[发明专利]半导体封装及其制造方法

说明书

提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述封装包括管芯、层间穿孔、介电膜、后侧膜及焊料膏部分。所述层间穿孔设置在半导体管芯旁边且模塑化合物在横向上环绕管芯及层间穿孔。所述介电膜设置在半导体管芯的后侧上，且所述后侧膜设置在介电膜上。后侧膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者比介电膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者大。所述焊料膏部分设置在层间穿孔上且位于穿透过介电膜及后侧膜的开口内。具有在开口内位于介电膜与后侧膜之间的界面处的凹槽。本公开提供的结构及方法与包含对已知良好管芯进行中间验证的测试方法结合使用以提高良率。

技术领域

本公开的实施例涉及一种半导体封装及其制造方法。

背景技术

可以晶片级对半导体晶片及半导体管芯进行处理并与其他半导体器件或管芯封装在一起，且对于晶片级封装来说控制翘曲是重要问题。

发明内容

本公开实施例的一种半导体封装，包括：半导体管芯，被模塑化合物在横向上包封；层间穿孔，设置在所述半导体管芯旁边且穿透过所述模塑化合物；介电膜与后侧膜的堆叠，设置在所述半导体管芯的后侧上以及所述模塑化合物上，且具有暴露出所述层间穿孔的开口；以及焊料膏部分，设置在所述开口内的所述层间穿孔上，其中具有在所述开口内位于所述介电膜与所述后侧膜之间的界面处的凹槽。

本公开实施例的一种半导体封装，包括：半导体管芯，被模塑化合物在横向上环绕；层间穿孔，设置在所述半导体管芯旁边且穿透过所述模塑化合物；介电膜，设置在所述半导体管芯的后侧上以及所述模塑化合物上；后侧膜，设置在所述介电膜上以及所述半导体管芯的所述后侧之上和所述模塑化合物之上，其中所述后侧膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者比所述介电膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者大；以及焊料膏部分，设置在所述层间穿孔上以及在穿透过所述介电膜及所述后侧膜的开口内，其中凹槽在所述后侧膜与所述介电膜之间的界面处位于所述开口的侧壁中。

本公开实施例的一种半导体封装的制造方法，包括：提供具有管芯及层间穿孔的模塑结构；在所述模塑结构的第一侧上以及所述管芯及所述层间穿孔上形成重布线层，其中所述管芯及所述层间穿孔电连接到所述重布线层；形成介电层，其中所述介电层设置在所述模塑结构的第二侧上，且所述第一侧与所述第二侧是所述模塑结构的相对的侧；形成后侧膜；进行在所述后侧膜及所述介电层中形成开口的激光工艺，以暴露出所述层间穿孔；以及将焊料膏部分设置到所述开口中以及被暴露出的所述层间穿孔上。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A到图1G是根据本公开一些示例性实施例的半导体封装的制造方法中各个阶段的示意性剖视图。

图1F’及图1G’是根据本公开一些示例性实施例的半导体封装的开口的示意性放大剖视图。

图2是示出根据本公开一些示例性实施例的半导体封装的示意性剖视图。

图3A到图3F是根据本公开一些示例性实施例的半导体封装的制造方法中各个阶段的示意性剖视图。

图4是示出根据本公开一些示例性实施例的半导体封装结构的连接部分的示意性放大局部剖视图。

[符号的说明]

10、30：半导体封装

20：底部封装

40：顶部封装

100、300：封装结构

102、302：载体

103、303：剥离层

104、235、304：介电层

104S、200S：侧壁