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[发明专利]半导体设备、半导体模块和无线通信装置-CN202180051723.2在审
发明人：田才邦彦;小山享宏;风田川统之;福岛圣;蟹谷裕也 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：一种半导体设备，包括：沟道层；间隔层；中间层；以及势垒层。沟道层包括第一氮化物半导体。间隔层包括具有比第一氮化物半导体的带隙大的带隙的第二氮化物半导体。间隔层设置在沟道层上。中间层包括Alx1Iny1Ga(1‑x1‑y1)N(0x11，0y11并且0x1+y11)。中间层设置在间隔层上。势垒层包括Alx2In(1‑x2)N(0x21)。势垒层设置在中间层上。
半导体设备半导体模块无线通信装置

[发明专利]半导体器件-CN202180036264.0在审
发明人：福岛圣;蟹谷裕也;柳田将志 -专利权人：索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种半导体器件，其具备：包含第一氮化物半导体的势垒层；沟道层，包含第二氮化物半导体，同时在第一表面处与势垒层结合；包含n型氮化物半导体的再生长层，同时设置在从势垒层的第二表面延伸到深度比势垒层和沟道层之间的界面更深的区域中，所述第二表面在第一表面的反面；包含氮捕捉元素的空孔形成区域，同时设置在再生长层的区域中，所述区域位于比势垒层和沟道层之间的界面浅的深度处；源极或漏极，设置在再生长层上。
半导体器件