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[发明专利]氮化物半导体装置以及氮化物半导体装置的制造方法-CN202180093557.2在审
发明人：今村谦;桧座秀一;西村邦彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本公开的目的在于，在作为基板具有金刚石的氮化物半导体装置中低成本地得到期望的高频特性。在本公开所涉及的氮化物半导体装置(101)中，设置从金刚石层(11)的第1主面(S1)贯通金刚石层(11)、中间层(12)以及氮化物半导体层(13)而到达电极(14)的通路孔(16)。通路孔(16)是具有与金刚石层(11)的第1主面(S1)相接的大口径通路孔(16b)和面对电极(14)且比大口径通路孔(16b)小径并且锥形形状的小口径通路孔(16a)的多级构造。
氮化物半导体装置以及制造方法

[发明专利]构件、晶体管器件、功率器件以及用于制造构件的方法-CN202180008239.1在审
发明人：吉尔伯托·库拉托拉;马尔科·西尔维斯特里 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种构件，包括硅基衬底层；过渡层，设置在所述硅基衬底层的上方；氮化镓(GaN)缓冲层，设置在所述过渡层的上方。所述构件还包括氧化镓层。所述构件有利于实现超宽带隙技术与宽带隙技术的共集成，例如通过在所述硅基衬底层等低成本硅衬底上使用所述氧化镓层和所述氮化镓缓冲层。因此，所述构件提供了在所述硅基衬底层(或硅生产线)上设置所述氮化镓缓冲层(或氮化镓)的途径，从而提高导热性和电气性能。
构件晶体管器件功率以及用于制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202180035827.4在审
发明人：中村茉里香;宇佐美茂佳;滝口雄贵;山田高宽;斋藤尚史;绵引达郎;柳生荣治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：提供耐压高的晶体管。在第1方向上层叠第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层。第1以及第2氮化物半导体层形成异质结，在第1氮化物半导体层引起二维载流子气。漏极电极在第3方向上隔着栅极电极与源极电极对置。源极电极以及漏极电极与第1氮化物半导体层导通。第1以及第2氮化物半导体层与栅极电极8形成肖特基结。第1层在第3方向X上位于栅极电极与漏极电极之间且与栅极电极接触，在第2方向上与第2氮化物半导体层接触。第1层是绝缘体、本征半导体、具有与第2氮化物半导体层相反的导电类型的半导体中的任意物体，抑制在第1方向上与第1层对置的第1氮化物半导体层引起二维载流子气。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202180036264.0在审
发明人：福岛圣;蟹谷裕也;柳田将志 -专利权人：索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种半导体器件，其具备：包含第一氮化物半导体的势垒层；沟道层，包含第二氮化物半导体，同时在第一表面处与势垒层结合；包含n型氮化物半导体的再生长层，同时设置在从势垒层的第二表面延伸到深度比势垒层和沟道层之间的界面更深的区域中，所述第二表面在第一表面的反面；包含氮捕捉元素的空孔形成区域，同时设置在再生长层的区域中，所述区域位于比势垒层和沟道层之间的界面浅的深度处；源极或漏极，设置在再生长层上。
半导体器件

[发明专利]半导体元件以及装置-CN202180022782.7在审
发明人：佐藤寿朗;竹中靖博;神谷真央;篠田大辅;上村俊也;河合弘治;八木修一 -专利权人：丰田合成株式会社;株式会社POWDEC
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。棒状形状的前端部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj2)为棒状形状的除前端部分以外的部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj1)以上。
半导体元件以及装置

