[发明专利]基于二维尺寸裁剪的肖特基栅场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110883169.6 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN113823697A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘兴强;廖蕾;段鑫沛;林均;张明亮 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 李伟波;李晓辉 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二维尺寸裁剪的肖特基栅场效应晶体管，包括衬底，在所述衬底上形成交叉设置的块状薄膜和纳米带，所述纳米带与所述块状薄膜采用同一种二维材料，在所述纳米带与所述块状薄膜相交处形成由同一材质构成的同质结，在所述纳米带以及所述块状薄膜的两端形成金属电极。本发明通过等离子体刻蚀对二维材料的物理尺寸进行裁剪，利用同质结形成的肖特基结构建了块状二硫化钼薄膜作为栅极、二硫化钼纳米带作为载流子传输层的肖特基栅场效应晶体管，性能优越，操作简单，可控性强。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 尺寸 裁剪 肖特基栅 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 张清纯;J·亨宁 - 克里公司
- 2012-04-04 - 2017-07-14 - H01L29/812
- 一种电子器件，包括漂移区，肖特基接触，位于所述漂移区的表面上；以及边缘终端结构，位于所述漂移区内与所述肖特基接触相邻。边缘终端结构包括凹陷区，所述凹陷区从所述漂移区的表面凹陷距离d，距离d可以为约0.5微米。
- 基于垂直沟道的MESFET器件及其制备方法-201710086828.7
- 董志华;张辉;张佩佩;蔡勇;刘国华;柯华杰;周涛;程知群 - 杭州电子科技大学
- 2017-02-17 - 2017-06-20 - H01L29/812
- 本发明公开了一种基于垂直沟道的MESFET(金属‑半导体场效应晶体管)器件，其包括MES结构、源极及漏极，所述MES结构包括栅极以及至少一半导体沟道，所述半导体沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述栅极环绕半导体沟道设置，所述源极经半导体沟道与漏极电连接，所述源极和漏极沿半导体沟道轴向间隔设置，所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了所述MESFET器件的制备方法。本发明的MESFET器件具有栅控能力好、工作频率高，制作工艺难度低，成品率高等优点。
- 一种杂质分凝肖特基源漏器件及其制备方法-201410392233.0
- 孙雷;徐浩;张一博;韩静文;王漪;张盛东 - 北京大学
- 2014-08-11 - 2017-05-03 - H01L29/812
- 杂质分凝肖特基源漏器件，包括一个垂直方向的环状半导体沟道，一个环状栅电极，一个环状栅介质层，一个源区，一个杂质分凝区，一个漏区，一个杂质分凝区，一个半导体衬底；源区位于垂直沟道的底部，与衬底相接；杂质分凝区介于源区与垂直沟道之间；漏区位于垂直沟道的顶部；杂质分凝区介于漏区与垂直沟道之间；栅介质层和栅电极呈环状围绕住垂直沟道；源区和漏区分别与沟道形成相同势垒高度的肖特基接触；源端和漏端杂质分凝区为同种杂质高掺杂区域。该结构利用肖特基势垒源漏结构降低了热预算、减小了漏电流、简化了工艺要求，利用杂质分凝减薄了势垒、增大了驱动电流，并利用垂直沟道、环形栅结构突破了集成加工光刻极限限制，提高了集成度。
- 一种具有宽沟道深凹陷的金属半导体场效应管-201510223938.4
- 贾护军;张航;邢鼎;杨银堂 - 西安电子科技大学
- 2015-05-05 - 2015-09-16 - H01L29/812
- 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开了一种具有宽沟道深凹陷的金属半导体场效应管；旨在提供能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的一种具有宽沟道深凹陷的金属半导体场效应管；采用的技术方案为：自上而下设置有4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层，N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有栅电极，栅电极在N型沟道两侧形成左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区，左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区的深度为0.15-0.25μm，左侧沟道的宽度为0.5μm，右侧沟道的宽度为1μm，沟道表面和栅电极之间形成高栅区域。
- 一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法-201410428648.9
- 孙雷;徐浩;张一博;韩静文;王漪;张盛东 - 北京大学
- 2014-08-27 - 2014-12-24 - H01L29/812
- 一种双层源/漏肖特基势垒结构的MOS晶体管，包括半导体衬底、沟道区；下层金属硅化物源区、下层金属硅化物漏区；上层金属硅化物源区、上层金属硅化物漏区；栅介质层和控制栅；其中，沟道区呈长方体状，一侧与上、下两层金属硅化物源区相接，另一侧与上、下两层金属硅化物漏区连接；沟道区位于控制栅和栅介质层的下方；上层源区和上层漏区金属硅化物为低肖特基势垒的同种材料；下层源区和下层漏区金属硅化物为高肖特基势垒的同种材料；上下源漏之间金属硅化物材料不同；上层金属硅化物的厚度小于下次硅化物的厚度。所述的晶体管利用双层肖特基势垒提高了开态电流、抑制了漏电流、解决了超薄体的工艺限制。
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