[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110504673.0 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN115332205A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 庄凌艺 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L29/06;H01L21/768;H01L21/3065;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张竞存;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括相对的上表面和下表面；贯穿所述衬底的通孔结构；位于上表面一侧的所述衬底内的沟槽，以及位于所述沟槽内的阻挡结构；位于所述通孔结构侧壁外侧的所述衬底中的空隙；其中，所述空隙位于所述阻挡结构的下方，且所述空隙的第一端与所述阻挡结构的底部接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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