[发明专利]半导体装置-CN202080080116.4在审
发明人：帕斯夸莱·福尔特;卢卡·扎伊;米凯莱·罗曼;哈维尔·爱德华多·佩雷拉·里瓦斯 -专利权人：艾尔多股份有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括至少一个基板(2，22)；多个连接对(3，23)，每个连接对配备有第一连接电极(3a，23a)和第二连接电极(3b，23b)，并连接到相(A，B，C)的端子(A'，A”，B'，B”，C'，C”)或相部分(D、E)的端((O'、D'、E'、E”)；一个或多个第一控制电极(4，24)，可操作地放置在连接对(3，23)之间并被配置为以第一电配置布置连接对；以及一个或多个第二控制电极(5，25)，可操作地放置在连接对(3、23)之间并被配置为以第二电配置布置连接对。
半导体装置

[发明专利]高频场效应晶体管及其制备方法-CN202210471231.5在审
发明人：周闯杰;蔚翠;何泽召;郭建超;马孟宇;刘庆彬;余浩;高学栋;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了高频场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在金刚石衬底上形成氢终端；在氢终端上表面形成源极与漏极金属层，源极与漏极间隔设置，形成源漏欧姆接触；在氢终端上表面形成第一钝化层，在第一钝化层与栅极对应的区域，形成有裸露氢终端的栅槽；在氢终端上和栅槽内形成栅金属层；在第一钝化层上形成第二钝化层，在第二钝化层与源极与漏极对应的区域，形成有裸露源极与漏极的刻蚀图形；根据刻蚀图形，刻蚀形成源极与漏极。本申请通过采用可控的介质代替不可控的空气气氛吸附，通过低损伤的湿法腐蚀实现介质的刻蚀，从而实现基于氢终端金刚石衬底高频场效应晶体管的低损伤制备。
高频场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法、以及电子设备-CN202080086422.9在审
发明人：竹内克彦;高桥圭太 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：根据本发明，减小了具有不同平面尺寸的每个场效应晶体管的导通电阻。半导体装置包括安装在半导体基板上的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管以及设置在半导体基板的主表面上的绝缘层。然后，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的每一者包括：一对主电极，彼此分离地设置在半导体基板的主表面上；空腔，设置在一对主电极之间的绝缘层中；以及栅电极，具有位于绝缘层上的头部和从头部穿透绝缘层并朝向空腔突出的主体部，头部比主体部宽。第二场效应晶体管的空腔的宽度不同于第一场效应晶体管的空腔的宽度。
半导体装置及其制造方法以及电子设备

[发明专利]具有凸型沟道的4H-SiC金属半导体场效应管-CN202210269960.2在审
发明人：贾护军;张云帆;朱顺威;王欢;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有凸型沟道的4H‑SiC金属半导体场效应管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层和N型沟道层，所述N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间形成凹陷的沟道表面，所述N型沟道上表面靠近源极帽层的一侧形成凸型沟道，所述凸型沟道表面设有栅电极，所述凸型沟道与漏极帽层之间形成凹陷栅漏飘移区，所述凸型沟道与源极帽层之间形成栅源飘移区，所述栅电极下形成部分向上凸起的缓冲层。本发明具有直流特性大幅提升，交流特性明显改善的优点。
具有沟道 sic 金属半导体场效应

