[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

半导体管芯，被模塑化合物在横向上包封；

层间穿孔，设置在所述半导体管芯旁边且穿透过所述模塑化合物；

介电膜与后侧膜的堆叠，设置在所述半导体管芯的后侧上以及所述模塑化合物上，且具有暴露出所述层间穿孔的开口；以及

焊料膏部分，设置在所述开口内的所述层间穿孔上，

其中具有在所述开口内位于所述介电膜与所述后侧膜之间的界面处的凹槽。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中穿透过所述堆叠的所述开口具有倾斜的侧壁。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述焊料膏部分局部地填充所述开口而不填满所述凹槽且不接触所述开口的倾斜的所述侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述介电膜与所述后侧膜为不同的材料，且所述介电膜位于所述层间穿孔与所述后侧膜之间。

5.一种半导体封装，包括：

半导体管芯，被模塑化合物在横向上环绕；

层间穿孔，设置在所述半导体管芯旁边且穿透过所述模塑化合物；

介电膜，设置在所述半导体管芯的后侧上以及所述模塑化合物上；

后侧膜，设置在所述介电膜上以及所述半导体管芯的所述后侧之上和所述模塑化合物之上，其中所述后侧膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者比所述介电膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者大；以及

焊料膏部分，设置在所述层间穿孔上以及在穿透过所述介电膜及所述后侧膜的开口内，其中凹槽在所述后侧膜与所述介电膜之间的界面处位于所述开口的侧壁中。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，还包括：

顶部封装，具有一个或多个芯片及连接件，其中所述顶部封装设置在所述后侧膜上，使得所述连接件与所述焊料膏部分结合；以及

底部填充胶，设置在所述顶部封装与所述后侧膜之间以及所述焊料膏部分、所述介电膜及所述后侧膜之间。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述底部填充胶填满在所述开口内位于所述介电膜与所述后侧膜之间的所述界面处的所述凹槽。

8.一种半导体封装的制造方法，包括：

提供具有管芯及层间穿孔的模塑结构；

在所述模塑结构的第一侧上以及所述管芯及所述层间穿孔上形成重布线层，其中所述管芯及所述层间穿孔电连接到所述重布线层；

形成介电层，其中所述介电层设置在所述模塑结构的第二侧上，且所述第一侧与所述第二侧是所述模塑结构的相对的侧；

形成后侧膜；

进行在所述后侧膜及所述介电层中形成开口的激光工艺，以暴露出所述层间穿孔；以及

将焊料膏部分设置到所述开口中以及被暴露出的所述层间穿孔上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中进行所述激光工艺包括：进行钻穿所述后侧膜及所述介电层的激光钻孔工艺，直到暴露出所述层间穿孔。

10.根据权利要求9所述的方法，其中进行所述激光钻孔工艺包括：在钻穿所述后侧膜及所述介电层期间在所述开口中在所述后侧膜与所述介电层之间的界面处形成凹槽。