- 出气装置
- [发明专利]硅片加工工艺-CN202211452045.3有效
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于帅帅;董雪迪;林佳继;刘群
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拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
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2022-11-21
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2023-08-11
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H01L31/18
- 本发明公开了一种硅片加工工艺，该硅片加工工艺包括：S1：将经过制绒的硅片导入石英舟内；S2：将所述石英舟送入硼扩主机内对所述硅片进行硼扩工艺；S3：将所述石英舟内的所述硅片转移至花篮内，且对所述花篮内的硅片进行湿法蚀刻处理，并且将所述花篮内经过湿法蚀刻处理的所述硅片导入至所述石英舟内；S4：将所述石英舟依次送入沉积主机以及磷扩主机内，以对所述硅片进行沉积工艺以及磷扩工艺；S5：将所述石英舟内的所述硅片转移至所述花篮内，且对所述花篮内的所述硅片进行化学清洗。该硅片加工工艺降低了硅片在石英舟和花篮之间的转运次数，避免了过多流转工序过程中对硅片的损坏，提升工艺效率的同时提升了硅片制造良品率。
- 硅片加工工艺
- [实用新型]换热装置及光伏设备-CN202320339488.5有效
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朱鹤囡;林佳继;张武
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拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
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2023-02-28
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2023-08-11
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H01L21/67
- 本实用新型属于光伏以及半导体制造技术领域，公开了一种换热装置及光伏设备，换热装置用于工艺腔体内部换热，该装置包括具有进液口和出液口的换热结构；且换热结构设置有非金属导热层；换热装置还具有制热源和制冷源，分别与进液口或出液口连接；还具有温度监测结构，温度监测结构用于监测工艺腔体内部的温度；温度监测结构分别与制冷源和制热源连接。通过温度监测结构能够实时监测工艺腔体内的温度，也了可以控制制冷源与制热源的开启或关闭，提高转换的精确度和换热效率；此外在换热管设置非金属导热层，增大导热系数，能够进行快速的升温或降温。
- 装置设备
- [发明专利]插取片机构-CN202310378759.2有效
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时祥;林佳继;董雪迪;刘群
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拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
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2023-04-11
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2023-07-04
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B65G47/91
- 本发明涉及硅片技术领域，具体提供了一种插取片机构，包括：龙门架、加工工位、第一吸料组件、第二吸料组件，加工工位包括第一工位和第二工位；第一吸料组件和第二吸料组件相对设置，第一吸料组件和第二吸料组件均移动设置于龙门架上，第一吸料组件被配置为用于将第一工位上处于第一状态下的产品送至第二工位；第二吸料组件被配置为用于将第二工位上处于第二状态下的产品送至第一工位。本发明通过相对设置的第一吸料组件和第二吸料组件，能够同时对第一工位和第二工位上产品进行位置交换，同时完成两个工位上产品的插取动作，大大提高了生产效率，从而满足产能需求。
- 插取片机构
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