[发明专利]一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法-CN202011036591.X有效
发明人：孙伟锋;张弛;辛树轩;李胜;钱乐;葛晨;刘斯扬;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法，自下而上顺次包括：漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区；还包括：漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体，沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极；复合柱体是通过在漂移区上依次淀积p型半导体层和n型半导体层而后对其进行刻蚀形成；沟道层和钝化层依次通过淀积形成；由此以上器件被划分为元胞区和终端区，介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极仅存在于元胞区，终端区的钝化层向上延伸并包裹于沟道层外侧。该结构可以提高器件阈值电压、提高器件阻断特性、降低栅电容大小。
一种阈值功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于二维尺寸裁剪的肖特基栅场效应晶体管及其制备方法-CN202110883169.6在审
发明人：刘兴强;廖蕾;段鑫沛;林均;张明亮 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维尺寸裁剪的肖特基栅场效应晶体管，包括衬底，在所述衬底上形成交叉设置的块状薄膜和纳米带，所述纳米带与所述块状薄膜采用同一种二维材料，在所述纳米带与所述块状薄膜相交处形成由同一材质构成的同质结，在所述纳米带以及所述块状薄膜的两端形成金属电极。本发明通过等离子体刻蚀对二维材料的物理尺寸进行裁剪，利用同质结形成的肖特基结构建了块状二硫化钼薄膜作为栅极、二硫化钼纳米带作为载流子传输层的肖特基栅场效应晶体管，性能优越，操作简单，可控性强。
基于二维尺寸裁剪肖特基栅场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法-CN202080034672.8在审
发明人：大岳浩隆 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种氮化物半导体装置(1)，包括：构成电子传输层的第1氮化物半导体层(13)，在第1氮化物半导体层上形成的、构成电子供给层的第2氮化物半导体层(14)，配置在第2氮化物半导体层上的、至少一部分具有脊部(15A)的、含有受主型杂质的半导体栅极层(15)，在半导体栅极层的至少脊部上形成的栅极(4)，配置在第2氮化物半导体层上的源极(3)和漏极(5)，以及为了提取半导体栅极层内的空穴而在半导体栅极层上形成的、与源极电连接的空穴提取电极(6)。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]双凹槽阶梯缓冲栅4H-SiC金属半导体场效应管及建模仿真方法-CN202110469670.8在审
发明人：张现军;李娜;邱恒远;游娜;王明甲;秦浩华;覃庆良;冯宇平;孙绍华 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明涉及一种双凹槽阶梯缓冲栅4H‑SiC金属半导体场效应管及建模仿真方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明包括4H‑SiC半绝缘衬底层、P型缓冲层、第一凹槽和第二凹槽、N型沟道层；N型沟道层的上端面分别为源极帽层和漏极帽层，栅极与N型沟道层的上表面之间设置阶梯缓冲栅层；由漏极向栅极方向延伸一定距离形成场板，漏极与栅极之间设置钝化层Si3N4；第一凹槽设置和第二凹槽均设置在P型缓冲层的顶部，其中第一凹槽位于栅极下方，第二凹槽位于漏极帽层和场板的下方。本发明在P型缓冲层上方引入双凹槽，这大幅提高了饱和电流密度；优化了电场线分布，击穿电压出现近10％的提高；最终，使得功率密度获得55％的大幅改善。
凹槽阶梯缓冲 sic 金属半导体场效应建模仿真方法

[发明专利]基于硅和过渡金属硫化物的肖特基场效应管及制备方法-CN201910116636.5有效
发明人：姜向伟;马晓雷;陈杰智 -专利权人：中国科学院半导体研究所;山东大学
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于硅和过渡金属硫化物的肖特基场效应管及制备方法，其界面处理方法包括：在硅和过渡金属硫化物的界面之间导入氮化硼插层，Si作为电极，MoS2作为沟道材料，形成PIP型肖特基场效应管。本公开在有利于降低Si‑MoS2体系的肖特基势垒，对于未来微电子器件把二维材料集成到传统硅材料中有重大指导意义。
基于过渡金属硫化物肖特基场效应制备方法

[发明专利]一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法-CN201811075622.5有效
发明人：王玮;王宏兴;问峰;王艳丰;林芳;张明辉;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法，包括金刚石衬底；在金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有台面区域；单晶金刚石外延薄膜上设置有刻蚀区域；台面区域内设置有多通道沟道区域和刻蚀区域；多通道沟道包括二维空穴气导电层；刻蚀区域包含氧、氟或氮终端；源电极和漏电极处于台面区域的两侧；栅电极设置在源电极和漏电极之间的多通道沟道区域和刻蚀区域上，且栅电极同时设置在单晶金刚石外延薄膜上的刻蚀区域上。本发明的晶体管器件能够获得常关型特性，且不会损伤导电沟道的性能，同时多通道结构也能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
一种金刚石基多通道调控场效应晶体管及其制备方法

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