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[发明专利]多端子氮化镓功率晶体管-CN202180089113.1在审
发明人： 吉尔伯托·库拉托拉 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓(Gallium Nitride，GaN)功率晶体管(100、300、500、600)，包括：源极焊盘(S)；漏极焊盘(D)；第一栅极焊盘(G1)和第二栅极焊盘(GN)；多个单元块(101)，每个单元块包括源极区(120)、漏极区(130)和栅极区(110)；源极金属化层，所述源极金属化层使所述多个单元块(101)的所述源极区(120)与所述源极焊盘(S)接触；漏极金属化层(115)，所述漏极金属化层(115)使所述多个单元块(101)的所述漏极区(130)与所述漏极焊盘(D)接触；第一栅极金属化层，所述第一栅极金属化层使所述单元块(101)的第一部分的所述栅极区(110)与所述第一栅极焊盘(G1)接触；第二栅极金属化层，所述第二栅极金属化层使所述单元块(101)的第二部分的所述栅极区(110)与所述第二栅极焊盘(GN)接触。
多端氮化功率晶体管

[发明专利]氮化镓功率晶体管-CN202080107570.4在审
发明人： 吉尔伯托·库拉托拉 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-12-20 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓(Gallium Nitride，GaN)功率晶体管(100)，包括：缓冲层(110)；阻挡层(111)，沉积在所述缓冲层(110)上，其中，栅极区(112)形成于所述阻挡层(111)的顶部；p型掺杂氮化镓(Gallium Nitride，GaN)层(113)，沉积在所述栅极区(112)处的所述阻挡层(111)上；金属栅极层(114)，沉积在所述p型掺杂GaN层(113)的顶部，其中，所述金属栅极层(114)与所述p型掺杂GaN层(113)接触以形成肖特基势垒(115)；其中，所述p型掺杂GaN层(113)的厚度、所述金属栅极层(114)的金属类型和所述p型掺杂GaN层(113)的p型掺杂浓度基于pGaN肖特基栅极耗尽区厚度相对于p型掺杂浓度和栅极金属类型的已知关系。
氮化功率晶体管

[发明专利]构件、晶体管器件、功率器件以及用于制造构件的方法-CN202180008239.1在审
发明人： 吉尔伯托·库拉托拉;马尔科·西尔维斯特里 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种构件，包括硅基衬底层；过渡层，设置在所述硅基衬底层的上方；氮化镓(GaN)缓冲层，设置在所述过渡层的上方。所述构件还包括氧化镓层。所述构件有利于实现超宽带隙技术与宽带隙技术的共集成，例如通过在所述硅基衬底层等低成本硅衬底上使用所述氧化镓层和所述氮化镓缓冲层。因此，所述构件提供了在所述硅基衬底层(或硅生产线)上设置所述氮化镓缓冲层(或氮化镓)的途径，从而提高导热性和电气性能。
构件晶体管器件功率以及用于制造方法

[发明专利]一种场效应管、其制备方法及开关电路-CN202110256517.7在审
发明人：包琦龙;蒋其梦;唐高飞;王汉星;吉尔伯托·库拉托拉 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种场效应管、其制备方法及开关电路，所述场效应管中包括：沟道层、源极、漏极、栅极结构和栅极金属层；栅极结构包括层叠设置的P型氮化镓层和N型氮化镓层，从而利用nGaN/pGaN的反偏二极管取代栅金属/pGaN的肖特基二极管，可以增加场效应管的栅耐压能力，从而提高击穿能力。而P型氮化镓层的掺杂浓度为1×1018cm‑3～1×1019cm‑3，可以降低器件工作时电荷存储效应，使pGaN层中载流子的尽可能的耗尽，避免冗余电荷存储，从而提高器件工作阈值电压稳定性。栅极金属层与栅极结构之间采用欧姆接触，可以改善栅极金属层与栅极结构连接的可靠性，从而提高场效应管的可靠性。
一种场效应制备方法开关电路