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[发明专利]半导体装置、半导体模块和电子机器-CN202180091934.9在审
发明人： 竹内克彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：根据本公开的实施例的半导体装置包括低电阻材料部和低热阻材料部。低电阻材料部包括与阻挡层、沟道层以及源电极或漏电极邻接并且具有比沟道层低的电阻的低电阻材料。低热阻材料部包括与沟道层和缓冲层邻接并且具有比沟道层低的热阻的低热阻材料。
半导体装置模块电子机器

[发明专利]半导体设备和电子装置-CN202180058391.0在审
发明人：柳泽佑辉;竹内克彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明抑制了半导体设备的特性的波动和劣化。半导体设备包括安装在半导体基体上的场效应晶体管。此外，场效应晶体管包括绝缘层，该绝缘层包括设置在半导体基体的主表面上的第一绝缘膜，以及设置在第一绝缘膜上并具有比第一绝缘膜的蚀刻选择比更高的蚀刻选择比的第二绝缘膜；栅电极，其具有位于绝缘层上的头部和从头部朝向半导体基体的主表面延伸的主体部，并且被配置为使得头部具有比主体部的宽度更大的宽度；以及嵌入膜，在栅电极的栅极长度方向上设置在第一绝缘膜与栅电极的主体部之间，并且具有等于或高于第二绝缘膜的相对电容率的相对电容率。
半导体设备电子装置

[发明专利]半导体装置、半导体模块和电子设备-CN202180036490.9在审
发明人： 竹内克彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，包含：势垒层，包含第一化合物半导体；沟道层，包含第二化合物半导体并且接合至势垒层的第一表面；绝缘层，设置在势垒层的与第一表面相对的第二表面上，并且具有暴露势垒层的开口；栅极电极，嵌入在开口中；源极电极和漏极电极，设置在夹着栅极电极的两侧的势垒层的第二表面上；以及材料层，包含金属材料或半导体材料并且被设置为与栅极电极和漏极电极之间的势垒层的第二表面接触。
半导体装置模块电子设备

[发明专利]半导体装置及其制造方法、以及电子设备-CN202080086422.9在审
发明人： 竹内克彦;高桥圭太 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：根据本发明，减小了具有不同平面尺寸的每个场效应晶体管的导通电阻。半导体装置包括安装在半导体基板上的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管以及设置在半导体基板的主表面上的绝缘层。然后，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的每一者包括：一对主电极，彼此分离地设置在半导体基板的主表面上；空腔，设置在一对主电极之间的绝缘层中；以及栅电极，具有位于绝缘层上的头部和从头部穿透绝缘层并朝向空腔突出的主体部，头部比主体部宽。第二场效应晶体管的空腔的宽度不同于第一场效应晶体管的空腔的宽度。
半导体装置及其制造方法以及电子设备

[发明专利]半导体装置、半导体模块和电子设备-CN202080054414.6在审
发明人： 竹内克彦;柳田将志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，包括：半导体层，包括沟道层；接触区域，沿着半导体层的厚度方向以预定尺寸设置，并且具有比周围半导体层的杂质浓度高的杂质浓度；栅电极，面对沟道层并且设置在半导体层上并且与接触区域隔开；以及电极，与半导体层接触并且经由接触区域电耦接到沟道层，并且至少在栅电极侧比接触区域延伸得更多。
半导体装置模块电子设备

[发明专利]半导体装置、电子部件、电子设备以及半导体装置的制造方法-CN201780003978.5有效
发明人： 竹内克彦;兼松成;柳田将志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包括基板和在所述基板上的第一接触层。所述半导体装置包括在所述第一接触层上的沟道层和在所述沟道层上的势垒层。所述半导体装置包括在所述势垒层的至少一个侧面上的栅极电极和在所述沟道层上的第二接触层。所述半导体装置包括在所述第一接触层上的第一电极和在所述第二接触层上的第二电极。
半导体装置电子部件电子设备以及制造方法

[发明专利]提供系统-CN202011269736.0在审
发明人：觉知诚;高桥理;井上俊二;滨岛拓美;杉山浩章;藤下将雄;竹内克彦;清水智哉 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G06Q10/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能按照用户的订单将提供物运输至用户的技术。本发明的提供系统具备：获取部，从外部终端获取表示由用户输入至所述外部终端的订单的内容的订单信息；提示部，将由已获取的所述订单信息表示的所述订单的所述内容提示给提供与所述内容对应的提供物的提供侧；以及运输车，将与已提示的所述订单的所述内容对应的所述提供物运输至所述用户，所述运输车具备具有动力源的行驶机构。
提供系统

[发明专利]半导体器件、天线开关电路和无线通信装置-CN201580058262.6有效
发明人： 竹内克彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-10-05 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：半导体器件设置有层叠体、栅极电极、源极电极、漏极电极和盖层。所述层叠体包括沟道层和第一低电阻区域。所述沟道层由化合物半导体制成。所述第一低电阻区域被设置为所述层叠体的表面侧的一部分。所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极均设置在所述层叠体的上表面侧。所述盖层设置在所述第一低电阻区域与所述源极电极和所述漏极电极之中的至少一者之间。
半导体器件天线开关电路无线通信装置

[发明专利]半导体器件、天线开关电路和无线电通信装置-CN201410180883.9有效
发明人： 竹内克彦;谷口理 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及能够降低截止电容的半导体器件、包括该半导体器件的天线开关电路以及包括该天线开关电路的无线电通信装置。所述半导体器件包括：层叠体，其包括由化合物半导体构成的沟道层；以及至少一个栅电极，其设置在所述层叠体的顶表面侧上，其中，所述层叠体包括：第一低电阻区域，其设置在所述层叠体的顶表面侧上，所述第一低电阻区域面对所述至少一个栅电极，以及第二低电阻区域，其设置在所述层叠体的顶表面侧上并位于所述第一低电阻区域的外侧，所述第二低电阻区域与所述第一低电阻区域连续。
半导体器件天线开关电路无线电通信装置

