[发明专利]半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 202010093038.3 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN112687634A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 鲁珺地;蔡豪益;曾明鸿;江宗宪;林彦良;黄子松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/16;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述封装包括管芯、层间穿孔、介电膜、后侧膜及焊料膏部分。所述层间穿孔设置在半导体管芯旁边且模塑化合物在横向上环绕管芯及层间穿孔。所述介电膜设置在半导体管芯的后侧上，且所述后侧膜设置在介电膜上。后侧膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者比介电膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者大。所述焊料膏部分设置在层间穿孔上且位于穿透过介电膜及后侧膜的开口内。具有在开口内位于介电膜与后侧膜之间的界面处的凹槽。本公开提供的结构及方法与包含对已知良好管芯进行中间验证的测试方法结合使用以提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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