[发明专利]半导体器件、天线开关电路和无线通信装置-CN201580015651.0在审
发明人： 竹内克彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括漏电极和源电极、栅电极、一个以上的栅电极延伸部和连接部。所述漏电极和所述源电极具有彼此啮合的梳形的平面形状。所述栅电极设置在所述漏电极与所述源电极之间并具有曲折的平面形状。所述一个以上的栅电极延伸部从所述栅电极突出。所述连接部设置成面对所述漏电极和所述源电极中的一者或两者，并将所述一个以上的栅电极延伸部连接在一起。
半导体器件天线开关电路无线通信装置

[发明专利]用于车辆头枕的噪音消除装置-CN201510570258.X在审
发明人：布雷德利·巴斯坎;林赛·什奇盖乌;竹内克彦;埃里克·阿尔尚博 -专利权人：爱信技术中心美国股份有限公司
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： G10K11/178 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于车辆的噪音消除头枕，其包括：位于头枕的侧部上的可滑动的侧翼；多个传声器，所述多个传声器配置成用以检测音频噪音信号并输出多个第一电信号；多个扬声器，所述多个扬声器配置成用以接收多个第二电信号并输出声信号；以及噪音消除电路，该噪音消除电路配置成用以接收多个第一电信号并输出多个第二电信号。
用于车辆噪音消除装置

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201380008763.4在审
发明人： 竹内克彦;谷口理 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：半导体装置具有设置于沟道层(14)的上部上的上部障壁层中的第一障壁层(15)，第一障壁层(15)构成沟道层(14)侧的界面层并且由这样的化合物半导体构成：在第一障壁层(15)与沟道层(14)的接合部，该化合物半导体的载流子运动侧能带比沟道层(14)的载流子运动侧能带更远离沟道层(14)之内的本征费米能级。半导体装置具有设置于上部障壁层的表面层的第二障壁层(16)，第二障壁层(16)由这样的化合物半导体构成：在第二障壁层(16)与第一障壁层(15)形成接合的状态下，在该接合处，该化合物半导体的位于带隙两边的载流子运动侧及其相对侧的能带比第一障壁层(15)的位于带隙两边的载流子运动侧及其相对侧的能带更远离第一障壁层(15)内的本征费米能级。此外，半导体装置包括：低电阻区域(16g)，其设置在第二障壁层(16)的至少表面层并且通过含有具有与载流子的导类型相反的导电型的杂质来保持比周边区域低的电阻；位于低电阻区域(16g)的相对两侧并且连接到第二障壁层(16)的源极电极(23s)和漏极电极(23d)；隔着栅极绝缘膜(25)设置于低电阻区域(16g)上方的栅极电极(27)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN201310571587.7无效
发明人：谷口理;竹内克彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种具有优异的开关特性的半导体装置，其包括沟道层；和高电阻层，它设置在所述沟道层上，并且由导带位置比形成所述沟道层的半导体高的高电阻的半导体形成。所述半导体装置包括第一导电型的低电阻区域，它设置在所述高电阻层的表面层上，并且由包含第一导电型杂质的半导体形成。所述半导体装置包括：源极和漏极，它们与所述高电阻层连接，并且在所述低电阻区域夹在其间的位置；栅绝缘膜，它设置在所述低电阻区域上；和栅极，它经由所述栅绝缘膜设置在所述低电阻区域上。所述半导体装置包括电流阻挡区域，它形成在所述低电阻区域和所述源极之间以及所述低电阻区域和所述漏极之间。本发明还提供制造半导体装置的方法。
半导体装置制造方法

[其他]玻璃滑槽一体模制件和门框结构-CN201190000836.1有效
发明人： 竹内克彦;山崎洋明;佐藤荣亮 -专利权人：爱信精机株式会社
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： B60J10/04 文献下载
摘要：一种玻璃滑槽一体模制件，包括：用于将门框上部的凸缘部（11b）夹在中间的外缘侧侧壁部（21）和内缘侧侧壁部（22）；用于将外缘侧侧壁部（21）的车外侧端部和内缘侧侧壁部（22）的车外侧端部相互连接的车外侧侧壁部（23）；玻璃滑槽部（24a，24b）；和本体密封唇部（25a，25b）。一体模制件还包括用于从外缘侧与形成在上部的外缘侧上的第一接合部（C1）形成弹性接合的外缘侧接合部（26）；以及用于从内缘侧与形成在上部的内缘侧上的第二接合部（C2）形成弹性接合的内缘侧接合部（27）。本实用新型还涉及一种门框结构，该门框结构包括具有凸缘部并包围车门的窗口的门框以及要组装到门框的玻璃滑槽一体模制件。
玻璃滑槽一体制件门框结构

[其他]装饰物以及安装构造-CN201190000528.9有效
发明人： 竹内克彦;山崎洋明;清水保充 -专利权人：爱信精机株式会社
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： B60R13/04 文献下载
摘要：本实用新型提供装饰物以及安装构造。提供安装于形成车门的窗框的门框的树脂制的装饰物。门框具备：包括具有插通孔的安装部的框架部；以及利用卡扣紧固于上述框架部的密封条。卡扣插通于密封条及插通孔而卡定于框架部，由此将密封条紧固于框架部。装饰物具备：形成车辆外侧的设计面的装饰物主体；以及突出设置于装饰物主体的卡定突起部。卡定突起部构成为在被插入到插通孔的状态下与设置于卡扣的卡定爪卡合，以便将装饰物安装于框架部。
装饰物以及安装构造

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